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本發明屬于電子元器件散熱，具體涉及一種微流道結構、高效水冷散熱器及加工工藝，尤其適用在消費電子、服務器和汽車等高密度電子元器件散熱應用領域。、高功率傳感器、探測器、寬帶隙半導體、芯片堆疊、多功能集成等等，使很多功率電子系統的功率密度達到或者遠遠超過kw/cm，相應的發熱強度達到kw/cm以...

本發明涉及的是一種模數轉換領域的技術，具體是一種連續時間模數轉換(adc)線性度優化系統。、由于現有連續時間σ-δ模數轉換(ctσ-δadc)技術采用的環路濾波器、量化器和反饋dac均存在不同程度的非線性特性，導致環路濾波器輸出偏離理想線性特性，且難以通過常規校準技術完全消除，成為制約ct...

本發明涉及功率模塊封裝，特別涉及一種功率模塊的封裝方法。、隨著第三代半導體材料越來越成熟、應用也越來越廣泛，碳化硅功率模塊（silicon?carbide?power?module）正朝著能承受更高電壓、實現更快開關速度的方向研發。但在模塊快速開關的過程中，“寄生電感”會帶來不少問題：它會...

本發明涉及半導體制造，尤其是涉及一種雙面散熱的clip芯片及其表面磨削的研磨工藝。、mosfet具備控制功率小、開關速度快的特點，廣泛應用于低中高壓的電路中，是功率半導體的基礎器件，在如今興起的新能源電動車中，硅基mosfet是不可或缺的存在。mosfet是汽車電子中的核心元件，應用于汽車...

本發明屬于配電網故障信號處理，特別涉及一種基于余弦權重過渡的分段自適應sg濾波方法及裝置。、隨著當前配電網的高速發展，配電網規模不斷擴大，拓撲結構越來越復雜，單相接地故障也日益復雜。據統計，單相接地故障占配電網故障總數的%以上，影響了供電可靠性。分布式電源(distributed?gene...

本申請涉及光電轉換領域，尤其涉及一種光信號轉換電路。、光電轉換技術在眾多領域有著廣泛應用，將光信號轉換至數字信號進行處理契合現代信息化發展需求。在模擬信號向數字信號轉換過程中，采樣保持是確保信號準確真實的關鍵環節。為了降低光轉換系統功耗，現有方案是對光信號進行采樣保持，在模數轉換器工作期間...

本發明涉及半導體器件的加工工藝，特別是涉及一種絕緣體上硅ldmos，還涉及一種絕緣體上硅ldmos的制造方法。、絕緣體上硅橫向雙擴散金屬氧化物半導體場效應晶體管（soi?ldmos）是soi?bcd工藝中一類重要的高壓器件，通常采用平面型ldmos結構，其源極、漏極、柵極從晶圓正面通過金屬...

本發明涉及壓電陶瓷，具體涉及一種基于壓電陶瓷的高頻發生組件及其制備工藝。、原有壓電陶瓷為了焊線方便，采用分區翻邊金屬導電層，將背面金屬導電層引到同一面，這種方式下，翻邊金屬導電層區域為無效區域，會導致兩個問題：一是在電場作用下兩個區域會產生應力，所以在加高壓電場極化過程中容易產生應力缺陷甚...

本發明實施例涉及半導體器件，尤其涉及一種氮化鎵晶體管及其制備方法、雙向開關。、隨著電力電子系統朝高壓、高頻和高效率方向不斷發展，基于寬禁帶半導體材料的器件技術日益受到重視。其中，p-gan柵增強型gan高電子遷移率晶體管（high?electronmobility?transistor，h...

本申請屬于光伏，尤其涉及一種電池組件及光伏系統。、光伏電池是一種利用太陽光直接發電的光電半導體薄片（又稱太陽能電池或光電池），它只要滿足一定照度條件的光照度，就可輸出電壓及在有回路的情況下產生電流。目前，光伏電池以光伏效應工作的晶硅太陽能電池為主流，其通過光電效應直接把光能轉化成電能。、多...

