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本發明涉及在襯底上外延沉積半導體膜的領域；特別地，涉及適于從反應器部分執行碳化硅的光子輔助化學蝕刻的方法和反應器。另外，但非排他地，本發明涉及在熱壁、橫流同質外延或異質外延反應器中在半導體襯底上沉積碳化硅膜的領域。、通過外延生長制成的半導體層(也稱為外延層)通過在反應器的反應室中沉積而形成...

本發明的實施方式涉及磁存儲裝置。、提出了在半導體基板上將多個磁阻效應元件集成化而得到的磁存儲裝置。技術實現思路、提供具有優異的特性及可靠性的磁存儲裝置。、實施方式的磁存儲裝置具備：下部構造；第層疊構造，設置在所述下部構造上；第層疊構造，設置在所述下部構造上，與所述第層疊構造相鄰；第含硼層，...

本發明涉及基板處理裝置以及基板處理方法。、已知半導體裝置和液晶顯示裝置等電子部件中使用的基板通過基板處理裝置進行處理。基板能夠通過浸漬于處理槽內的處理液來進行處理。、隨著近年來在半導體基板上形成的半導體元件的微細化和/或三維化，使基板的處理均勻化的要求提高。例如，具有三維構造的nand元件...

本發明總體上涉及半導體器件，并且更具體地涉及使用環氧樹脂-焊錫膏制造的半導體器件和方法。、半導體器件通常在現代電子產品中找到。半導體器件執行各種各樣的功能，例如信號處理、高速計算、發射和接收電磁信號、控制電子器件、將太陽光變換成電以及為電視顯示器創建視覺圖像。半導體器件在通信、電源轉換、網...

本公開大體上涉及半導體裝置，且更特別地，涉及半導體裝置中的介電膜。、集成電路可包含安置在導電特征(例如在集成電路內將不同半導體組件彼此連接的金屬線和通孔)上方和/或上的介電膜。在一些集成電路中，這些介電膜可形成與各種導電特征的界面。舉例來說，一個此類界面可為充當試圖隔離鄰近導電特征的阻擋層...

本申請涉及半導體，尤其涉及一種校準裝置以及校準方法。、蒸鍍、光刻、外延、離子注入和退火等工藝，在特定的溫度下才能實現對晶圓的加工，因此，可以對實現上述工藝的半導體設備進行溫度監測，以提高工藝效果。、在相關技術中，以用于實現外延工藝的外延設備為例，如圖所示，在外延設備的生長腔室中設置基座、支...

本公開涉及用于清潔半導體晶圓的裝置和方法。、隨著半導體技術的進步，對更高的存儲容量、更快的處理系統、更高的性能和更低的成本的需求日益增加。為了滿足這些需求，半導體工業持續按比例縮小半導體器件(例如，金屬氧化物半導體場效應晶體管(mosfet)(包括平面mosfet)、鰭式場效應晶體管(fi...

本發明的實施方式涉及磁存儲裝置。、提出了在半導體基板上將多個磁阻效應元件集成化而得到的磁存儲裝置。技術實現思路、提供能夠恰當地形成磁阻效應元件的磁存儲裝置。、實施方式的磁存儲裝置具備：磁阻效應元件，包括具有可變的磁化方向的第磁性層、具有固定了的磁化方向的第磁性層、以及設置于所述第磁性層與所...

本發明構思涉及裸片倒裝接合裝置和用于制造半導體封裝件的方法，并且更具體地，涉及將順序地設置在基底上并且已經引線接合到基底的堆疊裸片的最上面的裸片倒裝并且將最上面的裸片移動并接合到與堆疊裸片相鄰的相鄰堆疊裸片的最上面的裸片的裸片倒裝接合裝置和半導體封裝件制造方法。、由于電子工業的快速發展和用...

、.、本公開總體涉及非易失性存儲器，并且更具體地，涉及具有可變氧化物-氮化物(on)間距的存儲器塊。、.相關技術、半導體存儲器廣泛用于各種電子設備中，諸如蜂窩電話、數碼相機、個人數字助理、醫用電子設備、移動計算設備、服務器、固態驅動器、非移動計算設備和其他設備。半導體存儲器可以是非...

