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本公開整體涉及一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置，并且更具體地，涉及一種包括垂直溝道晶體管（vct）的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置。、為了滿足消費(fèi)者對(duì)優(yōu)異性能和低成本的需求，提高半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置的集成密度是必要的。由于半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置的集成密度是決定產(chǎn)品價(jià)格的關(guān)鍵因素，因此需要特別高的集成密度。、二維（d）或平面半...

本說明書涉及保護(hù)電路。一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例可以應(yīng)用于功率晶體管的保護(hù)，同時(shí)保持由功率晶體管的安全操作區(qū)域所限制的全部電流/時(shí)間區(qū)域可用。、對(duì)于功率半導(dǎo)體設(shè)備(諸如雙極結(jié)型晶體管(bjt)、金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(mosfet)、晶閘管或絕緣柵雙極晶體管(igbt))，安全操作區(qū)域(soa...

、集成電路(ic)的較高性能、較低成本、增加的小型化和更大密度是電子工業(yè)的持續(xù)目標(biāo)。為了保持提高晶體管性能的速度，例如，正在部署諸如全環(huán)柵(gaa)或納米帶晶體管的多柵極晶體管。在這樣的器件中，包括柵極電介質(zhì)和柵電極的柵極結(jié)構(gòu)在半導(dǎo)體材料的每個(gè)納米帶或納米線的所有側(cè)上圍繞溝道區(qū)，以改善驅(qū)動(dòng)...

本申請(qǐng)屬于顯示，更具體地說，是涉及一種顯示面板及其加工方法和顯示裝置。、應(yīng)用有機(jī)發(fā)光二極管(rganic?light?emitting?display，oled)技術(shù)的顯示裝置具有顯示效果好、散熱性好、成本低、厚度小等優(yōu)點(diǎn)。、但oled顯示裝置的使用性能有待進(jìn)一步提升。技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路、本申請(qǐng)...

本申請(qǐng)涉及通信，尤其涉及到一種插框拆分裝置、機(jī)箱及通信設(shè)備。、隨著全球移動(dòng)用戶的增長及數(shù)字化轉(zhuǎn)型帶來的商業(yè)模式重構(gòu)，客戶建網(wǎng)需求及新業(yè)務(wù)迅速增加。大數(shù)據(jù)時(shí)代對(duì)于數(shù)據(jù)處理的需求將會(huì)持續(xù)增長，機(jī)箱及集成場景的微模塊相關(guān)業(yè)務(wù)作為服務(wù)器設(shè)備的基礎(chǔ)，需求也會(huì)持續(xù)上升。機(jī)箱包括箱體和多個(gè)可插拔單元，箱...

本公開涉及半導(dǎo)體，特別是涉及一種無源器件和集成無源器件。、隨著通訊技術(shù)的發(fā)展，對(duì)半導(dǎo)體工藝制備的集成無源器件的集成度和性能要求越來越高，集成無源器件包括電容、電感電阻等，在運(yùn)行的過程中，過高的損耗會(huì)影響集成無源器件的運(yùn)行效果，因此提升器件的性能是目前繼續(xù)解決的問題。技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路、本公開實(shí)施...

本申請(qǐng)涉及光伏電池生產(chǎn)設(shè)備，具體地說是一種工裝橫移裝置、電池片成串設(shè)備及成串方法。、制作電池串時(shí)需要在輸送線上鋪放電池片和焊帶，輸送線將鋪放好的電池片和焊帶輸送至固化裝置下方進(jìn)行固化以制得電池串。、以向電池片上、下表面均鋪設(shè)焊帶為例，先利用牽引裝置向輸送線的鋪放工位鋪放第一組焊帶，再利用搬...

本申請(qǐng)涉及集成電路，特別是涉及一種三維霍爾器件及其制備方法、霍爾傳感器。、霍爾傳感器是一種應(yīng)用廣泛的磁傳感器，由霍爾器件和信號(hào)調(diào)理電路組成。在檢測空間磁場時(shí)，測量垂直于器件表面磁場分量的橫向霍爾器件和測量平行于器件表面磁場分量的縱向霍爾器件局限于特定方向，無法提供完整的三維空間內(nèi)的磁場信息...

本發(fā)明屬于光伏設(shè)備，具體涉及一種鈣鈦礦太陽能電池及其制備方法和應(yīng)用。、近年來，鈣鈦礦太陽能電池因其光吸收能力強(qiáng)、載流子遷移率高、制備成本低以及可制備成柔性可穿戴設(shè)備等優(yōu)勢，已成為光伏領(lǐng)域的研究熱點(diǎn)。、鈣鈦礦薄膜是制備鈣鈦礦太陽能電池的關(guān)鍵組件，其制備方法主要分為一步法和兩步法。一步法主要指...

本發(fā)明涉及電子設(shè)備的，尤其涉及一種背板及交互平板。、智能交互平板是一種集成了多種功能的顯示設(shè)備，主要用于教育教學(xué)、企業(yè)會(huì)議、商業(yè)展示等領(lǐng)域。、而在智能交互平板等相關(guān)的顯示設(shè)備中，通常設(shè)置有背光模組以提供光源，背光模組一般安裝于背板上，以通過背板起到支撐和保護(hù)作用。相關(guān)技術(shù)中，背板為了提高其...

