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本申請涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，具體涉及一種晶圓清洗方法以及另一種晶圓清洗方法。、在半導(dǎo)體器件的制造過程中，晶圓表面需要經(jīng)過全面清洗處理，因?yàn)榧幢闶菢O微量的污染，也可能引發(fā)器件性能劣化甚至失效。、清洗的目的是清除附著于晶圓表面的各種雜質(zhì)。這些雜質(zhì)形式多樣，既可能以單個原子或離子狀態(tài)存在，也可能以...

本申請涉及濾波器，特別是涉及一種應(yīng)用lc反饋技術(shù)的可重構(gòu)濾波器設(shè)計(jì)方法。、在雷達(dá)、衛(wèi)星通信、移動通信以及電子對抗等射頻/微波系統(tǒng)中，濾波器用于限定工作頻段、抑制帶外干擾和噪聲、提高接收機(jī)的靈敏度和系統(tǒng)的抗干擾能力。隨著多頻段、多制式以及寬帶化的發(fā)展，同一套硬件平臺往往需要在不同頻段和不同帶...

本申請涉及半導(dǎo)體，特別是涉及一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制備方法。、傳統(tǒng)的平面功率金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管的導(dǎo)通電阻與擊穿電壓之間存在大約.次方的關(guān)系（rds(on)∝bv.），要想提高器件的耐壓能力，就需要大幅增加導(dǎo)通電阻，但是這會導(dǎo)致導(dǎo)通損耗急劇上升，限制了器件性能的提升。、溝槽型碳化硅...

本發(fā)明涉及的是一種倍頻器領(lǐng)域的技術(shù)，具體是一種變壓器嵌入式二次諧波反饋倍頻器。、現(xiàn)有雙推式倍頻器結(jié)構(gòu)中，晶體管的柵–漏電容會在工作過程中引入負(fù)反饋效應(yīng)，導(dǎo)致輸入信號的有效跨導(dǎo)減小，從而限制了二次諧波電流的幅度并降低輸出功率。該負(fù)反饋不僅造成倍頻器的轉(zhuǎn)換增益顯著下降，還會使電路對偏置與負(fù)載阻...

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體封裝，尤其涉及一種基于晶圓級封裝的電源與計(jì)算芯粒合封結(jié)構(gòu)及方法。、隨著集成電路工藝制程不斷逼近物理極限，摩爾定律逐漸放緩，單一芯片集成所有功能面臨三大核心挑戰(zhàn)：一是成本高，先進(jìn)制程下單一芯片的研發(fā)與制造成本呈現(xiàn)指數(shù)級增長；二是良率低，芯片面積越大，制造過程中出現(xiàn)缺陷的概率越...

本發(fā)明屬于鈣鈦礦太陽能電池的設(shè)計(jì)與制備，具體涉及一種通過調(diào)控晶格應(yīng)變抑制離子遷移提高寬禁帶鈣鈦礦太陽能電池穩(wěn)定性的方法。、在當(dāng)下科技飛速發(fā)展的大環(huán)境中，人類對能源尤其是電能的使用越來越多，而電能主要來自于以煤炭為基礎(chǔ)的火力發(fā)電，由此造成的環(huán)境問題日趨嚴(yán)重，尋找清潔能源是解決這一環(huán)境問題的必...

本發(fā)明屬于強(qiáng)化換熱，特別涉及一種歧管-微通道式散熱元件、復(fù)合散熱結(jié)構(gòu)及散熱冷板。、功率芯片作為現(xiàn)代電子設(shè)備的核心組件，其在通信、電力電子、汽車工業(yè)以及航空航天等眾多領(lǐng)域均發(fā)揮著不可替代的驅(qū)動作用；隨著功率芯片技術(shù)的不斷突破，其熱流密度呈現(xiàn)指數(shù)級增長態(tài)勢，并已突破了kw/cm的數(shù)量級；在功率...

本申請涉及數(shù)據(jù)處理、基礎(chǔ)設(shè)施和信息技術(shù)it支撐，尤其涉及一種冷源系統(tǒng)的參數(shù)尋優(yōu)方法及其裝置。、相關(guān)技術(shù)中，數(shù)據(jù)中心空調(diào)冷源系統(tǒng)的高效運(yùn)行對能耗控制和穩(wěn)定性至關(guān)重要。采用仿真軟件或機(jī)器學(xué)習(xí)方法對空調(diào)冷源系統(tǒng)建模，執(zhí)行冷源系統(tǒng)參數(shù)尋優(yōu)時，設(shè)備模型容易與實(shí)際運(yùn)行數(shù)據(jù)脫節(jié)，出現(xiàn)多設(shè)備耦合關(guān)系難以精...

本發(fā)明涉及模擬集成電路校準(zhǔn)，尤其涉及一種有源連續(xù)時間線性均衡器rc校準(zhǔn)電路及方法。、在高速信號傳輸中，高頻分量的衰減遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于低頻分量的衰減，導(dǎo)致信號質(zhì)量變差，觀察到的眼圖幾乎閉合，帶來了嚴(yán)重的信號完整性問題，如果接收端不做任何處理，那么接收端收到的信號將全是誤碼，這就需要在接收端增加連續(xù)時...

本發(fā)明涉及一種銅絲焊線保護(hù)方法，屬于半導(dǎo)體封裝。、邦定（bonding）是芯片封裝工藝中的核心打線技術(shù)，通過金、銀等導(dǎo)線將芯片內(nèi)部電路與封裝管腳、線路板連接，利用超聲波振動使金屬表面摩擦結(jié)合形成機(jī)械鍵合連接。為了減少貴金屬的使用，進(jìn)一步降低器件的制造成本，在mos管、igbt等半導(dǎo)體器件封...

