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本公開涉及一種制造半導體器件的方法，特別涉及一種包括形成場停止區的制造半導體器件的方法。、新一代半導體器件（例如，絕緣柵場效應晶體管（igfet），諸如金屬氧化物半導體場效應晶體管（mosfet）或絕緣柵雙極晶體管（igbt）或二極管）的技術開發旨在通過縮小器件幾何形狀來改善電氣器件特性并...

本公開涉及具有被埋入溝槽的柵極電極的半導體裝置。、例如，專利文獻公開了在設置于半導體基板的溝槽內具備上下斷開的柵極電極，并且上層的柵極電極的周圍的柵極絕緣膜在上層的柵極電極的上端部附近變厚的構造的半導體裝置。、專利文獻：日本特開－號公報、在專利文獻的半導體裝置中，上層的柵極電極的周圍的柵極...

本發明是關于一種水冷板，特別是一種設有相連的二導熱方管的水冷板。、電子裝置的運作會伴隨大量熱能的產生。若不能有效地將熱能排除，則會使內部電子元件過熱而導致功能失效或當機等問題。因此，電子裝置內通常配置有相應的散熱系統，以確保元件的運作不會超過默認的工作溫度范圍。尤其對高效能的電子裝置來說，...

本申請屬于顯示，更具體地說，是涉及一種顯示面板及其加工方法以及顯示裝置。、有機發光二極管(oled，organic?light-emitting?diode)是一種有機薄膜電致發光器件，其因具有功耗小、亮度高、視角寬、對比度高及可實現柔性顯示等優點，廣泛應用于手機、電視、平板電腦、筆記本電...

本申請涉及顯示，具體涉及一種顯示面板及其制備方法和顯示裝置。、有機發光二極管(organic?light?emitting?display，oled)以及基于發光二極管(light?emitting?diode，led)等技術的平面顯示裝置因具有高畫質、省電、機身薄及應用范圍廣等優點，而被...

本公開實施例涉及半導體，尤其涉及一種半導體結構及其制備方法。、動態隨機存取存儲器(dynamic?random?access?memory，dram)是一種半導體存儲器。和靜態存儲器相比，dram存儲器具有結構較為簡單、制造成本較低、容量密度較高的優點，隨著技術的發展，dram存儲器的應用...

本發明屬于納米結構的，具體涉及一種具有動態可編程的納米流體憶阻器件及其制備方法和測試方法。、自年惠普實驗室發現憶阻器以來，具有各種物理/化學憶阻器效應的固態憶阻器已經實現了決策、數字識別和可塑性仿真等多方面的神經形態功能。然而，與離子介導的生物神經元相比，固態憶阻器在能耗和功能上仍有差距。...

本公開涉及無線通信，特別涉及一種db線性可變增益放大器及電子設備。、隨著物聯網、自動駕駛技術的發展，對傳輸速率的要求越來越高，g毫米波的超高速率點對點通信得到了廣泛的關注，同時相控陣技術在g毫米波系統的應用也逐漸增加，而相控陣收發器需要在每個收通道中使用模擬控制可變增益放大器(variab...

本公開涉及半導體，更具體地，涉及半導體結構及制造半導體結構的方法、存儲系統。、隨著人工智能、大數據、物聯網、移動通信、移動設備和云存儲領域的興起和發展，對諸如三維半導體存儲器件等半導體結構的性能和工藝等的要求越來越高。技術實現思路、本公開一方面提供了一種半導體結構。該半導體結構包括多個支撐...

本發明是有關于一種數字隔離器的電路架構，特別是指一種具有多個串接的隔離電容，能有效減緩金屬打線接合的硬力對介電層的損傷，提高整體良率，確保耐壓能力，并對于封裝打線環境具有更高環境耐受度的數字隔離器電路。、眾所周知的是，許多電子電路系統皆有針對將其系統中一部分的電信號與其系統中另一部分的電信...

