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Saw過濾器的制造方法

文檔序號(hào):10660325閱讀:656來源:國知局
Saw過濾器的制造方法
【專利摘要】根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例的SAW過濾器,包括:基板;上部母線,配置于所述基板上;下部母線,在所述基板上與所述上部母線相對(duì)地配置;第1叉指IDT,一端與所述上部母線連接而配置;第2叉指IDT,一端與所述下部母線連接而配置;鈍化部,形成于所述第1叉指IDT及第2叉指IDT上;第1金屬部,形成于所述鈍化部上,包括全部所述上部母線區(qū)域,并且,包括所述第1叉指IDT的一部分區(qū)域;第2金屬部,形成于所述鈍化部上,包括全部所述下部母線區(qū)域,并且,包括所述第2叉指IDT的一部分區(qū)域。上述的根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例的SAW過濾器具有能夠控制對(duì)SAW過濾器發(fā)生的寄生效應(yīng),并使得工序單純化。
【專利說明】
SAW過濾器
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及SAW過濾器,尤其涉及一種在SAW過濾器的IDT電極上部配置金屬部而改善SAW過濾器特性的SAW過濾器?!颈尘凹夹g(shù)】
[0002]表面聲波(Surface Acoustic Wave)是沿著彈性體基板的表面?zhèn)鞑サ穆暡?,作為壓電效果的結(jié)果,從電信號(hào)生成聲波,聲波的電場集中于基板表面附近,而與位于其表面上的其他半導(dǎo)體的傳導(dǎo)電子相互作用。聲波傳播的媒質(zhì)是電子機(jī)械性結(jié)合系數(shù)高、聲波能源損失低的暗物質(zhì),半導(dǎo)體是傳導(dǎo)電子的移動(dòng)度高、阻抗率最佳地直流電源要素低,能夠確保最佳的效率,利用上述的表面聲波與半導(dǎo)體傳導(dǎo)電子的相互作用,以電子機(jī)械性元件替代電子線路即為表面聲波元件(SAW device)。
[0003]此類表面聲波元件的構(gòu)成為在壓電媒質(zhì)的表面的兩端以金屬薄膜設(shè)置爪形狀的輸入電極和輸出電極,并以高頻輸入,變換為表面聲波,并通過輸出電極檢測電波特性,復(fù)歸為電信號(hào)。應(yīng)用其的示例為延時(shí)線元件、放大器、波形轉(zhuǎn)換器、光束偏轉(zhuǎn)器、束開關(guān)等。
[0004]在以往技術(shù)中記載有為了解決表面聲波元件的特性,以一定的間隔配置叉指的發(fā)明。但,此類表面聲波元件發(fā)生紋波(Ripple),而使得共振特性低下,發(fā)生插入損失。
[0005]【先行技術(shù)文獻(xiàn)】
[0006]【專利文獻(xiàn)】
[0007](專利文獻(xiàn)1)韓國公開專利公報(bào)10-1996-0016119
[0008]發(fā)明的內(nèi)容
[0009]本發(fā)明要解決的問題
[0010]本發(fā)明的目的為通過控制SAW過濾器的橫模(Transverse mode)而改善共振特性。
[0011]本發(fā)明的目的為通過控制SAW過濾器的橫模(Transverse mode)而改善共振特性的紋波(Ripple)。[〇〇12] 本發(fā)明的目的為減少SAW過濾器的插入損失(Insert1n loss) 〇
[0013]本發(fā)明的目的為改善SAW過濾器特性并減少工藝步驟。
[0014]解決問題的技術(shù)方案
[0015]根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例的SAW過濾器,包括:基板;上部母線,配置于所述基板上; 下部母線,在所述基板上與所述上部母線相對(duì)地配置;第1叉指IDT,一端與所述上部母線連接而配置;第2叉指IDT,一端與所述下部母線連接而配置;鈍化部,形成于所述第1叉指IDT 及第2叉指IDT上;第1金屬部,形成于所述鈍化部上,包括全部所述上部母線區(qū)域,并且,包括所述第1叉指IDT的一部分區(qū)域;第2金屬部,形成于所述鈍化部上,包括全部所述下部母線區(qū)域,并且,包括所述第2叉指IDT的一部分區(qū)域。
[0016]所述第1金屬部及所述第2金屬部由銅(Cu)形成。[〇〇17]所述第1金屬部包括全部所述上部母線區(qū)域,并且,相比所述上部母線區(qū)域更寬地形成;所述第2金屬部包括所述下部母線區(qū)域,并且,相比所述下部母線區(qū)域較寬地形成。