本公開的實(shí)施例涉及半導(dǎo)體器件及其形成方法。、半導(dǎo)體器件用于各種電子應(yīng)用，諸如個人計(jì)算機(jī)、手機(jī)、數(shù)碼相機(jī)和其他電子設(shè)備。通常通過在半導(dǎo)體襯底上方順序沉積絕緣或介電層、導(dǎo)電層和半導(dǎo)體層，以及使用光刻圖案化各個材料層以在材料層上形成電路組件和元件來制造半導(dǎo)體器件。、半導(dǎo)體工業(yè)通過不斷減小最小部件...

本發(fā)明涉及光模塊貼裝，具體涉及一種光模塊夾頭定位組件、貼裝系統(tǒng)、設(shè)備以及貼裝方法。、在高速光模塊的平面多通道器件封裝工藝中，需要在模塊基板上進(jìn)行光纖陣列（fiber?array，fa）的貼裝和點(diǎn)膠操作。、由于待貼裝的fa物料的尺寸較小，而現(xiàn)有的夾具無法進(jìn)行精準(zhǔn)調(diào)節(jié)，需要依靠人工使用工具（例...

本發(fā)明涉及碳化硅，尤其涉及了一種通過藍(lán)膜及激光技術(shù)制造碳化硅器件的方法。、在當(dāng)前集成電路及微納器件制造中，主流金屬電極制作技術(shù)（如基于刻蝕的圖形化工藝或傳統(tǒng)?lift-off?工藝）均需依賴光刻-顯影-刻蝕/剝離的核心流程鏈，其工藝復(fù)雜性與成本高昂的問題在高精度、大規(guī)模量產(chǎn)場景中尤為突出。...

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體封裝，尤其是一種適用于功率芯片生產(chǎn)的半導(dǎo)體封裝裝置。、半導(dǎo)體封裝是將通過測試的晶圓加工為獨(dú)立芯片的工藝過程，包含劃片、裝片、鍵合、塑封、切筋成型及成品測試等核心工序，封裝過程中需將晶片貼裝至引線框架，通過金屬導(dǎo)線或?qū)щ姌渲B接晶片焊盤與基板引腳，并進(jìn)行外殼封裝保護(hù)，該技術(shù)下...

本公開的實(shí)施例涉及半導(dǎo)體器件、半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制造方法。、半導(dǎo)體集成電路(ic)工業(yè)已經(jīng)經(jīng)歷了指數(shù)級增長。ic材料和設(shè)計(jì)中的技術(shù)進(jìn)步已經(jīng)產(chǎn)生了多代ic，其中每一代都具有比上一代更小和更復(fù)雜的電路。在ic演進(jìn)過程中，功能密度(即每芯片面積的互連器件的數(shù)量)通常增加，而幾何尺寸(即使用制造工藝可...

本申請實(shí)施例涉及半導(dǎo)體制造，尤其涉及一種晶圓后處理裝置、拋光設(shè)備和拋光方法。、在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，化學(xué)機(jī)械拋光（chemical?mechanical?polishing，簡稱cmp）是實(shí)現(xiàn)晶圓全局平坦化的關(guān)鍵工藝。隨著集成電路技術(shù)節(jié)點(diǎn)不斷縮小至納米級別，對cmp后晶圓表面質(zhì)量的要求日益嚴(yán)苛...

本發(fā)明涉及新能源電驅(qū)，具體涉及一種用于旋轉(zhuǎn)變壓器軟解碼的方法。、在新能源汽車電驅(qū)系統(tǒng)中，永磁同步電機(jī)的高性能控制依賴于對轉(zhuǎn)子位置和轉(zhuǎn)速的精確、實(shí)時檢測；旋轉(zhuǎn)變壓器（旋轉(zhuǎn)變壓器）作為一種堅(jiān)固可靠的電磁式位置傳感器，在此領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用；旋轉(zhuǎn)變壓器需要配合專用的解碼單元將其輸出的模擬正余弦信...

本發(fā)明涉及電子元器件封裝，特別是涉及一種預(yù)置蓋板及其制備方法和應(yīng)用。、電子元器件特別是高可靠電子元器件組裝、調(diào)試合格后，一般都需要進(jìn)行封蓋處理，并且封蓋后殼體漏氣率需滿足gjba-氣密性指標(biāo)要求[即滿足gjbc-(中.測試方法)，在a條件下，a，r≤×-pa·cm-/s(he)]，這樣可以...

本發(fā)明屬于電子電路，涉及一種led燈串控制技術(shù)，特別是采用通訊協(xié)議方式控制led燈串上亮滅的控制電路及其控制方法。、在?led?燈串技術(shù)發(fā)展的早期，由于技術(shù)和成本等多方面因素的限制，人們主要采用分組控制亮滅的方式。這種方式下，將一串?led?燈珠按照一定數(shù)量為一組進(jìn)行劃分，例如可能每??顆...

本申請涉及半導(dǎo)體測試，特別是涉及一種測試裝置以及測試方法。、晶圓減薄技術(shù)作為半導(dǎo)體制造中的關(guān)鍵工藝，其通過相關(guān)設(shè)備將晶圓的厚度從原始的μm降至μm甚至更低。根據(jù)目前超薄化趨勢，減薄目標(biāo)厚度持續(xù)降低，從當(dāng)前主流的μm向小于μm發(fā)展。減薄后的晶圓器件導(dǎo)通電阻更低，芯片熱阻減小，提高器件散熱能力...