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本發明涉及晶圓鍵合，具體涉及一種基于分離式鍵合吸盤的晶背對位陽極鍵合方法。、陽極鍵合是一種利用高溫和高電場驅動玻璃中堿金屬離子遷移，從而在玻璃與硅或金屬材料之間形成高強度、氣密性良好鍵合界面的成熟封裝技術，廣泛應用于mems（micro-electro-mechanical?systems...

本發明涉及半導體領域，特別涉及一種加熱盤中支撐柱的拆裝裝置、拆除方法及安裝方法。、現有支撐柱(lift?pin)在半導體領域一般用于晶圓的傳遞，具體在升降過程中對晶圓起到支撐作用，特別是在化學氣相沉積（cvd）工藝中實現晶圓在機械手與工作位置之間的傳送?；瘜W氣相沉積腔室中的支撐柱一般安裝于...

本發明涉及功率器件封裝結構，具體為一種大電流直插式功率器件封裝結構。、功率器件的封裝結構是一種保護和支持半導體功率器件并提供電氣連接的結構，功率器件一般用于高電壓和大電流的應用，因此封裝結構需具備良好的熱管理和電氣絕緣性能。、公告號為cnb的專利涉及芯片封裝，公開了一種功率器件封裝...

本發明涉及光伏器件制造，尤其涉及一種基于smt工藝的光伏電池片制造方法及系統。、傳統晶硅光伏組件采用正面電極結構，需通過串焊工藝將電池片互聯，該過程存在局部高溫應力導致的隱裂問題，嚴重影響組件長期可靠性和機械強度?，F有柔性光伏組件多采用薄膜電池技術，雖具備可彎曲特性但光電轉換效率普遍低于%...

本發明涉及集成電路板，尤其涉及一種低溫等離子體鍵合的載板埋容集成裝置及工藝。、低溫等離子體鍵合的載板是一種通過低溫等離子體活化與直接鍵合技術，將多層硅中介層、玻璃基板或其他載板材料在相對低溫下（通常<°c）永久性地鍵合在一起，所形成的三維封裝結構，載板的埋容加工是指在集成電路封裝基板...

本申請涉及太陽電池的，尤其涉及一種鈣鈦礦太陽電池的制備方法、光伏組件。、鈣鈦礦太陽電池因制備方法簡單且電池效率較高等優勢而受到廣泛關注。然而，其中制備的鈣鈦礦層存在較多缺陷，制約了太陽電池的光電轉換效率的進一步提升。技術實現思路、為了進一步提升鈣鈦礦太陽電池的光電轉換效率，本申請提供一種鈣...

本發明屬于顯示，尤其涉及一種顯示面板、顯示面板的制備方法和顯示裝置。、有機發光二極管(organic?light?emitting?diode，簡稱oled)作為一種電流型發光器件，因其所具有自發光、快速響應、寬視角和可制作在柔性基板上等多種特點，被廣泛用于手機、平板電腦等顯示裝置中。、目...

本發明的一個方式涉及一種晶體管、半導體裝置及電子設備。另外，本發明的一個方式涉及一種半導體裝置的制造方法。此外，本發明的一個方式涉及一種半導體晶片及模塊。注意，在本說明書等中，半導體裝置是指能夠通過利用半導體特性而工作的所有裝置。除了晶體管等的半導體元件之外，半導體電路、運算裝置或存儲裝置也是半導...

本發明屬于功率模塊制備，具體而言，涉及一種去模塊化去線束化的功率模塊制備方法。、功率電子領域中，嵌入式pcb功率模塊被廣泛應用于新能源汽車、電力變換器和工業驅動系統，用于實現高功率密度和系統集成。現有技術通常通過將功率芯片嵌入pcb基板內部，并依賴銅箔擴散和導熱過孔實現散熱，同時采用環氧類...

本發明涉及半導體封裝及微加工，具體涉及一種高深徑比玻璃通孔的無缺陷電鍍填充方法及系統。、隨著人工智能、高性能計算等技術的飛速發展，.d/d先進封裝成為延續摩爾定律的關鍵。玻璃轉接板因其優異的電學與熱學特性，成為實現高密度互連的理想選擇。而玻璃通孔（tgv）是實現垂直互連、連接上下層芯片和基...

