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本公開涉及顯示，尤其涉及一種顯示面板和顯示裝置。、隨著顯示技術的發展，用戶對顯示屏的屏占比的要求越來越高，目前，為實現全面屏，一般將光學器件所在的區域的屏幕切除，形成光學挖孔區，以安裝攝像頭、傳感器或聽筒等功能元件，以實現減小邊框，提高屏占比。、在相關技術中，挖孔區周邊的邊框結構主要包括隔...

本發明涉及流體，具體涉及用于腔體換熱強化的功率受限振蕩電極系統及控制方法。、緊湊型設備的微型化與高功率密度發展，使其日益日益面臨局部熱點和瞬態熱負荷的困擾。傳統解決方案（如穩態風扇、散熱片、微通道及靜態電極式熱電偶）存在顯著局限：一方面每瓦特的傳熱效率有限，且當熱點位置或負載強度變化時缺乏...

本申請涉及半導體制造，特別涉及終點檢測方法、裝置、系統、半導體制造設備及介質。、在半導體工藝制程的高精度刻蝕/沉積過程中，終點檢測的準確性直接決定了器件的關鍵尺寸控制效果和良品率。常用的目標終點的檢測技術主要基于兩大原理：光學發射光譜（optical?emission?spectromet...

本發明涉及電氣設備，特別是涉及一種sf/n混合氣體補氣設備。、sf/n混合氣體是高壓開關設備中常用的氣體絕緣介質，主要由六氟化硫（sf）與氮氣（n）按比例混合而成；sf具備優異的絕緣及滅弧性能，而n化學性質穩定、溫室效應低且成本可控，二者結合既保留了sf的核心絕緣能力，又通過稀釋降低了sf...

本發明涉及控制柜，尤其涉及一種制冷設備plc控制柜。、plc控制柜是指可編程控制柜，控制柜指成套的控制柜，可實現電機，開關的控制的電氣柜。plc控制柜具有過載、短路、缺相保護等保護功能。可以根據實際情況進行多臺或多套控制柜進行組合，以此實現單個控制柜的獨立自動控制，以及多臺或多套控制柜通過...

本發明涉及led器件，尤其涉及一種多波長led器件。、現有技術中的led封裝形式包括基于表面貼裝器件（surface?mounted?devices，smd）的led，即，基于smd封裝led，以及基于板上芯片封裝（chips?on?board，cob）的led，即，基于cob封裝led。...

本發明涉及半導體器件，具體為一種基于聚合物的干法電極轉移方法。、在二維半導體器件制備領域，電極與二維材料的高質量界面接觸是決定器件性能的核心環節；傳統蒸鍍工藝中高溫原子轟擊會破壞二維材料的原子級平整表面，而光刻工藝使用的有機光刻膠在高溫固化時易導致材料表面污染與晶格無序化。為解決上述問題，...

本發明屬于半導體器件，特別涉及一種陶瓷識別卡的封裝工藝及封裝設備。、識別卡是用于識別個體和儲存個體信息的介質。各種識別卡（例如，工作證、身份證、各種金融交易卡、會員卡、校園卡等）已在人們的生活中得以廣泛的應用。、非接觸式陶瓷識別卡需在卡片內嵌入感應線圈，而由于識別卡極薄，無法做中空嵌入設計...

本發明涉及半導體，尤其是用于半導體晶圓盒存儲的存儲裝置中的轉移設備的運行控制方法、系統、控制裝置及轉移設備。、在半導體加工中，會使用stocker（存儲器）來進行晶圓盒的存儲，而stocker中配置有轉移設備來實現晶圓的搬運。、現有的轉移設備的行走機構通常會采用下側齒輪與齒條配合，上側從動...

本發明屬于半導體制造，尤其涉及用于快速熱處理工藝的濾波方法、設備、介質及濾波器。、快速熱處理（rapid?thermal?processing，簡稱rtp）是一種先進的單片式晶圓熱處理工藝，相對于傳統的批量式熱處理工藝，rtp更適用于集成電路特征尺寸的小型化，是先進半導體制造不可少的一項工...

