日韩中文字幕久久久97都市激情,久久91网,亚洲天堂最新,国产精品嫩草影院九色,亚洲午夜精品一本二本,精品少妇一区二区三区蜜桃,av一道本

本發(fā)明涉及數(shù)據(jù)中心制冷，尤其涉及一種集成表冷器的冷量分配單元及分配方法。、目前，數(shù)據(jù)中心用于散熱的設(shè)備主要包括冷量分配單元（cdu）以及列間空調(diào)，冷量分配單元可將一次側(cè)集中冷源的冷量通過換熱傳遞給流經(jīng)機(jī)柜的冷卻液將冷量分配至機(jī)柜，以采用液冷的方式給機(jī)柜降溫散熱。其中，該列間空調(diào)是專門針對(duì)高...

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體加工，具體地說是一種基于研磨暴露線弧的芯片三維互連封裝方法。、隨著半導(dǎo)體封裝向三維集成發(fā)展，垂直互連技術(shù)面臨嚴(yán)峻挑戰(zhàn)?，F(xiàn)有垂直互連技術(shù)存在多重挑戰(zhàn)：垂直金屬引線在塑封過程中易受沖擊而變形偏移，影響良率和可靠性；硅通孔tsv技術(shù)成本高昂、工藝復(fù)雜；現(xiàn)有高性能垂直互連技術(shù)普遍存...

本發(fā)明涉及鈣鈦礦太陽電池，尤其涉及一種基于co-sam分子界面修飾的反式寬帶隙鈣鈦礦太陽電池及其制備方法。、反式寬帶隙鈣鈦礦太陽電池憑借廣闊的應(yīng)用前景，已然成為當(dāng)前研究領(lǐng)域的焦點(diǎn)。基于自組裝單分子層（sam）為空穴傳輸層（htl）的鈣鈦礦太陽電池展現(xiàn)出優(yōu)異的性能。然而，基于sam材料（例如...

本申請(qǐng)涉及芯片，尤其涉及一種電學(xué)監(jiān)測(cè)外延層厚度的方法及半導(dǎo)體測(cè)試結(jié)構(gòu)。、在高壓半導(dǎo)體器件的制造中，為實(shí)現(xiàn)器件與襯底之間的有效隔離，通常需要在硅襯底中形成位置較深的n型埋層（nbl，n-type?buried?layer）。由于高能離子注入機(jī)難以將重?fù)诫s元素注入至所需深度，相關(guān)技術(shù)普遍采用先...

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體夾具，具體涉及一種基于cvd的碳化硅靜電卡盤及其制備方法。、靜電卡盤是半導(dǎo)體工藝中的夾持工具，是以靜電吸附為基本原理，在施加外部高壓后，通過靜電吸盤對(duì)硅片的庫侖吸附力或j-r吸附力來固定硅片的，廣泛應(yīng)用于離子注入、干刻、化學(xué)氣相沉積和物理氣相沉積等工藝。典型的靜電吸盤一般由...

本申請(qǐng)涉及半導(dǎo)體制造，特別是涉及一種橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體器件及其制備方法。、在bcd（bipolar-cmos-dmos）工藝中，對(duì)稱型ldmos（laterally?double-diffusedmos橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體）因源漏端口可互換、雙向耐高壓的特性，成為高壓應(yīng)用場(chǎng)景的...

本發(fā)明涉及太陽能光伏，尤其涉及基于靜電排斥技術(shù)的圖形化方法。、為提高光伏發(fā)電的比例，降本和提效是光伏制造的兩大主線，目前晶體硅太陽能電池依然占據(jù)光伏電池的主要市場(chǎng)，而topcon技術(shù)由于其工藝路線與傳統(tǒng)perc電池產(chǎn)線極高的兼容性以及其明顯的效率增益，成為目前最有潛力的新型高效電池技術(shù)之一...