本申請實施例屬于半導體，尤其涉及一種封裝基板及其制備方法、半導體堆疊結構、電子設備。、為進一步滿足電子設備小型化，對半導體集成技術提出了更高的要求。在電子設備包括半導體堆疊結構中，半導體堆疊結構包括封裝基板以及在封裝基板上層疊設置的芯片。其中，封裝基板包括重布線層，芯片與重布線層連接。然而...

本發明涉及半導體，尤其涉及一種硅圓片的粘接方法。、目前，在硅圓片的加工過程中，通常是利用膠水來進行固化粘接，將硅圓片粘接在機床上，以進行切割和研磨加工。然而，在加工過程中產生的一系列的震動(例如，磨輪的震動)，容易使硅圓片產生碎裂，從而影響良品率。技術實現思路、本發明實施例的目的在于，提供...

、近年來，基于有機材料的光電子器件已經變得越來越受歡迎。有機材料固有的柔性令其十分適合用于在柔性基板上制造，可根據需求設計、生產出美觀而炫酷的光電子產品，獲得相對于無機材料無以比擬的優勢。此類有機光電子器件的示例包括有機發光二極管(oled)，有機場效應管，有機光伏打電池，有機傳感器等。其...

本申請涉及集成電路，特別是涉及一種橫向擴散金屬氧化物半導體器件。、隨著半導體技術的不斷發展，橫向雙擴散金屬氧化物半導體(lateral?double-diffuse?mos，ldmos)器件廣泛應用于電源芯片中，通過對ldmos器件開關狀態的調整來實現不同功率之間的轉換。其中，在開啟階段，...

本公開涉及一種基板處理裝置及基板處理方法，更詳細地，涉及一種為了高速熱處理而利用微波（microwave）處理基板的基板處理裝置及基板處理方法。、隨著半導體裝置高度集成化，在半導體制造過程中也要求非常精密的蝕刻工藝和沉積工藝。因此，需要一種基于以原子層為單位進行蝕刻的原子層蝕刻（ale：a...

本發明涉及用于燈具設備、特別是激光二極管設備的電流調節器設備，該電流調節器設備具有直流電壓源，該直流電壓源提供與地電位不同的上電壓電平和下電壓電平。此外，本發明涉及用于操作燈具設備、特別是激光二極管設備的方法。、ep????a公開了用于操作燈具設備的操作控制裝置，該燈具設備特別地具有串聯連...

本發明涉及一種布線基板、封裝體和壓電裝置。、現有技術文獻公開了晶體振子的固定結構。在現有技術文獻中，為了提高基板與導電性接合材料之間的固定強度，導電性接合材料被填充至設置于基板的孔，并在表面上凸出。并且，通過凸出的導電性接合材料將晶體振子固定在基板上。、現有技術文獻、專利文獻、專利文獻：日...

本發明涉及電子控制裝置和電子控制裝置的制造方法。、近年來，高級駕駛輔助系統（以下記作“adas”）和自動駕駛（以下記作“ad”）系統的需求正在提高。adas用或ad用的電子控制裝置中搭載的cpu（中央運算處理裝置）等半導體部件工作頻率較高，存在產生電磁波噪聲的課題。作為用于減少向外部環境輻...

本發明涉及化學氣相沉積技術制備寬禁帶半導體材料，特別涉及一種六方氮化硼薄膜的制備和能帶調控方法及在制備寬光譜紫外光電探測器方面的應用。、六方氮化硼（h-bn）因其優異的化學穩定性、高溫穩定性、高熱導率以及超寬的帶隙（～.ev），被視為理想的深紫外（波長<nm）光電材料和高功率電子器件...

本申請屬于晶圓處理，更具體地說，是涉及一種晶圓清洗裝置及晶圓清洗方法。、晶圓加工通常包含拋光、清洗、干燥等工序。目前，常通過化學機械拋光（cmp）的方式去除晶圓表面形成的多層薄膜（如氧化層、金屬層等），實現晶圓表面的平坦化處理。化學機械拋光利用化學腐蝕與機械研磨的協同作用，去除晶圓表面凹凸...