[0018]根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例的SAW過濾器,包括:基板;上部母線,配置于所述基板上;下部母線,在所述基板上與所述上部母線相對(duì)地配置;第1叉指IDT,一端與所述上部母線連接而配置;第2叉指IDT,一端與所述下部母線連接而配置;鈍化部,形成于所述第1叉指 IDT及第2叉指IDT上;第1金屬部,形成于所述鈍化部上,包括所述上部母線區(qū)域的一部分; 第2金屬部,形成于所述鈍化部上,包括從所述第1叉指IDT的與所述上部母線區(qū)域連接的一端開始至所述第1叉指IDT—部分區(qū)域,并且,包括所述第2叉指IDT的一部分區(qū)域;第3金屬部,形成于所述鈍化部上,包括所述下部母線區(qū)域的一部分;第4金屬部,形成于所述鈍化部上,包括從所述第2叉指IDT的與所述下部母線區(qū)域連接的一端開始至所述第2叉指IDT的一部分區(qū)域,并且,包括所述第1叉指IDT的一部分區(qū)域。
[0019]所述第1金屬部,包所述上部母線的一部分區(qū)域,并且,由未連接于所述第1叉指 IDT的所述上部母線方向包括所述上部母線區(qū)域以上而形成。
[0020]所述第3金屬部,包括所述下部母線的一部分區(qū)域,并且,由未連接于所述第2叉指 IDT的所述下部母線方向包括所述下部母線區(qū)域以上而形成。
[0021]所述第1金屬部、所述第2金屬部、所述第3金屬部及所述第4金屬部由銅(Cu)形成。
[0022]根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例的SAW過濾器,包括:基板;上部母線,配置于所述基板上;下部母線,在所述基板上與所述上部母線相對(duì)地配置;第1叉指IDT,一端與所述上部母線連接而配置;第2叉指IDT,一端與所述下部母線連接而配置;鈍化部,形成于所述第1叉指 IDT及第2叉指IDT上;第1金屬部,形成于所述鈍化部上,包括所述上部母線區(qū)域的一部分; 第2金屬部,形成于所述鈍化部上,包括從所述第2叉指IDT的另一端開始至所述第2叉指IDT 的一部分區(qū)域,并且,包括所述第1叉指IDT的一部分區(qū)域;第3金屬部,形成于所述鈍化部上,包括所述下部母線的一部分區(qū)域;第4金屬部,形成于所述鈍化部上,包括從所述第1叉指IDT的另一端開始至所述第1叉指IDT的一部分區(qū)域,并且,包括所述第2叉指IDT的一部分區(qū)域。
[0023]所述第1金屬部包括所述上部母線的一部分區(qū)域,并且,由未連接于所述第1叉指 IDT的所述上部母線方向包括所述上部母線區(qū)域以上。
[0024]所述第3金屬部包括所述下部母線的一部分區(qū)域,并且,由未連接于所述第2叉指 IDT的所述下部母線方向包括所述下部母線區(qū)域以上。
[0025]所述第1金屬部、所述第2金屬部、所述第3金屬部及所述第4金屬部由銅(Cu)形成。
[0026]發(fā)明的效果
[0027]本發(fā)明具有如下效果:通過控制SAW過濾器的橫模(Transverse mode)而改善共振特性。
[0028]本發(fā)明具有如下效果:通過控制SAW過濾器的橫模(Transverse mode)而改善共振特性的紋波(Ripple)。[0〇29] 本發(fā)明具有如下效果:減少SAW過濾器的插入損失(Insert1n loss) 〇
[0030]本發(fā)明具有如下效果:改善SAW過濾器特性并減少工藝步驟。【附圖說明】[0031 ]圖1為根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例的SAW過濾器的平面圖;
[0032]圖2為根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例的SAW過濾器的截面圖;
[0033]圖3為根據(jù)發(fā)明的另一實(shí)施例的SAW過濾器的平面圖;
[0034]圖4為根據(jù)發(fā)明的另一實(shí)施例的SAW過濾器的截面圖;
[0035]圖5為根據(jù)本發(fā)明的又另一實(shí)施例的SAW過濾器的平面圖;
[0036]圖6為根據(jù)本發(fā)明的又另一實(shí)施例的SAW過濾器的截面圖。[〇〇37]附圖符號(hào)說明
[0038]110,210,310:基板
[0039]121,221,321:上部母線
[0040]122,222,322:下部母線[0041 ]131,231,331:第 1叉指 IDT