本發(fā)明屬于薄膜沉積，具體地，涉及一種高精度磁控設(shè)備制備磁隧道結(jié)的方法。、伴隨著信息技術(shù)的快速發(fā)展，對(duì)信息存儲(chǔ)器件的性能要求也是越來越高。常用的存儲(chǔ)技術(shù)方法比如硬盤（hdd）以及閃存（flash）在存儲(chǔ)密度、讀寫速度和能耗等方面都有問題。相比之下，磁隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（mram）作為當(dāng)下新興的存...

本發(fā)明涉及芯片加工，尤其涉及鈣鈦礦量子點(diǎn)microled光互連芯片的封裝結(jié)構(gòu)。、光子芯片是一種基于光子學(xué)原理的集成電路芯片，通過將光子器件集成在芯片上，實(shí)現(xiàn)了光電子集成。光子芯片采用光波（電磁波）來作為信息傳輸或數(shù)據(jù)運(yùn)算的載體，一般依托于集成光學(xué)或硅基光電子學(xué)中介質(zhì)光波導(dǎo)來傳輸導(dǎo)模光信號(hào)，...

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件制造，特別涉及一種砷化鎵薄膜電池的襯底剝離與再生方法。、砷化鎵（gaas）電池是當(dāng)前轉(zhuǎn)換效率最高的太陽能電池，已廣泛應(yīng)用于空間衛(wèi)星電源等領(lǐng)域。然而，其邁向更廣闊的地面光伏市場(chǎng)，甚至低成本航天應(yīng)用的最大障礙，在于極其昂貴的gaas單晶襯底成本。為了突破這一瓶頸，業(yè)界發(fā)展的...

本發(fā)明屬于直流斷路器，特別是一種共射極的絕緣柵雙極型晶體管模塊。、隨著可再生能源發(fā)電、電動(dòng)汽車、直流輸配電網(wǎng)等領(lǐng)域的飛速發(fā)展，直流電力系統(tǒng)的應(yīng)用日益廣泛。在這些系統(tǒng)中，直流固態(tài)斷路器作為關(guān)鍵的保護(hù)器件，其性能直接關(guān)系到整個(gè)系統(tǒng)的安全、穩(wěn)定與可靠性。與交流斷路器不同，直流斷路器面臨無自然過零...

本申請(qǐng)屬于無線通信，尤其涉及一種功率放大器的駐波比保護(hù)電路以及方法。、在射頻通信系統(tǒng)中，功率放大器作為關(guān)鍵組件，其性能直接影響整個(gè)系統(tǒng)的運(yùn)行效果。功率放大器通常設(shè)置在信號(hào)傳輸?shù)闹麈溌飞?，?fù)責(zé)將輸入信號(hào)進(jìn)行放大以滿足輸出需求。然而，由于實(shí)際應(yīng)用場(chǎng)景的復(fù)雜性，功率放大器輸出端的駐波比情況并不理...

本發(fā)明屬于薄膜電阻封裝，具體是一種高頻埋入式電阻阻焊保護(hù)方法、設(shè)備及介質(zhì)。、近年來，因?yàn)殡娮璋宓牡图纳姼泻涂闺姶鸥蓴_可提升信號(hào)完整性，g基站、毫米波雷達(dá)及低軌衛(wèi)星通信對(duì)埋阻板需求激增，新能源汽車的電池管理系統(tǒng)（bms）和自動(dòng)駕駛傳感器依賴電阻板的高可靠性和耐高溫性能，也在逐步替代傳統(tǒng)貼片...

本發(fā)明miniled電路烘烤工藝優(yōu)化，尤其涉及一種miniled電路板精密烘烤工藝優(yōu)化方法及系統(tǒng)。、傳統(tǒng)烘箱多采用單一溫區(qū)控制，難以實(shí)現(xiàn)預(yù)熱、主烘、冷卻階段的獨(dú)立溫濕度調(diào)節(jié)，導(dǎo)致基板z軸溫差大，易引發(fā)熱應(yīng)力不均及爆板風(fēng)險(xiǎn)，同時(shí)濕度控制依賴固定參數(shù)，未結(jié)合基板厚度、存儲(chǔ)周期等調(diào)整，吸濕率難以...