本實施方式涉及一種半導體存儲裝置。、隨著半導體存儲裝置的高集成化，正在進行關于半導體存儲裝置的三維化的研究。技術實現思路、提供一種適當地動作的半導體存儲裝置。、一實施方式的半導體存儲裝置具備：多個存儲器層，在第一方向上排列；通孔配線，在第一方向上延伸；第一配線，相對于多個存儲器層設置在第一...

本發明的實施方式涉及一種積層襯底及半導體裝置的制造方法。、關于三維非易失性存儲器等半導體裝置，有時通過將形成有多個存儲器柱的支撐襯底、與形成有外圍電路的半導體襯底貼合來進行制造。在將支撐襯底與半導體襯底貼合后，剝離支撐襯底以進行循環利用。、在支撐襯底上形成有保護支撐襯底的絕緣層等，通過進行...

本發明的實施方式涉及一種積層襯底及半導體裝置的制造方法。、維非易失性存儲器等半導體裝置有時由將形成著多個存儲器柱的支撐襯底、與形成著外圍電路的半導體襯底貼合來制造。在與半導體襯底貼合后，將支撐襯底剝離而再利用。、在支撐襯底上形成著保護支撐襯底的絕緣層等，通過照射激光等，使絕緣層側的支撐襯底...

本發明涉及一種封裝結構，尤其涉及一種感測封裝結構。、現有感測封裝結構的感測層是通過多個熱接點與多個冷接點來進行感測，但多個所述冷接點容易受到外部影響(如：所述冷接點吸收到輻射熱能或受到熱對流影響)因而降低感測的精準度。于是，本發明人認為上述缺陷可改善，乃特潛心研究并配合科學原理的運用，終于...

本公開涉及顯示，具體而言，涉及一種顯示模組及其制備方法、顯示裝置。、oled(organic?electroluminescence?display，有機發光半導體)顯示面板，由于其具有亮度高、功耗低、響應快、清晰度高、柔性好、發光效率高等多方面優勢，能滿足消費者對顯示技術的新需求。、但是...

本發明涉及廚房電器，尤其涉及一種廚房電器用觸控裝置及廚房電器。、廚房電器，如吸油煙機、集成灶、洗碗機、消毒柜、蒸烤箱等產品，其主體上一般都設置有觸控裝置，用于供使用者進行開、關機操作或其他功能選擇。目前多數廚房電器觸控裝置在具體形式上基本上采用電容觸摸按鍵或者觸摸屏的方式。其中，觸摸按鍵一...

本發明涉及半導體集成電路，特別涉及一種半導體器件及其制作方法。、柵誘導漏極泄露電流(gate?induced?drain?leakage，gidl)是mosfet(metal-oxide-semiconductor?field-effect?transistor，金屬氧化物半導體場效應晶體...

本申請涉及電子設備，尤其涉及一種殼體和電子設備。、隨著電子設備的不斷普及，電子設備已經成為人們日常生活中不可或缺的社交、娛樂工具。目前，具有圖案設計的電子設備受到消費者的喜愛。因此，電子設備中殼體的圖案設計對于提升電子設備的產品競爭力至關重要。技術實現思路、本申請實施例的目的是提供一種殼體...

本發明屬于量子芯片制備，特別是一種基板制備方法、裝置及量子芯片。、tsv(through-silicon?via)技術，中文稱為硅通孔技術，是一種先進的三維集成電路封裝技術。該技術通過在晶圓上制作垂直貫通的微小通孔并填充導電材料，實現芯片內、芯片間以及芯片與封裝之間的垂直連接。、當具有ts...

本公開涉及電波輻射系統以及電波輻射裝置。、在專利文獻中，固態微波產生系統（solid?state?microwave?generatingsystem）具備提供信號的激勵器單元（exciter?unit）和至少一部分由激勵器單元的信號驅動的微波輸出放大器模塊（microwave?power...