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本發明涉及功率放大器，具體地，涉及一種基于供電電源切換高動態數字功率放大器的方法。、水聲功率放大器在水聲通信及探測等水聲設備中充當重要角色，其直接影響水聲設備的通信和探測效果。動態范圍是表征功率放大器的重要指標之一，其影響水聲探測設備的距離遠近及準確度。數字功率放大器的動態范圍主要受調制策...

本申請涉及驅動，尤其涉及一種驅動電路及芯片。、當前智能音頻功放芯片都朝著高效率、低功耗等方向發展，同時隨著新一代硅負極電池的發展，電池電壓越來越低，使得智能音頻功放芯片需要工作在更低的電壓下。、現有技術中，為了解決d類放大器（class?d）采用h橋驅動負載（例如喇叭）存在的效率低的問題，...

本發明涉及集成電路，特別涉及一種基于耗盡型晶體管的集成驅動電路。、金屬氧化物半導體場效應晶體管（mosfet）是一種電壓控制器件，由源極、漏極、柵極和主體等端子構成，用于放大或切換電路內的電壓，也廣泛用于數字應用的ic。此外，也用于放大器和濾波器等模擬電路。mosfet的設計主要是為了克服...

本公開涉及光電子制造，特別涉及一種改善表面復合的顯示面板及其制備方法。、ar顯示面板通常采用微型發光二極管(micro?light?emitting?diode，簡稱：micro?led)作為自發光像素。顯示面板通過巨量轉移技術將數百萬顆micro?led芯片高密度集成到驅動基板上，實現每...

本發明涉及光電探測，具體涉及硅基柔性半透明短波紅外光電探測器及其制備方法與應用。、硅基光電探測器因與成熟的互補金屬氧化物半導體（cmos）制造工藝兼容、可室溫工作且生產成本低，在通信、傳感、工業檢測及醫療等領域已實現廣泛應用，而隨著光電器件向柔性化、透明化與集成化演進，面向可穿戴場景的近紅...

本文所述的實施方案整體涉及磁存儲裝置。、已經提出了一種磁存儲裝置，其中多個磁阻效應元素集成在半導體襯底上。技術實現思路、實施方案提供了一種包括具有有利特性的磁阻效應元素的磁存儲裝置。、通常，根據第一實施方案，一種磁存儲裝置包括：第一磁性層；第一含預定元素層，其包含氧(o)并包含選自鈧(sc...

本發明涉及電加熱產品，具體涉及一種發熱盤上組合式傳感器的安裝結構及發熱裝置。、電加熱設備，例如電熱爐、電壓力鍋、電飯煲、電燉鍋等，通過外部連接線與電源進行連接，利用外部供電來使發熱盤結構進行加熱，具有結構簡單、輕巧、潔凈無污染、自動化程度高等特點。發熱盤上通常設置有傳感器，可以實現鍋具鍋底...

本發明屬于太陽能電池材料，尤其涉及一種基于摻雜碳化錫背接觸層的碲化鎘薄膜太陽能電池及制備方法。、碲化鎘薄膜太陽能電池作為一種高效的光伏技術，因其高轉換效率、低制造成本以及良好的溫度系數而受到廣泛關注。這種電池的核心在于其獨特的五層結構，包括玻璃襯底、透明導電氧化物薄膜層(tco層)、cds...

本揭露是有關于一種用于冷卻服務器的冷卻柜。、為了冷卻高發熱的電子裝置，往往須使用水冷式冷卻柜方能達到降溫目的。冷卻柜包含幫浦及許多管路，幫浦配置于此些管路之間，導致維修上的困難。技術實現思路、根據本揭露的一實施例，提出一種冷卻柜。冷卻柜包括一機架模塊、一冷卻模塊及一幫浦模塊。機架模塊包括一...

本發明涉及半導體領域，特別涉及一種sram單元及其制造方法、互補場效應晶體管及其制造方法、靜態隨機存取存儲器。、隨著半導體技術的發展，集成電路的特征尺寸持續微縮，傳統三柵或雙柵的鰭式場效應晶體管(fin?field-effect?transistor，finfet)在納米(nm)以下節點受...

