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本申請涉及半導體，特別是涉及一種封裝體以及電子設備。、絕緣柵雙極型晶體管（insulated?gate?bipolar?transistor，igbt）在現代電力系統中扮演著舉足輕重的角色，其具有導通損耗低，能夠承受較高電壓，能夠在高溫環境下長時間穩定工作，快速響應電路中信號變化等優勢，從...

本發明涉及半導體封裝，尤其涉及一種mosfet共線封裝控制方法及系統。、mosfet共線封裝作為一種面向高集成度模塊的結構形式被提出，該封裝方式將多個功能相同或互補的mosfet芯片沿主電流路徑進行線性排布，通過縮短功率換流回路、減少寄生電感，以期提升高頻工作下的電氣性能與電磁兼容性，典型...

本申請屬于顯示設備等，具體涉及一種顯示屏及電子設備。、在電子產品中強調的“自然光”或“類自然光”是指模仿自然界中太陽光的照明特性，提供給用戶一種舒適、柔和且接近自然的光照環境。這種光照通常具有較高的色彩還原能力，以及適宜的色溫和亮度，以減少眼睛疲勞和保護視力。這樣的光譜包含了對人體有益的紫...

本發明涉及集成電路，特別涉及一種硅中深能級復合中心的測量方法。、深能級瞬態譜（dlts）技術是一種用于表征半導體材料和器件中缺陷的重要手段。該方法具有高靈敏度、能定量分析、可同時獲取缺陷能級、濃度、俘獲截面等多種參數的優勢。該技術廣泛用于評估半導體材料的純度、工藝誘導的損傷等引入的缺陷。、...

本發明涉及集成電路芯片封裝，具體涉及一種基于彌散顆粒的自修復集成電路及其制備方法。、集成電路芯片封裝中，常出現焊點失效的問題。焊點的失效過程一般為：應力應變導致變形—在薄弱區域裂紋萌生—裂紋沿界面擴展—整體開裂失效。在熱循環、振動和沖擊等外界環境因素的影響下，焊點內會產生近似周期性...

本公開涉及基板傳送，尤其涉及基板承載治具及其使用方法、傳送裝置。、在顯示面板制作過程中，承載治具是一種工裝夾具，主要用于在各種生產環境中固定，支撐和定位顯示面板。、現有技術中，部分承載治具在使用過程中仍存在一些不足之處。技術實現思路、有鑒于此，本公開的目的在于提出一種基板承載治具及其使用方...

本發明屬于觸控開關，尤其涉及一種光感應觸控開關、觸控方法及電子設備。、目前市場上的電子設備一般都會配置觸控開關，以通過觸控開關來對電子設備進行觸控。比如音頻設備，尤其是桌面麥克風，與控制相關的按鍵單元一般都會采用電容觸控開關。電容觸摸的本質是檢測由手指接近或觸摸而引起的微小電容變化，從而根...

本發明屬于射頻集成電路，尤其涉及一種應用于無線通信系統的基于開關跨導結構的低閃爍噪聲下變頻混頻器，特別適用于直接變頻接收機架構。、隨著先進cmos工藝制程的溝道長度持續減小，晶體管的閃爍噪聲拐點頻率隨之上升，常超過~?mhz，嚴重影響低中頻、零中頻的接收系統（如藍牙、zigbee、wifi...

本發明涉及數字預失真，尤其涉及一種用于氮化鎵功率放大器的數字預失真方法及系統。、在射頻收發機中，小信號需經過功率放大器（pa，power?amplifier）將功率放大后發射出去，經pa放大后的信號通常會產生不同程度的失真。此失真可在小信號進入pa前通過數字預失真技術（dpd，digita...

本發明涉及太陽能電池，具體涉及一種基于選擇性摻雜的topcon太陽能電池及其制備方法。、topcon（tunnel?oxide?passivated?contact）是一種基于隧穿氧化層和多晶硅鈍化接觸技術的高效晶硅太陽能電池。相較于傳統的perc（passivated?emitter?a...