本發明涉及燈絲相關的，特別涉及一種燈絲結構、燈管及紅外烘箱系統。、目前，鋰電池極片的干燥工藝主要采用熱風對流加熱方式，但該方法存在能耗高、干燥速率受限以及干燥均勻性較差等問題。為了提升干燥效率，紅外加熱技術逐漸被引入鋰電池極片干燥工藝，其具備加熱響應速度快、能量利用率高等優勢。然而，現有的...

本發明涉及半導體器件，具體涉及一種出光增強型紫外led及其制備方法。、algan基紫外（uv）發光二極管（led）在殺菌消毒、非視距通信、動植物生長調控、皮膚病治療等領域具有廣闊的應用前景。然而，目前大部分紫外led（發光波長低于?nm）的電光轉換效率（wpe）低于%，嚴重制約了其在實際場...

本發明涉及印制線路板制作，具體涉及一種改善內層銅厚≥oz的厚銅板壓合時銅箔起皺的方法。、厚銅板，通常情況下指的是基材底銅厚度≥oz的線路板，常見的底銅厚度有oz、oz、oz等，當然還有更厚的oz、oz和oz。厚銅板與薄銅板相比，最大的特點就是底銅厚，然而，就因這個特點，決定了它在壓合過程中...

本發明屬于散熱液冷板，尤其涉及一種針對局部熱點的d流道嵌入式高效散熱液冷板。、隨著g通信技術的進步，信息處理達到了前所未有的高度，在我們享受時代高度信息化的紅利背后，隨之而來的是各類消費電子、pc端、服務器、交換機等通訊設備的功率密度越來越高，而通信設備中的大腦—cpu、gpu、dpu等各...

本發明涉及半導體制造，特別是涉及一種光響應hemt器件及其制備方法。、氮化鎵（gan）是一種寬禁帶半導體材料，具有高電子遷移率、高飽和電子速度、高擊穿電場強度和高熱導率等特性，這些優異的特性使其廣泛應用于高頻、高功率等應用場景中，以實現低損耗、高效率的電子傳輸。、gan?hemt器件通過在...

本發明涉及半導體工藝領域，尤其涉及一種分段互聯的浮空溝槽式功率半導體器件及其制備方法。、傳統功率器件?mosfet（metal-oxide-semiconductor?field-effecttransistor）作為現代電力電子中應用最廣泛的核心器件，憑借其低導通損耗、高速開關特性及驅動...

本發明涉及led路燈，特別涉及一種led路燈告警信息生成方法及系統。、隨著城市化進程的持續加速，路燈作為城市公共基礎設施的核心組成部分，其照明連續性、運行可靠性及應急處置能力直接關系到行人和車輛的出行安全，對城市公共安全與居民生活質量有著重要影響。然而，傳統led路燈及現有部分應急路燈在實...

本申請涉及顯示，特別是涉及一種陣列基板與顯示面板。、隨著顯示技術的不斷發展，有機電致發光二極管（organic?light?emittingdiode，oled）顯示面板的應用范圍越來越廣泛，例如虛擬現實（virtual?reality，vr）和增強現實（augmented?reality...

本發明屬于集成電路，具體地說是一種應用于三相電機驅動芯片的電平位移電路。、在傳統的高壓浮動型電平位移電路中，存在高阻結點，使得上拉下拉電流在對輸出結點電容進行充放電改變輸出結點電位的過程中，輸出結點電位存在一定時間的穩定不變，即密勒平臺效應，原因在于中間的高壓鉗位管開啟之后，上拉下拉電流通...

本發明涉及新能源光伏發電，具體為一種基于邊緣等效遮擋轉換的光伏電池性能預測方法。、在光伏電池實際應用中，由于建筑物陰影、周圍植被遮蔽、表面灰塵積聚、鳥糞污染、云層遮擋等各種環境因素，光伏電池表面常出現局部遮擋現象，導致光照強度分布非均勻，嚴重影響發電效率和系統可靠性。根據國際能源署（iea...