聲表面波濾波器的制造方法
【專利摘要】本發明提供一種與通帶的寬帶化對應的低損耗的聲表面波濾波器。本發明所涉及的梯型的聲表面波濾波器(10)利用LiTaO3壓電基板中傳播的漏波，具備形成在該壓電基板上的IDT電極，具有由該IDT電極構成的串聯諧振器以及并聯諧振器，表示通帶的帶寬的相對頻帶是2.5％以上，并聯諧振器的體波輻射的截止頻率比通帶更處于高頻側。
【專利說明】
聲表面波濾波器
技術領域
[0001]本發明涉及利用了漏波的聲表面波濾波器。
【背景技術】
[0002]作為被用于通信設備等的RF(Radio Frequency，射頻）電路的頻帶濾波器，聲表面 波濾波器被實用化。從將用于無線通信的頻率資源有效活用的觀點出發，作為移動電話的 通信頻帶而被分配多種頻帶。因此，聲表面波濾波器是根據多種頻率規格而被設計開發的。
[0003] 專利文獻1中公開了一種能夠應用于2GHz以上的高頻頻帶的聲表面波元件。具體 來講，作為形成在壓電基板上的IDT(Interdigital Transducer，交叉指型換能器）電極的 參數的適當的范圍，規定了膜厚為7.5%λ~8%λ(λ是IDT電極間距），并且線占有率（占空 比）是0.55~0.65。在壓電基板中使用45~46° Υ切割X傳播的鉭酸鋰單晶體。并且，通過利用 漏波，從而即使是頻帶為2GHz以上的高頻頻帶也能夠實現通帶中的低損耗性。
[0004] 在先技術文獻
[0005] 專利文獻
[0006] 專利文獻1:日本特開2013-102418號公報
[0007] 在專利文獻1公開的聲表面波元件中，為了實現通帶中的低損耗性，規定了作為 IDT電極的參數的膜厚以及線占有率，以使得構成聲表面波元件的諧振器的從諧振頻率到 反諧振頻率的傳播損耗變小。在通帶寬度為2.3%左右的窄帶規格的情況下，如專利文獻1 那樣，若諧振器的諧振點~反諧振點的傳播損耗變小，則能夠實現聲表面波濾波器的通帶 中的低損耗性。
[0008] 但是，在通帶寬度換算為相對頻帶(通帶寬度/中心頻率)是例如3%以上的寬帶規 格的情況下，通帶整個區域的聲表面波濾波器的傳播性能不僅由諧振器的諧振點~反諧振 點的傳播損耗決定。換句話說，存在越進行通帶的寬帶化，就越不能僅通過減少諧振器的諧 振點~反諧振點的傳播損耗來確保聲表面波濾波器的低損耗性的問題。

【發明內容】

[0009] 因此，本發明為了解決上述課題而作出，其目的在于，提供一種與通帶的寬帶化對 應的低損耗的聲表面波濾波器。
[0010] 為了實現上述目的，本發明的一方式所涉及的聲表面波濾波器是利用LiTa〇3壓電 基板中傳播的漏波，具備形成在所述LiTa0 3壓電基板上的IDT電極，且具有由該IDT電極構 成的串聯諧振器以及并聯諧振器的梯型的聲表面波濾波器，表示所述聲表面波濾波器的通 帶的帶寬的相對頻帶是2.5%以上，所述并聯諧振器的體波輻射增加的截止頻率比所述通 帶更處于高頻側。
[0011]由此，由于能夠將并聯諧振器的比反諧振頻率更靠高頻側的體波輻射增加的截止 頻率偏離到比濾波器通帶更靠高頻側，因此能夠減少通帶內的高頻側的插入損耗。
[0012] 此外，也可以所述相對頻帶是3.0%以上。
[0013] 由此，在能夠滿足梯型聲表面波濾波器中的諧振器的諧振Q值、反諧振Q值以及溫 度特性等基本特性的占空比的范圍內，能夠減少通帶內的高頻側的插入損耗。
[0014] 此外，也可以所述并聯諧振器的的梳形電極的膜厚相對于構成所述梳形電極的多 個電極指的反復間距的比例即標準化膜厚是9.0%以上且13.0%以下，并且，所述多個電極 指的線寬相對于所述多個電極指的所述線寬與空間寬度的相加值的比例即占空比是0.3以 上且0.8以下。
[0015] 此外，也可以所述標準化膜厚以及所述占空比處于圖1〇所示的區域A的范圍。
[0016] 由于通過選擇被這些規定的范圍的標準化膜厚以及占空比，能夠將上述截止頻率 偏離到比濾波器通帶更靠高頻側，因此能夠減少通帶內的高頻側的插入損耗。
[0017] 此外，本發明的一方式所涉及的聲表面波濾波器是利用LiTa〇3壓電基板中傳播的 漏波，具備形成在所述LiTa03壓電基板上的IDT電極，且具有由該IDT電極構成的串聯諧振 器以及并聯諧振器的梯型的聲表面波濾波器，其中，
[0018] 表示所述聲表面波濾波器的通帶的帶寬的相對頻帶是2.5%以上，比所述并聯諧 振器的體波輻射增加的截止頻率更靠高頻側的回波損耗是l.OdB以下。
[0019] 由此，由于在并聯諧振器的比反諧振頻率更靠高頻側的頻率區域，能夠充分減小 比體波輻射增加的截止頻率更靠高頻側的回波損耗，因此即使在上述截止頻率存在于通帶 內的情況下，也能夠減少通帶內的高頻側的插入損耗。
