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、半導體設備制造工藝可涉及材料沉積、圖案化和去除等許多步驟以在襯底上形成集成電路。可使用多種方法以從襯底選擇性地去除材料。作為示例，反應離子蝕刻(rie)使用化學反應等離子體以從襯底表面去除材料。作為另一示例，可使用原子層蝕刻(ale)以利用蝕刻循環逐層去除襯底材料。在ale循環中，使用改...

、半導體制造處理包括材料沉積、圖案化以及移除等各個步驟，以制造集成電路。在沉積處理中，一種或更多種處理化學物質流入處理室，與放置在處理室中的襯底反應并在襯底上形成膜。在干式蝕刻處理中，一種或更多種處理化學物質流入處理室，與處理室中襯底上的材料反應，且形成揮發性產物，從而從襯底上去除材料。、...

本公開涉及用于減少半導體處理腔室的排氣出口中的不希望的污染物和沉積物的改良部件及相關方法。、半導體基板經處理用于多種應用，包括整合設備和微型設備的制造。一種處理基板的方法包括在基板的上表面上沉積材料，諸如半導體材料或導電材料。例如，外延是一種沉積工藝，該沉積工藝在處理腔室中的基板的表面上沉...

本申請屬于射頻集成電路領域，具體涉及一種高動態線性度功率放大器。、功率放大器一般用于射頻收發機的輸出級，用于將射頻信號放大到一定功率后發經由天線發射出去。隨著通信系統的發展，射頻信號調制階數不斷提高以滿足提高通信系統信道容量的需求，更高的調制階數對功率放大器的線性度提出了更高的要求。功率放...

本發明涉及功率放大器，特別是涉及一種超寬帶高諧波抑制功率放大器。、功率放大器作為發射鏈路中承擔功率發射的部件，在雷達探測等領域要能在超寬帶模式下穩定工作。然而，由于器件非線性作用，寬帶功率放大器除放大基波信號外還會產生高次諧波（如二次諧波、三次諧波），產生功率效率較低和高次諧波抑制度差的問...

本發明涉及電磁屏蔽，特別是涉及電磁屏蔽材料及其制備方法和應用。、隨著現代電子技術的迅猛發展，各類電子設備在通信、醫療、航空航天等領域的應用日益廣泛，由此產生的電磁輻射和電磁污染問題也日趨嚴重。這種電磁干擾不僅會影響精密電子設備的正常運行，導致信號失真、設備故障等問題，還可能對人體健康造成潛...

本申請涉及光伏組件，具體涉及一種疊層電池及其制備方法和光伏組件。、光伏組件能夠將太陽能轉化為電能，具有無污染、無地域限制、取之不竭等優點，是開發新能源的主要方向。光伏組件中包括多個光伏電池片，疊層電池作為光伏電池片的一種，一般由寬帶隙的頂電池單元、復合層和窄帶隙的底電池三部分依次層疊而成。...

本發明涉及高速數據傳輸系統領域，特別是指一種輸出驅動電路。、輸出驅動電路是高速數據傳輸系統的重要模塊，用于將系統內部處理后的數字信號或模擬信號高效、完整地轉換為可通過信道（如pcb走線或光纖調制器）進行傳輸的物理信號。輸出驅動電路的性能直接決定了整個通信鏈路的帶寬和傳輸距離。、配合圖所示，...

本發明涉及粒子加速器，尤其涉及一種粒子加速器束流收集系統。、離子加速器是開展前沿科學研究和應用技術開發的重要大型裝置。以強流重離子加速器（high?intensity?heavy-ion?accelerator?facility,?hiaf）為代表的下一代加速器裝置，集成了離子超導直線加速...

本公開涉及一種電子零件搭載基板和電子設備。、以智能手機、可穿戴設備為代表的終端系的電子設備由于在各種各樣的環境下使用，因此為了即使在嚴酷的條件下亦不會產生誤動作，而要求高可靠性。進而，通過推進電子設備的小型化及薄型化，從而所使用的電子零件搭載基板的尺寸亦小型化，基板與電子零件的接地面積亦縮...