本發明涉及諧振器，尤其涉及一種聲表面波諧振器、濾波器及多工器。、聲表面波（surface?acoustic?wave，saw）裝置是一種利用聲波在固體表面傳播的特性工作的電子元件，廣泛應用于濾波器、諧振器等領域。、在saw裝置中，橫向模式是聲波傳播過程中的一種常見問題，它會導致能量損耗、頻...

本申請涉及電容，尤其涉及一種多層電容結構及其制造方法。、電容是半導體工藝中的重要元器件，應用于諸多場景。傳統的半導體工藝中常用的電容實現方法有mim電容和mom電容。、mim電容通常由兩層金屬電極夾著一層高介電常數的絕緣介質構成，形成垂直堆疊的平行板電容。這種電容精度較高，但是如果用來制作...

本發明涉及微系統封裝，特別涉及宇航新一代aob架構相控陣雷達所使用的高集成度收發一體sip的生產及制造。、隨著無線通信技術的發展和成熟，有源相控陣天線得到了廣泛的關注，并在車載雷達等民用領域和導引頭雷達、衛星遙感等軍用領域展示出良好的應用前景。目前，相控陣傳統的架構方式有磚塊式和瓦片式。整...

本申請涉及濾波器，特別是涉及一種基于數控可調零點技術的可重構濾波器設計方法。、隨著無線通信、雷達、電子對抗等技術的快速發展，現代電子系統在工作頻段、帶寬以及頻率靈活性方面提出了更高的要求。傳統的窄帶濾波器已難以滿足多頻段、寬帶化以及可重構化的前端系統需求。濾波器作為射頻系統中實現頻段分離的...

本發明涉及芯片封裝，尤其涉及一種sic襯底功率芯片封裝焊接方法及在線壓力燒結爐。、隨著電力電子技術在大功率變流技術、軌道交通領域的不斷擴展，對變流器的效率和功率密度提出了更高的要求，相較于硅基材料igbt、mosfet器件材料的特性局限性，大功率sic?mofet在高頻、高溫、高壓等領域有...

本發明涉及半導體發光，具體涉及一種led用反光材料層、封裝結構及其形成方法。、在現有的led封裝結構中，通常是將led芯片、導電基板及封裝體等組件集成在一起的結構，其核心功能是保護芯片、提升發光效率、優化散熱性能，并實現與外部電路的電氣連接。且在現有的led封裝結構中，通常需要對led芯片...

本發明涉及半導體發光，具體涉及一種發光二極管用熒光膠層及其封裝體。、在現有的發光二極管封裝體中，通常是將發光二極管芯片、引線及外殼等組件集成在一起的結構，其核心功能是保護芯片、提升發光效率、優化散熱性能，并實現與外部電路的電氣連接。且為了擴展發光二極管封裝體的應用場景，通常是將多種顏色的發...

本發明涉及功率半導體器件，具體涉及面向高壓級聯模塊的高功率密度超低感集成混合封裝結構。、隨著中壓配電網向柔性互聯和直流化演進，～?kv?等級的中壓電能變換裝備快速發展，例如?kv中壓固態變壓器（solid-state?transformer，sst）、中壓直流配電和數據中心?kv直流變換器...

本發明屬于物聯網通信，尤其涉及一種lorawan路燈控制器、通信系統及通信方法。、物聯網（iot）的快速發展帶動了各種低功耗廣域網（lpwan）技術的應用，其中lorawan作為一種典型的低功耗、遠距離通信協議，已經在智能水表、燃氣表、智能電表、路燈控制、環境監測等場景得到了廣泛應用。例如...

本發明涉及半導體，具體涉及一種基于碳納米管肖特基二極管的倍頻器電路。、在毫米波與太赫茲系統中，傳統硅基或三五族肖特基二極管的倍頻器受限于高寄生電容和低截止頻率瓶頸，導致高頻諧波損耗顯著、效率低下，且難以穩定工作在高頻段。、半導體型碳納米管因其準一維結構帶來的超低本征電容、超高載流子遷移率及...