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本申請涉及控制，尤其涉及一種智駕域控制器散熱控制方法及相關設備。、隨著智能駕駛等級（l~l）的提升，域控制器的計算能力呈指數級增長，其功耗和發熱量（體現在溫度上）也隨之急劇增加，高溫會導致處理器降頻運行（性能降級），甚至會引發安全隱患，因此，需要對域控制器進行散熱控制。、傳統的散熱控制方法...

本申請涉及光伏，特別是涉及一種電池串組、電池串組的制備方法及光伏組件。、隨著光伏的應用及發展，降本增效一直是不變的主題。多分片組件，即將整片電池切為多個小片，如分片，分片，分片等小片，然后將進行并聯，一般的并聯方式均為n切n并，如兩分片為兩并設計，分片為并設計。目前分切電池組件設計，具有電...

本發明涉及開啟裝置，尤其是涉及一種用于供氣設備氣動閥的開啟裝置。、相關技術中，在半導體芯片制造流程中，當半導體設備的供氣設備氣動閥發生故障時，現有使供氣設備氣動閥開啟的方式耗時長、效率低，容易使半導體設備停機，容易造成生產材料浪費。技術實現思路、本發明旨在至少解決現有技術中存在的技術問題之...

本發明涉及磁絕緣振蕩器及電磁波產生方法，具體涉及一種永磁包裝平面磁絕緣振蕩器及電磁波產生方法。、磁絕緣線振蕩器是一種可產生gw量級高功率微波的同軸正交場器件，本質上是一個線性的磁控管，但它不需要外加磁場，結構更為緊湊。在磁絕緣線振蕩器中，電子從同軸線陰極端面發射，形成的電流產生了一個足夠強...

本發明涉及燈具封裝領域，具體為一種抗硫化led封裝工藝。、led器件在長期使用過程中，易受環境中硫化物（如hs、so）的侵蝕，導致以下問題：硫化腐蝕機制：硫分子（s、s等）通過擴散穿透封裝材料，與led芯片表面的金屬電極（如ag、cu）或熒光粉中的稀土元素反應，生成硫化物（如ags、cus...

本申請主張于年月日向韓國專利局提交的韓國專利申請第--號的優先權，其全部內容包含在本說明書中。本說明書涉及有機發光器件。、在本說明書中，有機發光器件是利用有機半導體物質的發光器件，需要電極與有機半導體物質之間的空穴和/或電子的交流。有機發光器件根據工作原理可以大致分為如下兩種。第一種是利用...

本說明書涉及功率半導體器件的實施方式和制造功率半導體器件的方法的實施方式。功率半導體器件具有橫向配置并且被配置成傳導正向負載電流和反向負載電流兩者。本說明書還涉及單芯片半橋轉換器的實施方式和操作功率半導體器件的方法的實施方式。、現代設備在汽車、消費者和工業應用中的許多功能(例如轉換電能以及...

本公開整體涉及電子設備，并且更具體地涉及具有通信電路的電子設備。、電子設備常具備通信能力。具有通信能力的電子設備具有通信電路，該通信電路具有傳送信號的信號路徑。、確保信號以期望的信號電平沿著信號路徑傳送可能具有挑戰性。技術實現思路、電子設備可包括以一定波長傳送信號的信號路徑。該設備可包括設...

本說明書公開的技術涉及布線基板。、專利文獻公開了一種印刷布線板，其具有：多層芯基板；電子部件，其設置有從多層芯基板的第一面到第二面的開口，并收納在開口內；以及積層，其在多層芯基板上形成有包含層間樹脂絕緣層的積層。還公開了在多層芯基板的開口內，基板與部件的間隙填充有樹脂等。、專利文獻：日本特...

本揭露是關于一種半導體裝置及其制造方法。、由于電子元件(例如晶體管、二極管、電阻器、電容器等)的整合密度不斷提高，半導體產業經歷了快速成長。在大部分上，整合密度的提高來自最小特征尺寸的重復減小(例如，將半導體工藝節點縮小到nm以下節點)，這允許在給定區域中可以整合更多組件。隨著例如人工智能...