[0020] 此外，也可以所述相對頻帶是4.0%以上。
[0021] 此外，也可以所述并聯諧振器的梳形電極的膜厚相對于構成所述梳形電極的多個 電極指的反復間距的比例即標準化膜厚是10.3%以上且13.0%以下，并且，所述多個電極 指的線寬相對于所述多個電極指的所述線寬與空間寬度的相加值的比例即占空比是0.3以 上且0.8以下。
[0022] 此外，也可以所述標準化膜厚以及所述占空比處于圖10所示的區域B的范圍。
[0023] 由于通過選擇被這些規定的范圍的標準化膜厚以及占空比，能夠充分減小比上述 截止頻率更靠高頻側的回波損耗，因此即使在該截止頻率存在于通帶內的情況下，也能夠 減少通帶內的高頻側的插入損耗。
[0024]此外，本發明的一方式所涉及的聲表面波濾波器是利用LiTa03壓電基板中傳播的 漏波，具備形成在所述LiTa03壓電基板上的IDT電極，且具有由該IDT電極構成的諧振器的 縱耦合諧振器型的聲表面波濾波器，其中，
[0025] 表示所述聲表面波濾波器的通帶的帶寬的相對頻帶是2.5%以上，所述諧振器的 體波輻射增加的截止頻率比所述通帶更處于高頻側。
[0026] 由此，在縱耦合諧振器型的聲表面波濾波器中，由于能夠將比諧振器的反諧振頻 率更靠高頻側的體波輻射的截止頻率偏離到比濾波器通帶更靠高頻側，因此能夠減少通帶 內的尚頻側的插入損耗。
[0027]此外，本發明的一方式所涉及的聲表面波濾波器是利用LiTa03壓電基板中傳播的 漏波，具備形成在所述LiTa03壓電基板上的IDT電極，且具有由該IDT電極構成的諧振器的 縱耦合諧振器型的聲表面波濾波器，其中，
[0028]表示所述聲表面波濾波器的通帶的帶寬的相對頻帶是2.5%以上，比所述諧振器 的體波輻射損耗增加的截止頻率更靠高頻側的回波損耗是l.OdB以下。
[0029] 由此，在縱耦合諧振器型的聲表面波濾波器中，由于能夠充分減小比諧振器的反 諧振頻率更靠高頻側的體波輻射的比截止頻率更靠高頻側的回波損耗，因此能夠減少通帶 內的尚頻側的插入損耗。
[0030] 根據本發明所涉及的聲表面波濾波器，即使在通帶被寬帶化的情況下，也能夠實 現通帶內的低損耗性。
【附圖說明】
[0031] 圖1是實施例1所涉及的聲表面波濾波器的電路結構圖。
[0032] 圖2是示意性地表示實施例1所涉及的聲表面波濾波器的諧振器的俯視圖以及剖 視圖。
[0033] 圖3是對實施例1以及比較例1所涉及的聲表面波濾波器的通過特性進行比較的圖 表。
[0034] 圖4A是對實施例1以及比較例1所涉及的并聯諧振器的阻抗的頻率特性進行比較 的圖表。
[0035]圖4B是對實施例1以及比較例1所涉及的并聯諧振器的回波損耗(return loss)的 頻率特性進行比較的圖表。
[0036]圖5是表示標準化膜厚以及占空比與體波輻射的截止頻率的相關關系的圖表。
[0037] 圖6是實施例2所涉及的聲表面波濾波器的電路構成圖。
[0038] 圖7是表示實施例2以及比較例2所涉及的所涉及的聲表面波濾波器的通過特性的 圖表。
[0039] 圖8A是對實施例2以及比較例2所涉及的并聯諧振器的阻抗的頻率特性進行比較 的圖表。
[0040] 圖8B是對實施例2以及比較例2所涉及的并聯諧振器的回波損耗的頻率特性進行 比較的圖表。
[0041] 圖9是表示標準化膜厚以及占空比與回波損耗的相關關系的圖表。
[0042] 圖10是表示實施方式所涉及的聲表面波濾波器的標準化膜厚以及占空比的適當 范圍的圖表。
[0043] 圖11是實施例3所涉及的聲表面波濾波器的俯視示意圖。
[0044] 圖12是對實施例3以及比較例3所涉及的聲表面波濾波器的通過特性進行比較的 圖表。
[0045] -符號說明-
[0046] 10、20、30聲表面波濾波器
[0047] 10A、10B 梯型電路
[0048] 11壓電基板
[0049] 12密接層
[0050] 13主電極
[0051] 14a、14b IDT 電極
[0052] 101、102、103、104、105、111、112、121、122 串聯諧振器
[0053] 201、202、203、204、211、212、213、221、222、223 并聯諧振器
[0054] 301、302、303、304、305 匹配電感
[0055] 501、502、503、504、505 IDT
[0056] 601、602 反射器
[0057] 701、801、901 輸入端子
[0058] 702、803、902 輸出端子
