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本發明涉及半導體先進封裝制造，具體為一種集成視覺定位與數據比對的雙重校驗防錯方法及系統。、在半導體先進封裝工藝的晶圓鍵合工序中，鍵合站點作業完成出站前需要檢驗，傳統校驗方式存在以下技術瓶頸，嚴重制約了先進封裝廠鍵合工序的生產效率與質量穩定性：、目前，傳統的校驗方式通常采用人工肉眼核對或固定...

本發明涉及芯片封裝，特別是一種基于接觸熱阻優化的氮化鎵芯片散熱封裝方法。、氮化鎵功率器件憑借高擊穿場強和高開關頻率，已廣泛用于高功率密度電源和車載電子，其封裝結構由單側散熱發展為以dbc陶瓷基板配合金屬上蓋的上下雙側散熱方案。工程中常采用焊料、燒結銀或導電膠實現芯片與下dbc銅層的電熱互連...

本申請涉及柔性電子產品，尤其涉及一種可彎曲電子結構及電子器件。、可彎曲電子結構主要包括?柔性顯示器?和?柔性儲能器件?兩大類，廣泛應用于智能手機、可穿戴設備、車載電子等領域。通過將電子元件進行了輕薄化設計，以滿足可彎曲電子結構的彎曲性能要求。、目前，可彎曲電子結構一般采用高集成度封裝形式，...

本發明涉及車載芯片制造，具體為基于蝕刻技術的車規芯片一體化封裝制造工藝。、車載芯片作為汽車電子系統的核心部件，其性能、可靠性和集成度直接影響車輛的安全性、智能化和能效水平，隨著汽車電動化、智能化和網聯化的快速發展，車載芯片的需求呈現以下趨勢：高集成度：需將傳感器、處理器、功率器件等異構元件...

本發明涉及跳頻通信，具體涉及一種具備溫度補償的電調諧跳頻濾波器、跳頻通信系統及通信設備。、跳頻濾波器是跳頻通信系統的關鍵部件，其核心功能是在極短時間內精準跟蹤通信系統的載波頻率跳變，僅允許當前跳頻信道的有用信號通過，同時對其他頻率的干擾信號（包括窄帶干擾、同頻干擾等）形成強效抑制，是保障跳...

本發明涉及數字信號處理，尤其涉及一種自適應的任意重采樣方法及裝置。、在數字信號處理領域中，信號速率變換是常見的處理手段，分為整數倍內插/抽取和任意速率變換，重采樣的要求是在實現速率變換的同時盡可能地保留原始信號的時域和頻域特性。目前，任意重采樣技術主要由基于多項式插值、基于fft重采樣、基...

本發明屬于半導體集成電路制造，涉及一種封裝結構及其制備方法。、目前實現高密度互連的先進封裝方案多依賴硅中介層、嵌入式互連橋等結構實現芯片與基板間的電氣連接，如臺積電cowos、intel?emib和三星i-cube等技術，盡管以上技術可實現良好的.d/d集成效果，但仍存在明顯局限：其一，硅...

本發明涉及電力系統，尤其涉及一種自適應鎖相方法、裝置、設備及存儲介質。、傳統電力系統以同步發電機為主體，其阻抗特性簡單且運行穩定。近年來，隨著風力發電、光伏發電等新能源技術的快速發展，大量電力電子變流器接入電網，形成具有“雙高”特征的新型電力系統，其阻抗特性也隨之發生變化。相比于基于理論推...

本發明涉及一種軟x射線的色散補償和分離裝置，具體涉及一種軟x射線水窗波段阿秒脈沖的色散補償和分離方法及裝置。、阿秒（-s）脈沖誕生于世紀初，是人類目前掌握的最快的脈沖，在近年的時間里推動了阿秒科學研究不斷取得顯著的進展和突破，為物理、化學、生物、材料、信息等領域的發展提供了全新研究手段和重...

本發明涉及晶硅太陽能電池制造，尤其涉及一種背接觸太陽能電池燒結與光注入一體化處理方法。、背接觸太陽能電池由于其正面無柵線遮擋、效率高等優點，已成為高性能晶硅電池的重要發展方向。在背接觸電池的制造過程中，通常采用絲網印刷金屬漿料并結合燒結工藝來形成背電極。隨后進行光注入處理，利用高溫和光照來...