[0042]132,232,332:第 2叉指 IDT
[0043]140,240,340:鈍化部
[0044]151,251,351:第1金屬部
[0045]152,252,352:第 2金屬部[〇〇46]253,353:第 3金屬部[〇〇47]254,354:第 4金屬部【具體實(shí)施方式】[〇〇48]在此說明的實(shí)施例是為了使得本發(fā)明領(lǐng)域的普通技術(shù)人員容易地理解本發(fā)明的技術(shù)思想而提供,本發(fā)明并非限定于此。并且,參附的附圖中表現(xiàn)的事項(xiàng)是為了容易地說明本發(fā)明的實(shí)施例而圖示化的附圖,因此,可與實(shí)際體現(xiàn)的的形態(tài)相異。
[0049]實(shí)施例中各層(膜)、區(qū)域、圖案或結(jié)構(gòu)物形成于基板、各層(膜)、區(qū)域、板或圖案的〃上/上面(on) 〃或〃下/下面(under) 〃的記載包括直接或介入其他層而形成。各層的上/上面或下/下面的基準(zhǔn)以附圖為基準(zhǔn)進(jìn)行說明。并且,某一個(gè)部分與其他部分"連接"不僅包括’直接地連接’的情況,而且,還包括在其中間介入其他部件而’間接地連接’的情況。并且,某一個(gè)部分〃包括〃某構(gòu)成要素是指只要無特別相反的記載并非排除其他構(gòu)成要素,而是還可形成有其他構(gòu)成要素。為了說明的明確性及便利,附圖中的各層(膜)、區(qū)域、圖案或結(jié)構(gòu)物的厚度和大小可變形,并非全部反應(yīng)實(shí)際大小。
[0050]并且,’包括’某構(gòu)成要素是’開放型'的表現(xiàn),單純地指存在相應(yīng)的構(gòu)成要素,不能理解為排出附加性的構(gòu)成要素。
[0051]圖1為根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例的SAW過濾器的平面圖;圖2為根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例的SAW過濾器的截面圖。參照圖1及圖2,根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例的SAW過濾器,包括:基板 110;上部母線121,在基板110上配置;下部母線122,與上部母線121相對(duì)地在基板110上配置;IDT電極部,包括一端與上部母線121連接而配置的第1叉指IDT131及一端與下部母線 122連接而配置的第2叉指IDT132。并且,包括:鈍化部140,在IDT電極部上形成;第1金屬部 151,包括全部上部母線121區(qū)域,并包括第1叉指IDT131的部分區(qū)域而在鈍化部140上形成; 第2金屬部152,包括全部下部母線122區(qū)域,包括第2叉指IDT132的部分區(qū)域而在鈍化部140 上形成。[〇〇52]根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例的SAW過濾器是為了在包括上部母線121、下部母線122、第 1叉指101'131、第2叉指101'132的通常的101'電極上部形成金屬部151,152而控制341過濾器的寄生效應(yīng)。與通常的IDT電極部相同地,根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例的SAW過濾器,包括:上部母線121、下部母線122,第1叉指IDT131、第2叉指IDT132。第1叉指IDT131的一端連接于上部母線121,另一端與下部母線122相隔一定距離地配置。第2叉指IDT132的一端連接于下部母線122,另一端與上部母線121相隔一定距離地配置。第1叉指IDT131可配置多個(gè),第2叉指 IDT132也可配置多個(gè)。配置多個(gè)時(shí),第2叉指IDT132配置于各個(gè)第1叉指IDT131之間。[〇〇53] 在基板110上配置IDT電極部時(shí),在IDT電極部上部形成有鈍化部140。鈍化部140是為了保護(hù)IDT電極部而形成。在鈍化部140上部形成有第1金屬部151及第2金屬部152。參照圖1,第1金屬部151是包括全部上部母線121區(qū)域和第1叉指IDT131部分區(qū)域和第2叉指 IDT132部分區(qū)域而形成。第1金屬部151是包括從連接于上部母線121的第1叉指IDT131的一端至第1叉指IDT131的部分區(qū)域而形成。與此同時(shí),第1金屬部151包括從未連接于上部母線 121的第2叉指IDT132的另一端至第2叉指IDT132的部分區(qū)域而形成。[〇〇54] 并且,第1金屬部151包括全部上部母線121區(qū)域,相比上部母線121區(qū)域更寬地形成,第2金屬部152包括全部下部母線122區(qū)域,相比下部母線122區(qū)域更寬地形成。如果第1 金屬部151相比上部母線121區(qū)域更寬地形成,第2金屬部152相比下部母線122區(qū)域更寬地形成,經(jīng)過不復(fù)雜的工藝步驟,也能夠改善共振特性。