本發(fā)明涉及離子束設(shè)備，更具體地說，涉及一種承托裝置、離子束設(shè)備及承托裝置的控溫方法。、離子束設(shè)備中，不管是濺射刻蝕還是鍍膜設(shè)備，均需要承托裝置，用以固定晶圓，實(shí)現(xiàn)相關(guān)工藝。現(xiàn)有技術(shù)中，最常用的承托裝置主要為機(jī)械式承托裝置和靜電卡盤式承托裝置，相比機(jī)械式承托裝置，靜電卡盤式承托裝置（簡稱靜電...

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，特別是涉及一種半導(dǎo)體器件，還涉及一種半導(dǎo)體器件的制造方法。、soi（silicon?on?insulator，絕緣體上硅）技術(shù)因?yàn)槠洫?dú)特的結(jié)構(gòu)，擁有隔離性能好、漏電流小、速度快、抗輻照和功耗低等優(yōu)點(diǎn)，充分發(fā)揮了硅集成電路技術(shù)的潛力，正逐漸成為制造高速度、低功耗、高...

本公開涉及半導(dǎo)體量測，特別是涉及一種膜層厚度量測方法及其裝置、計(jì)算機(jī)設(shè)備和存儲(chǔ)介質(zhì)。、隨著半導(dǎo)體工業(yè)的發(fā)展，集成電路中晶體管的性能及密度遵循摩爾（moore）定律在不斷提升。然而，當(dāng)晶體管縮減至一定尺寸后，單靠幾何尺寸的微縮很難滿足晶體管的性能提升需求。因此，為了彌補(bǔ)晶體管性能提升方面的差...

本發(fā)明涉及一種散熱機(jī)構(gòu)及其制造方法，更詳細(xì)地講，涉及一種通過比其自身的導(dǎo)熱材質(zhì)特性更有效的制冷劑的相變來主動(dòng)地傳遞從發(fā)熱裝置（例如，電子設(shè)備）產(chǎn)生的熱量，從而能夠提高散熱性能的散熱機(jī)構(gòu)及其制造方法。、在通信、電子、電氣等多種產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域中，相關(guān)技術(shù)為了應(yīng)用于更先進(jìn)的產(chǎn)業(yè)，處于持續(xù)且高度開發(fā)的趨...

本發(fā)明涉及一種氧化膜的形成條件確定方法、氧化膜的形成方法及晶圓的制造方法。、已知有一種加熱成膜用托盤的同時(shí)向搭載于該成膜用托盤的晶圓上供給原料氣體，從而在晶圓上形成氧化膜的方法（例如，參考專利文獻(xiàn)）。、專利文獻(xiàn)中所記載的成膜用托盤具備支撐晶圓的外周部的支撐部件及支撐該支撐部件的托盤主體。在...

、小型發(fā)光部件特別是由ingaalp制造的紅色發(fā)光μled需要特定的表面鈍化技術(shù)例如再生長以使μled高效。在這種情況下，在將μled轉(zhuǎn)移至載體基板之前，再生長和臺(tái)面結(jié)構(gòu)化兩者迄今為止都是從μled的半導(dǎo)體層堆疊的同一側(cè)進(jìn)行的。在將μled從其生長基板重新接合至其目標(biāo)基板之后，臺(tái)面蝕刻結(jié)構(gòu)...

本發(fā)明涉及一種電力轉(zhuǎn)換裝置。、在逆變器的結(jié)構(gòu)中，例如在采用將從半導(dǎo)體模塊突出的端子向?qū)盈B方向彎曲的結(jié)構(gòu)的情況下，具有能夠緩和端子和布線基板的焊接接合部的應(yīng)力而確保焊接接合部的可靠性的優(yōu)點(diǎn)。在下述的專利文獻(xiàn)中，公開了在具有上述結(jié)構(gòu)的逆變器中，同時(shí)對(duì)多個(gè)半導(dǎo)體進(jìn)行模塑密封封裝以實(shí)現(xiàn)可靠性的提高...

本公開內(nèi)容涉及半導(dǎo)體裝置及其制造方法。、半導(dǎo)體裝置(例如，存儲(chǔ)裝置)可以具有各種結(jié)構(gòu)以增大芯片上的存儲(chǔ)單元和線的密度。例如，三維(d)存儲(chǔ)裝置由于其通過在類似占據(jù)空間內(nèi)堆疊體更多層而增大陣列密度的能力而具有吸引力。d存儲(chǔ)裝置通常包括存儲(chǔ)單元的存儲(chǔ)陣列和用于促進(jìn)存儲(chǔ)陣列的操作的外圍電路。技術(shù)...

本說明書公開的技術(shù)涉及管理元件安裝機(jī)的技術(shù)。、在專利文獻(xiàn)中公開了能夠進(jìn)行用于提高生產(chǎn)設(shè)備的功能的軟件的自動(dòng)更換的生產(chǎn)設(shè)備的控制裝置。、現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)、專利文獻(xiàn)、專利文獻(xiàn)：日本特開平-號(hào)公報(bào)技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路、發(fā)明所要解決的課題、將元件安裝于基板的安裝處理所需的安裝時(shí)間會(huì)根據(jù)元件安裝機(jī)的性能而變化。...

本發(fā)明涉及集成電路制造，特別涉及一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制備方法。、在半導(dǎo)體器件中，測量n阱和p阱之間的結(jié)漏電流時(shí)，受環(huán)境濕度的影響，接受測試的兩電極之間的鈍化層上容易形成微觀水膜，該微觀水膜形成額外的導(dǎo)電路徑，引入額外的泄漏電流，導(dǎo)致實(shí)際測量值包含了結(jié)漏電流和水膜泄漏電流兩部分，從而干擾了對(duì)結(jié)...