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電子電路裝置的制造及其應用技術
  • 半導體二極管結構及形成半導體結構的方法與流程
    本申請的實施例涉及半導體二極管結構及形成半導體結構的方法。、在半導體集成電路(ic)中,靜電放電(esd)可能導致半導體器件損壞。為了減少損壞的風險,在ic中提供保護電路以提供安全放電路徑。保護電路基本上是一個開關,在正常電路操作期間關閉,并在存在高電壓的esd事件期間開啟。因此,esd保...
  • 一種基于非整數倍采樣的碼序列產生方法及系統與流程
    本發明涉及數字信號處理,特別是一種基于非整數倍采樣的碼序列產生方法。、在高精度測距系統、時間同步系統和雷達系統中,偽隨機序列(如barker碼、gold碼)廣泛應用于擴頻通信和信號調制。傳統bit碼序列生成方法通常依賴于整數倍采樣頻率轉換,通常通過分頻去產生,但當系統采樣率與碼速率之間存在...
  • 一種多波段LED外延結構及其制備方法、白光LED光源與流程
    本發明涉及半導體,尤其涉及一種多波段led外延結構及其制備方法、白光led光源。、目前,全光譜白光?led的主流技術路徑是利用藍光led芯片來激發紅、綠混合熒光粉層(含紅色熒光粉和綠色熒光粉),進而實現全光譜白光的輸出。然而,這類全光譜白光led光源的光譜曲線中,藍光波段的光譜曲線波動較大...
  • 一種太陽電池、電池組件及光伏系統的制作方法
    本發明涉及光伏,尤其涉及一種太陽電池、電池組件及光伏系統。、太陽電池是一種將太陽能轉換成電能的半導體器件,在光照條件下,太陽電池內部會產生光生電流,通過電極將電能輸出。近年來,隨著太陽電池生產技術不斷進步,生產成本不斷降低,轉換效率不斷提高,太陽電池發電的應用日益廣泛并成為電力供應的重要能...
  • 一種射頻功率放大器保護系統的制作方法
    本發明屬于通信電路,尤其涉及一種射頻功率放大器保護系統。、射頻功率放大器作為通信設備的核心組件,其安全運行依賴于完善的保護機制,目前行業內主流的保護方式包括電流保護、電壓保護、溫度保護、駐波保護及短路保護等。現有技術中,這些保護機制通常通過硬件芯片完成信號檢測,再由軟件系統對檢測信號進行分...
  • 一種基于表面封裝技術的鋰基突觸晶體管器件及其制備方法
    本發明涉及神經形態計算與電子器件制備,具體涉及一種基于表面封裝技術的鋰基突觸晶體管器件及其制備方法。、隨著人工智能、物聯網以及高性能計算等新興領域的快速發展,類腦計算作為一種模擬人腦神經網絡結構和信息處理方式的新型計算范式,受到了廣泛關注。與傳統的馮·諾依曼計算架構相比,類腦計算更強調并行...
  • 一種基于分數分頻鎖相環的頻率分發系統及方法與流程
    本發明涉及光網絡通信,尤其涉及一種基于分數分頻鎖相環的頻率分發系統及方法。、隨著g通信、元宇宙、云服務等新興應用的快速發展,光接入網及數據中心光交換網絡中的數據流量呈現指數級增長,對網絡帶寬與吞吐量提出了更高要求。在基于時頻同步與時隙分發的光網絡通信模式下,為實現更高的聚合流量承載能力,必...
  • 多芯粒集成系統中平面薄膜無源均衡器及其制造方法
    本發明涉及集成無源器件,尤其涉及一種多芯粒集成系統中平面薄膜無源均衡器及其制造方法。、隨著晶體管微縮技術逐漸逼近其物理極限,集成電路的設計范式正從單顆大尺寸片上系統(soc)向多顆小尺寸芯粒(chiplet)集成的方向發展。在多芯粒集成系統中,為了提升整體性能,數據接口與互連網絡的集成度和...
  • 一種用于薄片化電池片的氣懸浮傳輸裝置的制作方法
    本發明涉及太陽能電池片生產,尤其是涉及一種用于薄片化電池片的氣懸浮傳輸裝置。、薄片化電池片在加工生產過程中,為了減少損傷,通常會使用氣懸浮技術進行傳輸,其具體原理是利用氣體壓力使得薄片化的電池片或者硅片懸浮在傳輸平臺上方,形成非接觸式的傳輸設計,從而避免對電池片或者硅片表面造成損傷。、現有...
  • 一種高性能低碼率Turbo碼IP核的快速實現方法與流程
    本發明涉及無線電通信領域,具體是一種適用于lte系統的高性能低碼率turbo碼ip核實現方法,重點優化交織器架構與譯碼流程,解決傳統turbo譯碼時延高、資源占用大的問題。、傳統turbo譯碼器與交織器設計存在三大核心缺陷,制約其在lte低碼率高吞吐場景的應用:、、傳統交織器處理大量數據時...