[0055]圖3為根據(jù)發(fā)明的另一實(shí)施例的SAW過濾器的平面圖;圖4為根據(jù)發(fā)明的另一實(shí)施例的SAW過濾器的截面圖。如圖3及圖4所示,根據(jù)發(fā)明的另一實(shí)施例的SAW過濾器,包括:基板210;上部母線221,配置于基板21上;下部母線222,與上部母線221相對(duì)地配置于基板210 上;IDT電極部,包括一端連接于上部母線221而配置的第1叉指IDT231和一端連接于下部母線222而配置的第2叉指IDT232。并且,包括:在IDT電極部上形成的鈍化部240、包括上部母線221區(qū)域的一部分而在鈍化部240上形成的第1金屬部251、從第1叉指IDT231的與上部母線221區(qū)域連接的一端至第1叉指IDT231的一部分區(qū)域。并且,包括:包括第2叉指IDT232的一部分區(qū)域而在鈍化部240上形成的第2金屬部252;包括下部母線222區(qū)域的一部分而在鈍化部240上形成的第3金屬部253;包括從第2叉指IDT232的連接于下部母線222區(qū)域的一端至第2叉指IDT232的一部分區(qū)域,并且,包括第1叉指IDT231的一部分區(qū)域,在鈍化部240形成的第4金屬部254。[〇〇56]根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例的SAW過濾器在鈍化部240上形成有4個(gè)金屬部251,252, 253,254。第1金屬部251包括上部母線221的部分區(qū)域而形成。第1金屬部251不包括第1叉指 IDT231或第2叉指IDT232,并包括上部母線221的一部分區(qū)域,并且,向未連接于第1叉指 IDT231的上部母線221方向,包括上部母線221之外區(qū)域的一部分而形成。第1金屬部251包括除IDT電極部之外的區(qū)域的一部分,具有一定面積地形成。[〇〇57] 第2金屬部252不包括上部母線221區(qū)域,而包括第1叉指IDT231的一部分區(qū)域及第 2叉指IDT232的一部分區(qū)域而形成。第2金屬部252包括從第1叉指IDT231的與上部母線221 區(qū)域連接的一端開始至第1叉指IDT231—部分區(qū)域而形成。此類第2金屬部252也包括第2叉指IDT232的一部分區(qū)域,包括從第2叉指IDT232的未與上部母線221區(qū)域連接的另一端開始的第2叉指IDT232—部分區(qū)域而形成。此類第2金屬部252不僅包括第1叉指IDT231—部分區(qū)域及第2叉指IDT232的一部分區(qū)域,而且包括IDT電極部之外區(qū)域的一部分而具有一定面積地形成。[〇〇58] 第3金屬部253不包括第1叉指IDT231或第2叉指IDT232,而包括下部母線222的一部分區(qū)域,由未與第2叉指IDT232連接的下部母線222方向包括除下部母線222之外區(qū)域的一部分而形成。第3金屬部253包括下部母線222的一部分區(qū)域和除IDT電極部之外的部分區(qū)域,具有一定面積地形成。[〇〇59] 第4金屬部254不包括下部母線222區(qū)域,而包括第1叉指IDT231的一部分區(qū)域及第 2叉指IDT232的一部分區(qū)域而形成。第4金屬部254包括從第2叉指IDT232的與下部母線222 區(qū)域連接的一端開始的第2叉指IDT232的一部分區(qū)域而形成。此類第4金屬部254也包括第1 叉指IDT231的部分區(qū)域,是包括從第1叉指IDT231的未與下部母線222區(qū)域連接的另一端開始的第1叉指IDT231—部分區(qū)域而形成。此類第4金屬部244不僅包括第1叉指IDT231的一部分區(qū)域及第2叉指IDT232的一部分區(qū)域,也包括除IDT電極部之外區(qū)域的部分,具有一定面積地形成。
[0060]此時(shí),第1金屬部251、第2金屬部252、第3金屬部253及第4金屬部254由銅(Cu)形成。