本發明涉及半導體設備管理領域領域，尤其是涉及助焊劑平臺水平檢測領域，具體為一種裝貼片設備助焊劑平臺水平自動測量模組。、在半導體封裝領域，倒裝貼片設備是將切割完成的芯片，使用貼裝頭吸取分離后，粘貼到含有電路層基板上的設備；由于產品焊接時需要一定量的助焊劑膠水，助焊劑平臺的水平狀態直接影響產品...

本發明涉及半導體制造，特別是涉及一種多尺寸兼容帶傾斜角度的浸泡設備。、半導體晶圓濕法處理是通過化學藥液與晶圓表面發生反應實現加工的工藝，核心工具包括濕法清洗槽、噴淋裝置等。其涵蓋晶圓制造的全流程，前端用于去除光刻膠殘留、金屬雜質及顆粒污染物，保障光刻、蝕刻等關鍵工序的精度；中端可實現選擇性...

本發明涉及半導體器件制造，尤其涉及一體化激光發射端和接收端腔體模壓封裝系統。、半導體光電器件作為消費電子、智能終端的核心組件，其封裝技術直接影響產品的尺寸、性能與應用范圍。傳統技術中，激光發射端與接收端采用分離式封裝模式，發射端常封裝為球狀、貼片式等形態，接收端則采用dfn、qfn等封裝形...

本發明涉及顯示，尤其涉及一種陽極結構的制備方法、硅基oled器件及顯示面板。、硅基oled作為當前微顯示領域最具潛力的技術路線，憑借在cmos基底上實現單像素電流驅動的結構優勢，具備高亮度、高對比度、高分辨率和快速響應等特性，被廣泛認為是ar/vr頭顯、智能可穿戴及微投影設備的核心顯示方案...

本發明涉及光感產品，具體涉及一種芯片側面防漏光的光感產品的封裝結構及其封裝方法。、隨著科技的不斷發展，光感產品在消費電子、智能家居、工業控制等領域的應用日益廣泛。光感產品通常包括光敏元件、信號處理電路等，其核心功能是將光信號轉換為電信號，實現光電轉換。在光感產品的設計和制造過程中，封裝結構...

本發明涉及半導體，尤其涉及一種gan基藍綠光led外延結構及其制備方法、gan基藍綠光led。、發光二極管（led）是一種基于半導體pn結的發光器件，在pn結上施加正向偏壓，電子與空穴發生復合，并以光子的形式釋放能量，從而發光。led因其具有能耗低、壽命長、體積小、響應快、環保等優點，已廣...

本發明涉及半導體器件領域，特別是涉及一種igbt器件。本發明還涉及一種igbt器件的制造方法。、現有傳統的絕緣柵雙極型晶體管（igbt）設計始終致力于確保其導通壓降（vce(on)）呈現穩定的正溫度系數，以實現電流的均勻分布和熱穩定性。然而，在諸如并聯均流、高頻開關等特定應用場景中，過強的...

本發明涉及均勻高效微波加熱或者干燥領域，具體涉及一種微波饋入裝置。、微波加熱可以代替各種傳統加熱方式。微波設備利用微波能處理各種材料，包括但不限于木材、糧食、藥材、調料、乳制品等。在微波化學領域，微波能量被用于加快各種化學反應。微波能還被用于納米材料、人造金剛石等各種新材料的生產。、隧道爐...

本發明涉及制作方法c電池，尤其涉及一種bc電池及其制作方法。、在相關技術中，制作方法c電池雖然將pn結和電極全部集成在背面，避免了正面金屬遮擋、有利于提升光吸收，但其背面電極結構設計不合理的問題長期存在。特別是細柵的截面積通常采用均一設計，沒有考慮不同位置電流傳輸距離的差異，導致電池整體的...

本發明涉及半導體薄膜材料，尤其涉及一種氮化鋅錫同質結的制備方法。、氮化鋅錫(znsnn)薄膜作為一種新興的三元半導體材料，由地殼中極為豐富的鋅(zn)、錫(sn)、氮(n)元素構成，因具有無毒性、元素豐度大、制備成本低、高光學吸收系數和帶隙可調節等諸多優點，可以滿足薄膜太陽能電池需求的優勢...