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本申請涉及顯示，特別是涉及一種發光二極管結構及顯示屏。、led(light-emitting?diode，發光二極管)顯示器件有著優異的顯示性能，主要體現在led為主動發光顯示，具備高亮度、高對比度的特點，發光頻譜更窄、色彩表現優異，響應時間也是遠遠快于現在大規模使用的lcd((liqui...

本發明涉及半導體集成電路制造領域，特別涉及一種平面(planar)器件。本發明還涉及一種平面器件的制造方法。、如圖所示，是現有平面器件的剖面結構示意圖；現有平面器件包括：、半導體襯底如硅襯底。、柵極結構形成于半導體襯底的頂部表面上。、柵極結構包括依次疊加的柵介質層和多晶硅柵。、在柵極結構兩...

本申請涉及顯示，尤其涉及顯示面板及顯示終端。、micro-led顯示面板除擁有自發光、高對比、低功率損耗等優點，還可以實現更高的分辨率，非常有潛力成為新一代顯示面板的發光元件。micro-led顯示面板可應用于增強現實ar、虛擬現實vr、車用抬頭顯示器hud及穿戴式裝置等。、micro-l...

本發明屬于通信，具體涉及到一種優化的sscl譯碼排序方法和裝置。、極化碼的簡化串行抵消列表(簡稱，sscl)譯碼算法在循環冗余校驗協助的串行抵消列表(簡稱，ca-scl)譯碼算法的基礎上，對凍結比特和信息位置的序列進行提前分析，將整個的極化碼拆分成多種子極化碼。sscl譯碼時根據子極化碼的...

本發明屬于精密微加工，具體涉及一種以鑄造工藝來制作精密鑄造圖型的方法，尤其涉及一種可應用于精密電路的鑄造圖型的制作方法及其裝置。、人類開發利用銅的歷史已超過年，古人開始使用銅砷錫鉛等材料鑄造青銅器物的歷史也已超過了年，掌握了青銅鑄冶技術的祖先揮舞著青銅武器對石器部落實施降維打擊的同時，也鑄...

本公開涉及發電模塊，特別是涉及能夠與建材一體化的太陽能發電模塊。、與建筑物的屋頂、外壁、窗等建材一體化的“建材一體型太陽能電池（building-integrated?photovoltaics：bipv）受到關注。例如在專利文獻中，提出了能夠作為窗使用的帶太陽能電池的建材。、現有技術文獻...

本公開總體上涉及通信系統中的糾錯碼的長度自適應（length-adaptive）編碼，更具體地，涉及極化碼的長度自適應編碼。、g移動通信技術定義了寬頻帶，使得高傳輸速率和新服務是可能的，并且不僅可以在諸如.ghz的“ghz以下”波段中實施，還可以在包括ghz和ghz的稱為毫米波（mmwav...

本公開涉及一種電灶，并且更具體地，涉及一種感應加熱型電灶。、本部分中所述內容僅提供關于本公開的背景信息，并且不構成現有技術。、各種類型的烹飪器具被用于在家或餐館中加熱食物。上述烹飪器具包括使用燃氣的燃氣灶和使用電力的電灶。、電灶主要分為電阻加熱型電灶和感應加熱型電灶。、電阻加熱型電灶使用向...

本發明屬于半導體，涉及一種鈣鈦礦膜層、制備方法及鈣鈦礦三結疊層太陽能電池。、將多個不同帶隙的光吸收層有效地整合進多結太陽能電池中，能夠顯著減小由于載流子熱化而造成的能量損失，從而提高光電轉換效率(pce)。鈣鈦礦/硅和全鈣鈦礦雙結疊層太陽能電池分別實現了高達.%和.%的光電轉換效率，顯著超...

本申請屬于功率器件，尤其涉及一種碳化硅懸浮結構溝槽功率器件及其制備方法、芯片。、碳化硅（sic）作為第三代半導體材料，因其禁帶寬、臨界擊穿電場高、飽和漂移速度高等優勢，在電動汽車、充電樁、數據電子等領域得到廣泛應用。相比于sic平面mosfet，sic溝槽mosfet具有更高的電流密度和功...