[0061]圖5為根據(jù)本發(fā)明的又另一實(shí)施例的SAW過濾器的平面圖,圖6為根據(jù)本發(fā)明的又另一實(shí)施例的SAW過濾器的截面圖。參照圖5及圖6,根據(jù)本發(fā)明的又另一實(shí)施例的SAW過濾器,包括:基板310;上部母線321,配置于基板310上;下部母線322,與上部母線321相對(duì)地配置于基板310上;IDT電極部,包括一端與上部母線321連接而配置的第1叉指IDT331和一端與下部母線322連接而配置的第2叉指IDT332。并且,包括在IDT電極部上形成的鈍化部340、 包括上部母線321區(qū)域的一部分而在鈍化部340上形成的第1金屬部351。并且,包括第2金屬部352,所述第2金屬部352包括由上部母線321方向的第2叉指IDT332的另一端開始的第2叉指IDT332部分區(qū)域,并包括第1叉指IDT331的一部分區(qū)域而在鈍化部340上形成。并且,包括第3金屬部353,其包括下部母線322區(qū)域的一部分,并在鈍化部340上形成。并且,包括第4金屬部354,所述第4金屬部354包括由下部母線322方向的第1叉指IDT331的另一端開始的第1 叉指IDT331部分區(qū)域,并包括第2叉指IDT332部分區(qū)域而在鈍化部340上形成。[〇〇62]根據(jù)本發(fā)明的又另一實(shí)施例的SAW過濾器,在鈍化部340上形成有4個(gè)金屬部351, 352,353,354。第1金屬部351包括上部母線321的部分區(qū)域而形成。第1金屬部351不包括第1 叉指IDT331及第2叉指IDT332,而包括上部母線321的部分區(qū)域,并且,包括從未與第1叉指 IDT331連接的上部母線321方向的除上部母線321之外區(qū)域的部分而形成。第1金屬部351包括IDT電極部之外的一部分區(qū)域,具有一定面積地形成。[〇〇63]第2金屬部352不包括上部母線321區(qū)域,而包括第1叉指IDT331的一部分區(qū)域及第 2叉指IDT332的一部分區(qū)域而形成。第2金屬部352包括從第2叉指IDT332的與下部母線322 區(qū)域連接的另一端開始的第2叉指IDT332的一部分區(qū)域而形成。第2金屬部352不僅包括第2 叉指IDT332的一部分區(qū)域,而且,包括第1叉指IDT331部分區(qū)域及除IDT電極部之外的區(qū)域的部分,具有一定面積地形成。[〇〇64] 第3金屬部353不包括第1叉指IDT331及第2叉指IDT332,而包括下部母線322的一部分區(qū)域,由未與第2叉指IDT332連接的下部母線322方向包括下部母線322之外區(qū)域的部分而形成。第3金屬部353包括下部母線322的一部分區(qū)域和IDT電極部之外的部分,具有一定面積地形成。[〇〇65] 第4金屬部354不包括下部母線322區(qū)域,而包括第2叉指IDT332的一部分區(qū)域及第 1叉指IDT331的一部分區(qū)域而形成。第4金屬部354包括從第1叉指IDT331的未與上部母線321區(qū)域連接的另一端開始的第1叉指IDT331部分區(qū)域而形成。第4金屬部354不僅包括第1 叉指IDT331部分區(qū)域,而且,還包括第2叉指IDT332—部分區(qū)域及除IDT電極部之外的區(qū)域的一部分,具有一定面積地形成。[〇〇66] 此時(shí),第1金屬部351、第2金屬部352、第3金屬部353及第4金屬部354由銅(Cu)形成。
[0067]如上述地,本發(fā)明的技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解,在不變更本發(fā)明的技術(shù)思想或必要性特征的前提下,可以其他的詳細(xì)的形態(tài)實(shí)施本發(fā)明。因此,應(yīng)當(dāng)理解如上記述的實(shí)施例在所有方面只是示例性的,而非限定性的。本發(fā)明的范圍通過權(quán)利要求范圍表現(xiàn), 而非通過上述的詳細(xì)的說明,并且,權(quán)利要求范圍的意義及范圍和從其等價(jià)概念導(dǎo)出的所有變更或變形形態(tài)均屬于本發(fā)明的范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種SAW過濾器,其特征在于,包括:基板;上部母線,配置于所述基板上;下部母線,在所述基板上與所述上部母線相對(duì)地配置;第1叉指IDT,一端與所述上部母線連接而配置;第2叉指IDT,一端與所述下部母線連接而配置;鈍化部,形成于所述第1叉指IDT及第2叉指IDT上;第1金屬部,形成于所述鈍化部上,包括全部所述上部母線區(qū)域,并且,包括所述第1叉 指IDT的一部分區(qū)域;第2金屬部,形成于所述鈍化部上,包括全部所述下部母線區(qū)域,并且,包括所述第2叉 指IDT的一部分區(qū)域。