本公開的實施方式涉及半導體裝置及其制造方法。、在三維半導體存儲器中，字線等電極層內的電極材料層例如由mo(鉬)層形成。在該情況下，用什么樣的層來形成電極層內的勢壘金屬層(barrier?metal?layer)成為問題。技術實現思路、根據一個實施方式，半導體裝置具備包括在第方向上交替地設置...

本發明的實施方式涉及半導體裝置。、在半導體裝置中，在形成于基板的多個電極間，需要確保用于避免由漏電起痕引起的故障的爬電距離(在以下的說明中簡稱為“爬電距離”)。關于覆蓋基板的表面的阻焊劑，由相對漏電起痕指數大的材料構成的產品正大量流通。因此，基板的表面的電極間的爬電距離容易變短。與此相對，...

本申請涉及光電探測，尤其涉及一種光電器件及其制備方法、光電檢測裝置。、單光子雪崩二極管(spad,single?photon?avalanche?diode)是一種具有單光子探測能力的固態光電探測雪崩二極管，近年來備受關注。spad探測單光子的工作原理為：在spad上施加一個大于擊穿電壓的...

本發明涉及半導體，尤其涉及一種半導體結構及半導體結構的形成方法。、動態隨機存取存儲器(dynamic?random?access?memory，簡稱dram)是一種半導體存儲器，主要的作用原理是利用電容內存儲電荷的多寡來代表一個二進制比特(bit)是還是。、動態隨機存取存儲器(dram)的...

本發明涉及太陽能電池，特別涉及一種太陽能電池及其制備方法、空穴傳輸層、用電裝置和發電裝置。、太陽能電池是通過光電效應或者光化學效應直接把光能轉化成電能的裝置。、太陽能電池對光能的吸收影響其性能，光線在射入太陽能電池的過程中存在光損失的問題。技術實現思路、本發明的主要目的是提供一種太陽能電池...

本申請涉及顯示，特別是涉及一種驅動背板以及顯示面板。、現有技術中，micro?led(micro?light?emitting?diode?display，微發光二極管顯示器)顯示面板設有本位焊盤和冗余位焊盤，本位焊盤和冗余位焊盤相鄰設置且結構相同，在本位焊盤上的發光元件發生異常時，通常需...

本申請涉及電子器件，尤其涉及一種功率模組及功率變換器。、目前，功率模組已廣泛應用于工業和汽車逆變器中。隨著電動汽車動力總成功率的不斷提升，同時又受限于整車尺寸，提高功率模組的功率密度成為其發展趨勢。、功率模組若要實現更大的功率密度，即在同樣的外形尺寸限制下，通過多芯片并聯、增強封裝散熱能力...

本申請涉及半導體，特別涉及一種半導體封裝模塊及pfc電路模塊。、隨著電力電子設備的廣泛應用，使得電力系統出現諧波，給公用電網造成嚴重的污染。為了減輕電力污染的危害程度，通常在電力電子設備中設置pfc(power?factorcorrection，功率因數校正)電路，以提高交流電源的功率因數...

本申請涉及半導體，尤其涉及一種半導體器件、半導體器件的制作方法、集成電路及電子設備。、隨著先進工藝的發展，水平傳輸的晶體管，例如鰭式場效應晶體管(fin?field-effect?transistor，finfet)、全柵場效應晶體管(gate-all-aroundfield-effect...

本發明涉及半導體，尤其涉及一種半導體結構及半導體結構的形成方法。、對于eflash器件，其控制柵(control?gate，簡稱cg)電容值的參數對于器件性能至關重要，將直接影響到器件的讀/寫效率。電容值的大小取決于介電質膜層的選擇，選擇出合適的膜層就需要找到有效的容值表征測試方法。由于e...