本發明涉及集成電路領域，特別是一種基于噪聲循環結構的k波段壓控振蕩器，及其對應的鎖相環與射頻芯片。、微波毫米波技術在雷達、通信、成像、導航等領域得到了廣泛的應用。毫米波具有更短的工作波長，可以有效減小器件及系統的尺寸；其次，毫米波有著豐富的頻譜資源，可以勝任未來超高速通信的需求。此外，毫米...

本發明屬于鈣鈦礦電池，涉及一種鈣鈦礦薄膜的制備方法，尤其涉及一種鈣鈦礦薄膜及其制備方法、鈣鈦礦太陽能電池組件及其制備工藝。、目前大面積鈣鈦礦光伏組件的制備主要沿用“溶液涂布—脫溶劑/成核—退火結晶”的主流工藝路線。在該流程中，通常先在空氣或惰性氣氛下完成前驅體溶液的涂布、刮涂或噴涂，隨后將...

本發明涉及半導體制造及tgv先進封裝制造領域，特別涉及一種tgv大方板電鍍后的處理方法及tgv大方板電鍍設備。、tgv（through?glass?via，玻璃通孔）電鍍是一種用于在玻璃基板上形成導電通孔的先進技術，通過在玻璃基板上制作通孔并通過電鍍填充導電材料（如銅），實現垂直電氣互連。...

本發明屬于化合物半導體器件，具體地講，涉及一種通過鈣鈦礦材料增強二維電子氣性能的gaas基的phemt器件及其制備方法。、phemt（贗配高電子遷移率晶體管），又稱贗調制摻雜異質結場效應晶體管（pmodfet），是傳統高電子遷移率晶體管（hemt）的改進結構。該器件通過異質結設計優化，解決...

本發明屬于半導體制造，涉及一種半導體滾輪傳輸裝置及半導體設備。、在半導體制造工藝中，通過濕法工藝，可對硅片背面進行處理，以去除位于硅片背面的物質實現硅片正面與背面的絕緣。現有大多采用滾輪式的輸送機構來輸送硅片，以通過滾輪承載硅片，使得硅片的背面可與刻蝕液接觸，以進行濕法工藝。、現有的半導體...

本申請涉及光伏，特別是涉及一種光伏電池及其制備方法、光伏組件。、硅基光伏電池是目前應用最為廣泛的一種光伏電池。在硅基光伏電池中，通過摻雜形成p型硅和n型硅，兩者交界處形成pn結，產生內建電場。光生載流子在內建電場的作用下，電子向n區移動，空穴向p區移動，從而實現載流子的分離。當外部電路閉合...

本發明涉及pcb沉銅母籃，尤其涉及一種具有傾斜上料結構的母籃。、在pcb（印制電路板）的pth（化學沉銅）工藝中，特別是采用龍門式生產線時，需要將待處理的內層板等pcb裝載于專用的母籃（或稱掛籃、載具）中，由生產線上的吊運設備移動母籃，依次通過各化學藥液槽進行清洗、微蝕、活化、沉銅等一系列...

本發明涉及led照明，尤其涉及一種基于ai模糊控制的線性調光型混光照明方法及系統。、隨著led照明技術的普及，現代照明系統正從單一的亮度控制向智能化、健康化和人因照明方向快速發展。在多樣化的應用場景中，用戶不僅關注照度，還對色溫、顯色指數、視覺舒適度提出了更高要求。特別是在辦公、教育、醫療...

本發明屬于芯片封裝設備，具體涉及一種新型芯片封裝散熱蓋及其制造方法。、對于芯片封裝，現有的散熱蓋形式有只有加固環的形式，如附圖所示；以及加固環散熱蓋上蓋的形式，如附圖所示。、現有的散熱蓋會導致封裝尺寸大，封裝成本高，不利于器件結構的小型化。而使用加固環上蓋這種形式的散熱蓋，要使用tim膠將...

本申請涉及光伏電池，尤其涉及一種光伏電池及其制備方法和光伏組件。、隨著光伏行業對組件功率和效率要求的不斷提升，topcon（隧道氧化物鈍化接觸）電池因其優異的高效率而成為主流技術之一。在組件制造過程中，通常需要將完整的電池片進行切割，以適配不同的組件版型或提高組件功率。目前，行業內普遍采用...