本公開的實施方式涉及半導體裝置的制造方法。、在形成含有多種元素(例如種以上金屬元素)的膜時，如何形成該膜成為問題。例如，使用怎樣的原料形成該膜成為問題。技術實現思路、根據一實施方式，半導體裝置的制造方法包括：準備第一液體，所述第一液體含有第一元素和規定元素，所述第一元素是金屬元素或者硅，所...

本發明的實施方式涉及半導體裝置。、作為半導體裝置，例如已知igbt等雙極型元件。與單極型元件相比較，雙極型元件在導通狀態(on狀態)下，能夠提高基底層的載流子濃度。由此，在導通狀態下，容易減小基底層的電阻，因此容易減少導通損耗。但是，雙極型元件在截止時，需要將在基底層中累積的載流子排出的時...

本發明涉及一種半導體結構的制造方法，且特別是涉及一種使用化學機械研磨制作工藝的半導體結構的制造方法。、在具有不同高度的多個結構上形成材料層之后，材料層會具有不平坦的上表面。因此，常通過化學機械研磨制作工藝對材料層進行平坦化。然而，在對材料層進行化學機械研磨制作工藝之后，由于研磨附載效應(l...

本申請涉及顯示，具體而言，涉及一種顯示面板、顯示面板的制備方法及電子設備。、有機發光二極管(organic?light?emitting?diode，oled)以及基于發光二極管(light?emitting?diode，led)等技術的平面顯示裝置因具有高畫質、省電、機身薄及應用范圍廣等...

本申請涉及一種探測器，特別地涉及一種探測器及其制備方法。、光電探測器是光通信領域中的重要組成部分。下面鍺硅橫向探測器為例進行說明。圖所示為目前常用的探測器結構的立體示意圖，圖所示為圖中探測器結構的截面圖。如圖所示，一部分鍺嵌入硅中，一部分鍺突出硅并與其周圍的二氧化硅接觸，因此存在鍺/二氧化...

本申請涉及攝像，尤其涉及一種電路板、圖像傳感器的封裝結構、攝像模組及電子設備。、近年來，隨著電子技術的進步和移動通信的快速發展，手機、平板電腦、筆記本電腦等電子設備已經成為了人們生活中不可或缺的一部分，其中，攝像模組是電子設備中必不可少的功能模組。、在攝像模組中，通常采用圖像傳感器將光信號...

本申請涉及編碼領域，并且更具體地，涉及一種基于ldpc碼的通信方法和通信裝置。、在信道編碼領域，低密度奇偶校驗(low-density?parity?check,ldpc)碼是應用最為成熟和廣泛的信道編碼方案之一。準循環低密度奇偶校驗(quasi-cyclic?lowdensity?par...

本公開涉及半導體，包括但不限于一種半導體結構及其制造方法、存儲器和存儲器系統。、隨著半導體技術的快速發展，對半導體器件的性能要求和占用面積縮減要求也越來越高。目前，半導體器件尚不能滿足使用需求，亟需進行改進。技術實現思路、有鑒于此，本公開實施例提供一種半導體結構及其制造方法、存儲器和存儲器...

本發明屬于熱電能源轉換材料領域，具體涉及一種金屬硫族化合物柔性熱電膜的制備方法。、隨著物聯網時代的到來，越來越多研究者投入對可穿戴電子設備的研究當中。柔性熱電材料可以將人體皮膚和外界環境之間的溫差轉化為電能，是實現可穿戴電子設備自供電的有效途徑之一。近年來，柔性熱電材料獲得了廣泛關注。柔性...

本發明涉及電信設備，并且更具體地涉及用于電信機柜的門和相關的電信機柜。、用于容納電子設備和電信設備的設備外殼的用途和構造是眾所周知的。例如，如圖a至圖c所示，外殼（或電信機柜）通常是具有側壁、后壁、底板和頂板的矩形盒。這些外殼通常構造成具有至少一個密封的防風雨隔室，設備容納在該至少一個密封...