  • 一種基于視覺圖像的屏蔽蓋安裝系統和方法與流程
    本發明涉及工業自動化及機器視覺,尤其涉及一種基于視覺圖像的屏蔽蓋安裝系統和方法。、在現代電子制造業中,隨著電子產品向小型化、高密度和高性能方向不斷發展,電子基板的電磁兼容性要求日益嚴格,屏蔽蓋作為關鍵防護組件被廣泛應用于各類電子設備中。為確保良好的電磁屏蔽效果和結構可靠性,屏蔽蓋的安裝必須...
  • 加熱元件、電連接器、連接器組件和制造方法與流程
    本發明涉及一種用于電連接器的配合接口的加熱元件。此外,本發明涉及一種制造這種加熱元件的方法。此外,本發明涉及具有這種加熱元件的電連接器和連接器組件。、在某些中,諸如室外充電單元的插頭和插座的電連接器可能暴露于惡劣的天氣條件。特別地,雪、雨或濕氣加上冰凍溫度,會導致插頭和插座凍結在一...
  • 熱交換部件及其制造方法與流程
    本發明涉及一種用于散熱器、均熱器、傳熱片、熱交換器等的熱交換部件及其制造方法。、搭載有電子器件(半導體元件等)的電子設備由于高集成化、大電流化等原因,發熱量增加。電子設備若散熱不充分,可能會產生誤動作,或者產生接合部、器件的損傷等。因此,在電子設備中,為了確保其可靠性、耐用性,通常會設置促...
  • 存儲裝置的制作方法
    本發明的實施方式涉及存儲裝置。、提出了在半導體基板上集成了包括可變電阻存儲元件和選擇器(開關元件)的多個存儲單元而成的存儲裝置。技術實現思路、提供存儲裝置,該存儲裝置包括具有優異的特性的選擇器(開關元件)。、實施方式涉及的存儲裝置具備:下部布線,在第方向上延伸;上部布線,在與所述第方向交叉...
  • 低噪聲放大器、射頻電路和電子設備的制作方法
    本申請涉及射頻領域,尤其涉及一種低噪聲放大器、射頻電路和電子設備。、無線通信系統中低噪聲放大器(low?noise?amplifier,lna)是重要組成部件之一,用于對接收的射頻信號進行功率放大。由于發射天線與接收天線之間存在耦合關系,在發射時隙即使lna在關閉狀態下,發射通道也會耦合一...
  • 半導體裝置及其制造方法與流程
    本發明的實施方式涉及半導體裝置及其制造方法。、在包含功率mosfet(metal-oxide-semiconductor?field-effect?transistor:金屬氧化物半導體場效應晶體管)等晶體管的半導體裝置中,通過降低晶體管的柵極電阻,例如能夠提高開關速度。技術實現思路、根據...
  • 橫向擴散金屬氧化物半導體及其制作方法與流程
    本發明涉及一種橫向擴散金屬氧化物半導體(laterally?diffused?metal?oxidesemiconductor,?ldmos),特別涉及一種以調整柵極介電層的長度來調控擊穿電壓的橫向擴散金屬氧化物半導體及其制作方法。、橫向擴散金屬氧化物半導體其具有高擊穿電壓的特點以及在低壓...
  • 半導體結構的制造方法與流程
    本發明涉及一種半導體結構的制造方法,且特別涉及一種包括標記的半導體結構的制造方法。、目前,會使用標記(如,對準標記(alignment?mark)或疊對標記(overlay?mark))來監控基底穿孔(through-substrate?via,tsv)的形成狀況。標記的形成方法可包括先在...
  • 太陽能電池、光伏組件、發電裝置、用電裝置及鈍化劑的制作方法
    本申請涉及電池,尤其涉及一種太陽能電池、光伏組件、發電裝置、用電裝置及鈍化劑。、近年來,全球能源短缺和環境污染問題日益突出,太陽能電池作為理想的可再生能源受到越來越多的重視。太陽能電池又稱為光伏電池,是一種通過光電效應或光化學效應將光能直接轉換為電能的裝置。、然而,相關技術中太陽能電池的穩...
  • 半導體工藝設備及其承載裝置的制作方法
    本申請涉及半導體制造領域,具體地,涉及一種半導體工藝設備及其承載裝置。、立式爐設備作為熱處理制程中最重要的設備之一,廣泛用于氧化工藝、退火、半導體合金等工藝過程中。立式爐設備不僅可以對上百片晶圓同時進行工藝,還可以對顆粒、金屬污染等工藝參數進行較優的控制。、隨著微電子技術的進步,近年來用戶...
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