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電子電路裝置的制造及其應用技術
  • 一種用于邊緣側數(shù)據(jù)機房的梯度射流空調、系統(tǒng)及機艙的制作方法
    本發(fā)明涉及空調節(jié)能減排領域,具體涉及一種用于邊緣側數(shù)據(jù)機房的梯度射流空調、系統(tǒng)及機艙。、邊緣推理是指在數(shù)據(jù)生成的網(wǎng)絡邊緣側(如設備或本地服務器)執(zhí)行人工智能模型的推理任務。邊緣推理是分布式計算與ai融合的產(chǎn)物,區(qū)別于云端推理,邊緣推理無需將數(shù)據(jù)跨地域傳輸至遠程的云端推理設備,而是將數(shù)據(jù)中心...
  • 一種半導體通孔生成方法、裝置、電子設備及存儲介質與流程
    本申請涉及半導體制造,具體而言,涉及一種半導體通孔生成方法、裝置、電子設備及存儲介質。、半導體集成電路制造中的通孔形成工藝,作為連接不同金屬層、實現(xiàn)電路三維互聯(lián)的關鍵步驟,其核心目標在于:在層間介質里制作出可靠的導電通道。在現(xiàn)有的nmbcd(bipolar-cmos-dmos)工藝中,后段...
  • 低噪聲放大器的制作方法
    本發(fā)明涉及無線通訊,尤其涉及一種低噪聲放大器。、低噪聲放大器(low?noise?amplifier,lna)作為無線通訊系統(tǒng)的重要組成部分,其主要用于是無線通訊接收機的射頻前端。作為接收機射頻前端的第一級有源器件,低噪聲放大器對接收系統(tǒng)的性能起到至關重要的作用。為了保證接收機的接收靈敏度...
  • 小基板的制備方法與流程
    本發(fā)明屬于芯片封裝,特別的,屬于小基板的制備方法。、在傳統(tǒng)的半加成法中,基板通常是通過疊加多個層次或模塊來完成,這一方法在處理大尺寸和多層基板時往往會面臨較高的良率損失。這是因為在基板尺寸變大或層數(shù)增加時,由于制造和對接精度的限制,難以保證每一層的高質量連接,導致最終良率降低。、因此,現(xiàn)有...
  • HEMT晶體管封裝方法及HEMT晶體管與流程
    本發(fā)明涉及hemt晶體管封裝,尤其涉及一種hemt晶體管封裝方法及hemt晶體管。、hemt晶體管(high?electron?mobility?transistor,高電子遷移率晶體管),又稱異質結構?fet(hfet)或調制摻雜?fet(modfet),是一種基于異質結設計的場效應晶體...
  • 一種射頻激勵的新型等離子體焦點裝置及方法與流程
    本發(fā)明涉及等離子體物理和應用領域技術,具體涉及一種射頻激勵的新型等離子體焦點裝置及方法。、等離子體焦點裝置是利用電磁力將等離子體壓縮至高密度與高溫狀態(tài),以實現(xiàn)核聚變反應或作為中子源等重要應用的裝置。傳統(tǒng)的等離子體焦點裝置核心通常由同軸電極系統(tǒng)、真空系統(tǒng)、氣體注入系統(tǒng)以及高壓脈沖電源系統(tǒng)構成...
  • 印制電路板的制作方法及印制電路板與流程
    本申請涉及印制電路板制作,尤其涉及一種印制電路板的制作方法及印制電路板。、在制作印制電路板的過程中,需要去除用于信號線過孔的殘樁(stub),以避免其對高速信號產(chǎn)生顯著的負面影響,導致信號完整性劣化、諧振與插入損耗以及眼圖質量下降等問題。、相關技術中,一般采用背鉆工藝去除信號線過孔的stu...
  • 一種上界面修飾的倒置鈣鈦礦太陽能電池及其制備方法
    本發(fā)明屬于新型半導體光電材料與器件領域,具體涉及一種上界面修飾的倒置鈣鈦礦太陽能電池及其制備方法。、如今煤炭,石油,天然氣等不可再生能源不斷消耗,環(huán)境污染加劇,在全球經(jīng)濟擴張與人口增長的雙重驅動下,可再生能源的開發(fā)利用已成為解決能源危機與環(huán)境污染問題的關鍵策略。太陽能因具備清潔、儲量無限且...
  • 一種鈣鈦礦活性層的制備方法與鈣鈦礦太陽電池
    本發(fā)明屬于太陽電池,涉及一種鈣鈦礦活性層的制備方法與鈣鈦礦太陽電池。、鈣鈦礦太陽能電池顯著推動了光伏領域的發(fā)展,短短十余年實現(xiàn)了超過?%的認證光電轉換效率,有望取代硅太陽能電池成為新一代光伏技術的主流。與其他太陽能技術相比,鈣鈦礦太陽能電池的原料來源廣泛,并且可以采用低溫溶液法大面積成膜技...
  • 一種太陽能LED路燈控制方法及系統(tǒng)與流程
    本申請涉及路燈智能控制,具體而言,涉及一種太陽能led路燈控制方法及系統(tǒng)。、在現(xiàn)代道路照明領域,太陽能led路燈因其環(huán)保、獨立供電和易于安裝的特點而得到廣泛應用。這類路燈系統(tǒng)通常包含太陽能電池板、蓄電池、led燈具以及一個控制器,旨在通過智能管理實現(xiàn)能源的自給自足和高效利用。早期的控制方法...