本申請涉及光電耦合器制造，具體涉及一種光電耦合器制造方法及光電耦合器。、光電耦合器(photo?coupler)也稱之為光耦合器或光電隔離器，簡稱光耦，是以光為媒介來進行電信號傳輸的器件，其結構主要由發射端和接收端兩個部分構成。發射端具有發光器件，接收端具有接收器件，電子信號在發射端由發光...

本發明屬于智能驅動、傳感，具體涉及p(vdf-trfe)基同源共聚物高感驅一體器件，還涉及p(vdf-trfe)基同源共聚物高感驅一體器件的制備方法。、近年來，軟體機器人憑借能夠適應各種非結構化環境，與人類交互更安全的優勢，在醫療康復、工業制造和服務機器人等領域展現出廣闊的應用前景。目前，...

本發明涉及芯片脫膜的，具體地說是一種芯片脫膜輔助結構、裝置及加工方法。、隨著近代半導體領域的蓬勃發展，芯片不論是在集成電路、光通訊、激光器等領域都得到廣泛運用。在芯片生產過程中，從制備好的晶圓上經過切割解理后的芯片需要進行分撿，一般使用自動化設備作業將切割解理后的芯片從粘性膠膜上剝離。、自...

本發明涉及半導體生產設備，具體涉及一種用于半導體封裝的干冰清洗裝置。、半導體封裝是指將芯片通過焊接的方式固定在載板上，焊接的方式為點焊加回流焊，焊接材料一般為錫、銦、銅等，隨著工藝的改進，芯片與載板的間隙只有μm左右，焊接完成后，需要對整個半導體封裝進行清洗，以去除雜質。目前采用的清洗方法...

本發明屬于毫米波集成電路，具體涉及一種基于模式切換技術的w波段低相噪寬帶壓控振蕩器。、隨著第五代(g)及未來第六代(g)移動通信、毫米波雷達、高速衛星通信以及物聯網等先進無線系統的快速發展，對核心頻率源——壓控振蕩器(vco)的性能要求日益嚴苛。現代系統不僅要求vco具備低相位噪聲以保障信...

本發明涉及半導體制造，尤其涉及一種晶圓物料盒和晶圓物料盒支撐架。、在先進的半導體制造工藝中，尤其是涉及易氧化材料的制造，晶圓必須在運輸和存儲階段被置于高純度惰性氣體形成的保護環境中。晶圓物料盒是實現這一要求的關鍵載體，當前普遍采用的晶圓物料盒采用前置式整體密封門結構。其工作方式為：當需要存...

本申請涉及半導體檢測，具體涉及一種晶圓檢測控制方法、晶圓檢測系統和存儲介質。、隨著半導體工藝節點持續向更小的納米級別演進，晶圓表面的缺陷尺寸不斷縮小，對微觀三維形貌的控制要求也日益苛刻。面對更高的芯片產品的良率和性能要求，需要多種檢測與量測技術協同工作，對晶圓表面的二維缺陷和三維形貌參數進...

本發明涉及光伏生產，特別是涉及一種光伏電池串排匯機。、在光伏硅晶組件生產中，將若干電池串按列排列使之形成矩形片狀，從而生產出面積較大的太陽能板。、晶體太陽能電池加工過程中，通常需要將匯流條和電池串進行對位后再進行焊接。現有技術中對匯流條和電池串的焊接通常是通過多臺設備分工序進行完成，由于設...

本發明涉及半導體領域，尤其涉及一種用于超薄被測平片雙面同步測量的豎直夾持裝置及雙面干涉儀。、隨著技術發展，集成電路向高速、高集成化演進，大尺寸硅片應用愈發廣泛。隨著芯片工藝制程的不斷升級，對硅片的質量、精度要求也與日俱增。而硅片翹曲變形就是評價加工質量的重要指標，過大翹曲會增加碎片率，影響...

本申請涉及半導體芯片制造領域，尤其涉及一種芯片及其制備方法、電子設備。、在摩爾定律不斷深化的當下，晶圓背部三維集成技術在提高系統算力與集成度，提升算力系統功能豐富度方面具有很大潛力，是集成電路系統集成的重要方向。、相關技術中，在晶圓背面僅實現供電網絡，電壓轉換模塊則設置于芯片封裝級別或系統...