本發明涉及等離子體源，具體涉及一種強流等離子體源及產生強流等離子體的方法。、在現代工業與航天航空等領域，等離子體源憑借其獨特的物理特性，在薄膜沉積、表面清洗以及電推進系統中發揮著不可替代的重要作用。在薄膜沉積領域，強流等離子體源能夠提供高密度的粒子束，確保薄膜沉積的速率與均勻性，提升薄膜的...

本發明屬于pcb板制備，具體涉及高頻高速pcb板的改性壓合工藝。、隨著g通信、人工智能、航空航天等領域的快速發展，高頻高速電子設備對pcb板的性能要求日益嚴苛。傳統pcb壓合工藝在應對高頻信號傳輸時，常面臨介電損耗高、阻抗控制難、溫變穩定性差等挑戰，尤其在高速數據傳輸場景中易引發信號衰減、...

本發明總體上涉及微機電（mems）諧振器。、此章節在不承認本文中描述的任何技術表示現有技術的情況下說明有用的背景信息。、常規地從石英音叉諧振器（諸如.khz石英音叉諧振器）獲得低頻率時鐘基準。、微機電（mems）諧振器正發展成提供與石英音叉相同的功能性，并且具有如下益處：諸如減少的成本、較...

本發明涉及射頻集成電路設計，具體涉及一種采用新型獨立偏置技術與串并聯堆疊結構的si基cmos工藝的單刀雙擲射頻開關電路。、全球無線通信技術迭代加速，應用場景已從??世紀?年代的軍事、工業及廣播專屬領域，全面滲透至民用消費、商業服務等多元場景，成為現代社會的關鍵基礎設施。作為無線通信技術的核...

本發明涉及數據處理，更具體地涉及一種脈沖延時輸出方法、電子設備及存儲介質。、在工業應用和試驗研究過程中，脈沖信號是一種常用的信號類型。脈沖信號屬于離散信號，具有多樣的形式。與連續的模擬信號（例如正弦波）不同，脈沖信號在時間軸上是不連續的，各個波形之間存在明顯的間隔，但它們保持著一定的周期性...

本發明涉及半導體材料，具體涉及一種n型摻雜氮化物半導體材料及其制備方法。、氮化鋁(aln)、氮化硼(bn)、硼鋁氮(baln)等寬禁帶半導體材料有著耐高溫高壓、化學穩定性好、電子遷移率高、導熱性好、壓電系數高等優點，在深紫外光電器件、高速大功率電子器件和寬帶射頻濾波器等方面有著巨大的應用需...

本發明涉及光伏組件制造，具體涉及一種光伏晶片上料及理片設備。、在光伏組件的自動化生產流程中，光伏晶片通常以料盒（cassette）為單位進行上料，在光伏組件制造中，保證同一批次或同一組內光伏晶片的信息一致，是確保最終組件性能、可靠性與生產效率的關鍵前提。光伏晶片的信息通常包括其功率檔位、效...

本發明屬于光伏組件層壓，尤其涉及一種光伏組件層壓裝置、光伏組件層壓機。、光伏組件層壓機是制作光伏組件的重要設備，按施壓部件的不同，分為剛性板式光伏組件層壓機及柔性膠板式光伏組件層壓機。剛性板式光伏組件層壓機的施壓部件是剛性的板，剛性層壓板為上箱的一部分，其下端設置有充氣密封圈，位于下箱的加...

本發明涉及鈣鈦礦太陽能電池領域，尤其涉及一種基于含氟哌啶鹽酸鹽修飾埋底界面的鈣鈦礦太陽能電池及其制備方法。、鈣鈦礦太陽能電池（pscs）因其優異的光電性能和低成本制造潛力，已成為光伏領域的研究熱點。然而，器件的性能和穩定性仍面臨挑戰，尤其是在界面缺陷和載流子非輻射復合方面。埋底界面（即鈣鈦...

本發明涉及半導體生產領域，特別是涉及一種cis器件及其生產方法。、cis（互補金屬氧化物半導體圖像傳感器）采用感光單元陣列和輔助控制電路獲取光信號，通過信號處理和圖像處理輸出數字化圖像信息，cis對噪聲要求較高。、flick?noise(閃爍噪聲）是一種隨時間緩慢變化的噪聲，經常出現在半導...