本發(fā)明屬于晶圓，尤其涉及一種基于凸缺陷深度排序的多尺寸晶圓尋邊方法。、在晶圓加工、檢測(cè)等多個(gè)領(lǐng)域，由于晶圓轉(zhuǎn)運(yùn)過程中存在不確定的定位誤差，導(dǎo)致后續(xù)工藝一致性及精度降低，同時(shí)碰撞損壞風(fēng)險(xiǎn)升高，因此晶圓尋邊技術(shù)是不可或缺的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。、目前晶圓尋邊技術(shù)依賴于晶圓邊緣的特定特征，主要分為切邊型和切...

本發(fā)明涉及物聯(lián)網(wǎng)大數(shù)據(jù)通信，具體涉及一種基于gpu的物聯(lián)網(wǎng)浮點(diǎn)時(shí)間序列數(shù)據(jù)壓縮傳輸、解壓讀取方法。、近年來，物聯(lián)網(wǎng)（iot）技術(shù)取得了長足進(jìn)步，在典型的物聯(lián)網(wǎng)場(chǎng)景中，大量的浮點(diǎn)時(shí)間序列數(shù)據(jù)（簡稱時(shí)間序列）由各種傳感器以流式方式不斷生成，然后在有限帶寬下傳輸?shù)椒?wù)器，以供進(jìn)一步的實(shí)時(shí)分析處理...

本專利文件涉及半導(dǎo)體技術(shù)，并且更具體地，涉及包括貫通電極（throughelectrode）的半導(dǎo)體芯片。、電子產(chǎn)品要求越來越大量的數(shù)據(jù)處理，同時(shí)其尺寸卻越來越小。因此，還要求用于這種電子產(chǎn)品中的半導(dǎo)體芯片具有薄的厚度和小的尺寸。此外，已經(jīng)制造出其中嵌入了多個(gè)半導(dǎo)體芯片的半導(dǎo)體封裝。、多個(gè)...

本發(fā)明涉及無線電通信的，更具體地，涉及一種寬帶頻率源模塊。、隨著現(xiàn)代無線通信、電子對(duì)抗、儀器儀表及雷達(dá)系統(tǒng)的飛速發(fā)展，對(duì)作為核心部件的頻率源提出了越來越高的要求。理想的頻率源需要具備超寬頻帶覆蓋、高輸出功率、低相位噪聲、高頻率穩(wěn)定度以及小體積、輕重量等特點(diǎn)。、目前，實(shí)現(xiàn)寬帶頻率源的技術(shù)路線...

本發(fā)明涉及芯片，尤其涉及交織型模數(shù)轉(zhuǎn)換器的多相時(shí)鐘產(chǎn)生與修正方法及電路。、交織型模數(shù)轉(zhuǎn)換器（analog-to-digitalconverter，adc）通過多個(gè)子adc通道交替采樣，將采樣率提升數(shù)倍，是現(xiàn)代高速通信與數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)的核心部件。其性能高度依賴于驅(qū)動(dòng)各子通道的多個(gè)采樣時(shí)鐘（即多...

本申請(qǐng)涉及半導(dǎo)體，特別是涉及一種金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管。、碳化硅mosfet器件因其優(yōu)異的寬禁帶材料性能、高擊穿場(chǎng)強(qiáng)和高熱導(dǎo)率而得到了廣泛應(yīng)用。碳化硅mosfet器件的一個(gè)發(fā)展方向是溝槽型mosfet器件。溝槽型mosfet器件相較于平面型mosfet器件具有更短的開關(guān)時(shí)間和更低的導(dǎo)通電...