  • 一種X射線源組合機頭的制作方法
    本發(fā)明涉及x射線設備,具體涉及一種x射線源組合機頭。、便攜式x射線源可在現(xiàn)場、野外或空間受限環(huán)境提供x射線輻射,在工業(yè)無損檢測、移動診療等領域應用廣泛,其組合機頭按絕緣方式分為油絕緣、固態(tài)絕緣和油固混合絕緣三類。傳統(tǒng)油絕緣機型散熱佳,但需密封變壓器油且保證高電位區(qū)域與金屬殼體的絕緣距離,導...
  • 一種芯包結構式濾波器的制作方法
    本發(fā)明涉及電磁兼容領域,具體是一種芯包結構式濾波器。、新能源汽車電控以及電源里面都需要濾波器,尤其是用于高壓或高干擾環(huán)境下的濾波器,需要具備寬頻帶、高性能的電磁干擾抑制能力。傳統(tǒng)濾波器通常采用獨立封裝的成品安規(guī)電容和分離的磁環(huán)元件。、這種傳統(tǒng)結構存在以下固有缺陷:、、高頻性能受限:成品電容...
  • 電荷泵電路及鎖相環(huán)電路的制作方法
    本發(fā)明涉及電子電路,尤其涉及一種電荷泵電路及鎖相環(huán)電路。、在鎖相環(huán)(pll)尤其是小數(shù)分頻頻率綜合器中,電荷泵(charge?pump,cp)是決定鎖相環(huán)系統(tǒng)相位噪聲、參考雜散關鍵技術指標及鎖定穩(wěn)定性的核心模塊之一。電荷泵的核心功能是將鑒頻鑒相器(pfd)輸出的相位誤差信號轉換為充放電的電...
  • 一種LED器件的制作方法
    本發(fā)明涉及l(fā)ed,尤其涉及一種led器件。、在一種具有內(nèi)外兩圈大小杯、或者具有左右隔離壩體的led器件中,其內(nèi)部的隔離壩體或者內(nèi)圈小杯的墻體高度低于外杯高度,以用于光的反射、灌封膠體的分隔或阻擋其他封裝材料的流動等。、然而,現(xiàn)有技術在設計這類隔離壩體的時候只考慮其光反射、容納膠體、物理阻擋...
  • 一種大面積鈣鈦礦太陽能電池制備方法、系統(tǒng)及電池與流程
    本發(fā)明涉及鈣鈦礦太陽能電池相關,尤其涉及一種大面積鈣鈦礦太陽能電池制備方法、系統(tǒng)及電池。、鈣鈦礦太陽能電池(pscs)因其高光電轉換效率、低制造成本和可柔性制備等優(yōu)勢,成為第三代光伏技術的核心研究方向。其實驗室小面積(<cm)器件效率已超過%。鈣鈦礦太陽能電池組件通常采用逐層沉積和激...
  • 一種寬頻帶E類射頻功率放大器裝置的制作方法
    本發(fā)明涉及射頻功率放大器,具體涉及一種寬頻帶e類射頻功率放大器裝置。、射頻功率放大器(rf?power?amplifier,?rfpa)作為無線通信、雷達系統(tǒng)、醫(yī)療設備及工業(yè)等離子體產(chǎn)生等領域的核心部件,承擔著將直流電能轉換為高頻交流射頻信號并實現(xiàn)功率放大的關鍵功能。其性能優(yōu)劣直接影響到整...
  • 一種聲表面波諧振器的制作方法
    本申請涉及聲表面波器件,特別是涉及一種聲表面波諧振器。、在無線通信、射頻前端等高頻電路領域中,聲表面波諧振器(surface?acousticwave,saw)被廣泛應用。在工作過程中,聲表面波諧振器除了能夠激發(fā)主聲表面波之外,還可能會激發(fā)非期望的橫向模式,從而對聲表面波諧振器的通帶性能造...
  • 轉換器的多通道并行掃描通信方法及系統(tǒng)與流程
    本發(fā)明涉及通信并行掃描,具體涉及轉換器的多通道并行掃描通信方法及系統(tǒng)。、在工業(yè)自動化控制領域中,hart通信協(xié)議因兼具數(shù)字通信與模擬信號傳輸?shù)募嫒菪裕粡V泛應用于轉換器與各類智能儀表的數(shù)據(jù)交互場景。當前傳統(tǒng)的hart通信掃描方式多采用固定時隙分配的串行掃描或簡單并行掃描架構,存在顯著技術局...
  • 加熱盤、一種半導體器件的加工設備及加工方法與流程
    本發(fā)明涉及半導體器件加工領域,具體涉及一種加熱盤、一種半導體器件的加工設備、一種半導體器件的加工方法及一種計算機可讀存儲介質。、在半導體制造工藝中,需將晶圓精準定位至反應腔室的中心基準位置后,方可執(zhí)行后續(xù)加工流程。以薄膜沉積設備為例,晶圓需嚴格貼合加熱盤的中心區(qū)域,而該定位精度直接影響加熱...
  • 一種高速運算放大器的穩(wěn)定性補償電路結構的制作方法
    本發(fā)明屬于穩(wěn)定性補償電路,尤其涉及一種高速運算放大器的穩(wěn)定性補償電路結構。、運算放大器作為模擬電路的核心組件,廣泛應用于信號放大、濾波、電平轉換等各類模擬應用場景,其性能直接決定了整個模擬系統(tǒng)的精度與穩(wěn)定性。在電路設計中,開環(huán)增益與相位裕度是衡量運算放大器性能的關鍵指標——充足的開環(huán)增益可...
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