本揭露關于一種半導體元件以及形成饋通穿孔的方法。、集成電路形成于半導體晶圓上。微影圖形化工藝使用紫外光以轉移期望的光罩圖形至半導體晶圓上的光阻。然后可使用蝕刻工藝將圖形轉移到光阻下方的層。這個過程使用不同的圖形重復多次，以在晶圓基材上建立不同的層并制成有用的元件。技術實現思路、根據本揭露的...

本申請屬于太陽能發電，特別是涉及一種光伏組件、制作設備及其制作方法。、在全球面臨嚴峻的氣候變化挑戰與能源安全壓力的雙重背景下，積極開發太陽能資源、大力發展光伏產業已成為實現可持續發展的關鍵戰略選擇。光伏技術憑借其較高的成熟度和產業化優勢備受關注。其核心組件通常由正面封裝結構、背面封裝結構以...

本發明涉及晶圓生產的，特別涉及降低epi過程應力突變造成長膜畸變量的系統及工藝。例如公開號為cna，專利名稱為一種晶圓封裝方法，包含下列步驟：提供具有多個集成電路單元的晶圓。研磨晶圓相對集成電路單元的第一表面。提供透光載體。形成脫膜層于透光載體的第二表面上。形成紫外光暫時粘著層于透光載體的第二表面...

本發明涉及半導體光電子器件，尤其涉及一種氧化鎵基鰭式日盲紫外光電晶體管及其制備方法。、日盲紫外光電探測器因其在~?nm波段對紫外光具有選擇性響應，且在該波段太陽輻射被大氣臭氧層幾乎完全吸收，從而在自然環境中幾乎不存在背景光干擾，因而具備極低的背景噪聲和虛警率。這一獨特優勢使其在導彈預警、火...

本申請屬于光伏，具體涉及一種光伏玻璃及其制備方法和光伏組件。、光伏玻璃作為光伏組件的關鍵組成部分，其性能對光伏組件的性能具有決定性影響，其中透過率指標直接影響光伏組件的功率。、現有的光伏玻璃的透過率欠佳，仍然存在較大的光學損失。技術實現思路、本申請旨在提供一種光伏玻璃及其制備方法和光伏組件...

本申請涉及半導體，具體而言涉及一種半導體器件及其制備方法。、隨著集成電路技術的持續發展，橫向雙擴散金屬氧化物半導體晶體管（lateraldouble-diffused?metal-oxide?semiconductor?transistor，）?ldmos）因其高擊穿電壓和與cmos工藝良...

本發明涉及一種芯片封裝結構，尤其是涉及一種能防止金屬外殼與基板連接處龜裂的芯片封裝結構。、中國專利cn.揭示了一種封裝結構，包括芯片載體、芯片以及彈性散熱蓋板，芯片載體為基板，芯片焊接于基板的上表面，散熱蓋板設置于基板上，與基板之間形成一腔體，芯片設置于腔體內，為了解決由于基板和散熱蓋板的...

.本發明涉及半導體器件，特別涉及一種發光二極管及發光裝置。、發光二極管（light?emitting?diode，led）是一種半導體發光器件，具有較高的轉換效率，廣泛應用于照明、顯示屏、汽車、通信等領域。、現有的發光二極管一般包括基板和設置于基板上方的半導體疊層，半導體疊層自上而下包括依...

本發明涉及一種半導體裝置，尤其是涉及一種包括有源區以及絕緣結構的半導體裝置。、隨著半導體裝置微小化以及集成電路的復雜化，組件的尺寸不斷地減小，結構亦不斷地變化，因此，維持小尺寸半導體組件的效能為目前業界的主要目標。在半導體制作工藝中，多半是在襯底上定義出多個有源區域作為基礎，再于所述有源區...

本發明涉及一種放大電路。、專利文獻中公開了一種放大電路，其具備：放大器，其具有級聯連接的共源極fet(field?effect?transistor：場效應晶體管)及共柵極fet；以及限幅器電路，其連接于該放大器的輸入側的節點與地之間。、現有技術文獻、專利文獻、專利文獻：日本特開-號公報技...