本發明屬于高精密模壓，特別是涉及一種碳化硅模具套筒內壁附著物的去除方法。
背景技術：
1、在模壓生產非球面透鏡的過程中，預制體在黏彈態進行模壓，此時套筒受到了高溫和模具摩擦的共同作用，為了滿足導熱性、高硬度以及高耐磨性等特點，同時為了保證鏡片兩個面間的錯位和傾斜，通常選用碳化硅模具作為熱壓模具。碳化硅適合作為高溫高壓下的硬質套筒材料，其膨脹系數比碳化鎢略小，可保證模具在常溫下裝配間隙較大能正常裝取，在模壓溫度下裝配間隙可控制在微米級，保證非球面鏡片的偏芯。
2、碳化硅模具的上模具1、下模具2均采用碳化鎢材質，并通過一個碳化硅套筒3對上模具1和下模具2進行側向限位，如圖1所示。雖然碳化硅套筒3與上模具1和下模具2之間是間隙配合，但模壓過程中上模具1和下模具2的柱面與碳化硅套筒3內壁間存在摩擦，雖然是在無氧環境中壓型，但玻璃4在高溫下會析出氧氣與碳化硅套筒3材料接觸，碳化硅套筒3內壁表面會形成一層氧化物與玻璃揮發后形成的附著物，隨著使用時間的增長碳化硅套筒3內壁附著物逐漸累積，該附著物會造成上模具1和下模具2與碳化硅套筒3裝配公差改變、熱膨脹量改變、粗糙度改變等一系列問題，導致上模具1和下模具2與碳化硅套筒3在模壓溫度下部分區域裝配公差為負，使上模具1和下模具2在模壓過程中存在卡頓，導致模壓無法正常進行，產品無法成型，嚴重時還會導致套筒碎裂、模具破損。目前對碳化硅套筒3內壁附著物采用物理方式去除，但物理方式去除費時費力，且很難徹底去除套筒內壁的附著物，還會影響碳化硅套筒3的尺寸形狀。
技術實現思路
1、本發明所要解決的技術問題是提供一種去除徹底且不會破壞套筒內壁面的碳化硅模具套筒內壁附著物的去除方法。
2、本發明解決技術問題所采用的技術方案是：碳化硅模具套筒內壁附著物的去除方法，該方法包括以下步驟：
3、1)在頻率為30-40khz的超聲波條件下采用溫度為40-60℃的含有表面活性劑的漂洗溶液對套筒進行漂洗；
4、2)將套筒放在酸洗劑中侵泡；
5、所述酸洗劑的組分為：氫氟酸10-15份(質量占比，以下所述組分均為質量占比)、檸檬酸15-20份、氯化鈉1-2份和純水100份；
6、3)在頻率為30-40khz的超聲波條件下采用純水對套筒進行清洗；
7、4)通過氧化鋁拋光膏對套筒內壁進行拋光；
8、5)在頻率為30-40khz的超聲波條件下采用溫度為40-60℃的含有表面活性劑的漂洗溶液對套筒進行漂洗；
9、6)在頻率為30-40khz的超聲波中采用純水對套筒進行清洗；
10、7)對清洗后的套筒進行烘干。
11、進一步的，步驟1)和步驟5)所述漂洗溶液采用1-2份表面活性劑加入180-220份純水中，加熱至40-60℃并混合均勻，得到漂洗溶液。
12、進一步的，步驟1)和步驟5)所述表面活性劑采用直鏈烷基苯磺酸鈉、十二烷基硫酸鈉和α-烯烴磺酸鹽中的一種或多種。
13、進一步的，所述步驟2)為：在室溫條件下將套筒在酸洗劑中侵泡300±30s。
14、進一步的，步驟3)所述清洗的時間為60-90s，所述純水采用電阻率高于15mω的純水。
15、進一步的，所述步驟4)為：使用羊毛球刷通過氧化鋁拋光膏對套筒內壁拋光60-120s。
16、進一步的，步驟4)所述氧化鋁拋光膏采用1-2份純水加入1-3份氧化鋁粉末中混合均勻，得到氧化鋁拋光膏。
17、進一步的，所述步驟6)為：在頻率為30-40khz的超聲波中采用溫度為25-35℃的純水對套筒清洗300-330s，所述純水采用電阻率高于15mω的純水。
18、進一步的，所述步驟7)為：采用烘干機對清洗后的套筒進行烘干，烘干溫度為60-80℃。
19、本發明的有益效果是：采用化學試劑溶解碳化硅套筒內壁表面附著物，代替傳統的物理去除法，提高生產效率，去除更徹底，均勻性更好，可徹底處理套筒內壁的死角位置，同時也不會破壞套筒內壁面，保證套筒尺寸精度維持在微米級。
1.碳化硅模具套筒內壁附著物的去除方法，其特征在于，該方法包括以下步驟：
2.如權利要求1所述的碳化硅模具套筒內壁附著物的去除方法，其特征在于，步驟1)和步驟5)所述漂洗溶液采用1-2份表面活性劑加入180-220份純水中，加熱至40-60℃并混合均勻，得到漂洗溶液。
3.如權利要求1或2所述的碳化硅模具套筒內壁附著物的去除方法，其特征在于，步驟1)和步驟5)所述表面活性劑采用直鏈烷基苯磺酸鈉、十二烷基硫酸鈉和α-烯烴磺酸鹽中的一種或多種。
4.如權利要求1所述的碳化硅模具套筒內壁附著物的去除方法，其特征在于，所述步驟2)為：在室溫條件下將套筒在酸洗劑中侵泡300±30s。
5.如權利要求1所述的碳化硅模具套筒內壁附著物的去除方法，其特征在于，步驟3)所述清洗的時間為60-90s。
6.如權利要求1所述的碳化硅模具套筒內壁附著物的去除方法，其特征在于，所述步驟4)為：使用羊毛球刷通過氧化鋁拋光膏對套筒內壁拋光60-120s。
7.如權利要求1或6所述的碳化硅模具套筒內壁附著物的去除方法，其特征在于，步驟4)所述氧化鋁拋光膏采用1-2份純水加入1-3份氧化鋁粉末中混合均勻，得到氧化鋁拋光膏。
8.如權利要求1所述的碳化硅模具套筒內壁附著物的去除方法，其特征在于，所述步驟6)為：在頻率為30-40khz的超聲波中采用溫度為25-35℃的純水對套筒清洗300-330s。
9.如權利要求5或8所述的碳化硅模具套筒內壁附著物的去除方法，其特征在于，步驟1)和步驟5)所述純水采用電阻率高于15mω的純水。
10.如權利要求1所述的碳化硅模具套筒內壁附著物的去除方法，其特征在于，所述步驟7)為：采用烘干機對清洗后的套筒進行烘干，烘干溫度為60-80℃。