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的SAW過濾器,其特征在于,所述第1金屬部及所述第2金屬部由銅形成。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的SAW過濾器,其特征在于,所述第1金屬部包括全部所述上部母線區(qū)域,并且,相比所述上部母線區(qū)域更寬地形 成;所述第2金屬部包括所述下部母線區(qū)域,并且,相比所述下部母線區(qū)域較寬地形成。4.一種SAW過濾器,其特征在于,包括:基板;上部母線,配置于所述基板上;下部母線,在所述基板上與所述上部母線相對(duì)地配置;第1叉指IDT,一端與所述上部母線連接而配置;第2叉指IDT,一端與所述下部母線連接而配置;鈍化部,形成于所述第1叉指IDT及第2叉指IDT上;第1金屬部,形成于所述鈍化部上,包括所述上部母線區(qū)域的一部分;第2金屬部,形成于所述鈍化部上,包括從所述第1叉指IDT的與所述上部母線區(qū)域連接 的一端開始至所述第1叉指IDT—部分區(qū)域,并且,包括所述第2叉指IDT的一部分區(qū)域;第3金屬部,形成于所述鈍化部上,包括所述下部母線區(qū)域的一部分;第4金屬部,形成于所述鈍化部上,包括從所述第2叉指IDT的與所述下部母線區(qū)域連接 的一端開始至所述第2叉指IDT的一部分區(qū)域,并且,包括所述第1叉指IDT的一部分區(qū)域。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的SAW過濾器,其特征在于,所述第1金屬部,包所述上部母線的一部分區(qū)域,并且,由未連接于所述第1叉指IDT的 所述上部母線方向包括所述上部母線之外區(qū)域的一部分而形成。6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的SAW過濾器,其特征在于,所述第3金屬部,包括所述下部母線的一部分區(qū)域,并且,由未連接于所述第2叉指IDT 的所述下部母線方向包括所述下部母線之外區(qū)域的一部分而形成。7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的SAW過濾器,其特征在于,所述第1金屬部、所述第2金屬部、所述第3金屬部及所述第4金屬部由銅形成。8.—種SAW過濾器,其特征在于,包括:基板;上部母線,配置于所述基板上;下部母線,在所述基板上與所述上部母線相對(duì)地配置;第1叉指IDT,一端與所述上部母線連接而配置;第2叉指IDT,一端與所述下部母線連接而配置;鈍化部,形成于所述第1叉指IDT及第2叉指IDT上;第1金屬部,形成于所述鈍化部上,包括所述上部母線區(qū)域的一部分;第2金屬部,形成于所述鈍化部上,包括從所述第2叉指IDT的另一端開始至所述第2叉 指IDT的一部分區(qū)域,并且,包括所述第1叉指IDT的一部分區(qū)域;第3金屬部,形成于所述鈍化部上,包括所述下部母線的一部分區(qū)域;第4金屬部,形成于所述鈍化部上,包括從所述第1叉指IDT的另一端開始至所述第1叉 指IDT的一部分區(qū)域,并且,包括所述第2叉指IDT的一部分區(qū)域。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的SAW過濾器,其特征在于,所述第1金屬部包括所述上部母線的一部分區(qū)域,并且,由未連接于所述第1叉指IDT的 所述上部母線方向包括所述上部母線區(qū)域以上。10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的SAW過濾器,其特征在于,所述第3金屬部包括所述下部母線的一部分區(qū)域,并且,由未連接于所述第2叉指IDT的 所述下部母線方向包括所述下部母線區(qū)域以上。11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的SAW過濾器,其特征在于,所述第1金屬部、所述第2金屬部、所述第3金屬部及所述第4金屬部由銅形成。
【文檔編號(hào)】H03H9/64GK106026967SQ201610202203
【公開日】2016年10月12日
【申請日】2016年3月31日
【發(fā)明人】俞東浚
【申請人】Wisol株式會(huì)社
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