[0059] 802 中間端子
【具體實施方式】
[0060]以下，使用實施例及其附圖來詳細說明本發明的實施方式。另外，以下所說明的實 施例都表示概括的或者具體的例子。以下實施例中所示的數值、形狀、材料、構成要素、構成 要素的配置以及連接方式等是一個例子，并不是限定本發明的主旨。關于以下實施例中的 構成要素之中獨立權利要求中未記載的構成要素，被說明為任意的構成要素。此外，附圖所 示的構成要素的大小或者大小的比并不一定是嚴密的。
[0061] (1.實施例 1)
[0062] [1-1 ·聲表面波濾波器的基本結構]
[0063] 對本發明的實施例1所涉及的聲表面波濾波器的基本結構進行說明。在本實施例 中，示例了被應用于TD_LTE(Time Division Long Term Evolution，分時長期演進)標準的 1^11(14謂&1'1'〇￥1^11(1-?;[]^61'(通帶：2555-2655]\0^，相對頻帶：3.84%)的帶通型的聲表面波 濾波器。另外，在本說明書中，所謂相對頻帶，被定義為通帶％除以中心頻率fo得到的值(Bw/ fo)〇
[0064] 圖1是實施例1所涉及的聲表面波濾波器10的電路結構圖。如該圖所示，聲表面波 濾波器10具備：串聯諧振器101~105、并聯諧振器201~204、匹配電感301以及302、輸入端 子701以及輸出端子702。
[0065]串聯諧振器101~105在輸入端子701與輸出端子702之間相互串聯連接。此外，并 聯諧振器201~204在輸入端子701、輸出端子702以及串聯諧振器101~105的各連接點與基 準端子(地)之間并聯連接。通過串聯諧振器101~105以及并聯諧振器201~204的上述連接 結構，聲表面波濾波器10構成梯型的帶通濾波器。此外，匹配電感301以及302分別連接在輸 入端子701以及輸出端子702與基準端子之間。
[0066]圖2是示意性地表示實施例1所涉及的聲表面波濾波器10的諧振器的俯視圖以及 剖視圖。在該圖中示出表示構成聲表面波濾波器10的多個諧振器之中的并聯諧振器201的 構造的俯視示意圖以及剖面示意圖。另外，圖2所示的并聯諧振器201是用于說明上述多個 諧振器的典型構造的例子，構成電極的電極指的根數或長度等并不限定于此。
[0067] 聲表面波濾波器10的各諧振器由壓電基板11、梳形（IDT:InterDigital Transducer)電極14a以及14b構成。
[0068]壓電基板11由44.5° Y切X傳播LiTa03壓電單晶體或者壓電陶瓷(在以X軸為中心軸 并以從Y軸起旋轉44.5°的軸為法線的面切斷的鉭酸鋰單晶體或者陶瓷，聲表面波在X軸方 向傳播的單晶體或者陶瓷)構成。
[0069] 如圖2的俯視圖所示，在壓電基板11上形成相互對置的一對IDT電極14a以及14b。 IDT電極14a由相互平行的多個電極指140a、將多個電極指140a連接的匯流條電極141a構 成。此外，IDT電極14b由相互平行的多個電極指140b、將多個電極指140b連接的匯流條電極 141b構成。多個電極指140a以及140b沿著與X軸方向正交的方向形成。
[0070] 此外，多個電極指140a以及140b和匯流條電極141a以及141b如圖2的剖視圖所示， 為密接層12與主電極13的層疊構造。密接層12是用于提高壓電基板11與主電極13的密接性 的層，作為材料，例如使用Ti。此外，作為材料，主電極13例如使用A1。另外，構成主電極13以 及密接層12的材料并不限定于上述金屬材料。進一步地，IDT電極14a以及14b也可以不是密 接層12與主電極13的層疊構造。IDT電極14a以及14b例如也可以由Ti、Al、Cu、Pt、Au、Ag、Pd 等金屬或者合金構成，此外，也可以由上述金屬或者合金所構成的多個層疊體構成。此外， 也可以以電極保護或者特性改善為目的，在壓電基板11上形成覆蓋密接層12以及主電極13 的電介質膜。
[0071] 本發明所涉及的聲表面波濾波器的主要部分特征是，規定了即使通帶被寬帶化也 能夠確保低損耗性的IDT電極的參數的適當的范圍。這里，所謂IDT電極的參數，是指標準化 膜厚以及占空比。標準化膜厚在將圖2所示的IDT電極14a以及14b的膜厚設為h、將IDT電極 14a或者14b的間距設為λ的情況下，被定義為h/λ。此外，占空比是多個電極指140a以及140b 的線寬占有率，是指該線寬相對于多個電極指140a以及140b的線寬與空間寬度的相加值的 比例。更具體來講，占空比在將構成IDT電極14a以及14b的電極指140a以及140b的線寬設為 W、將相鄰的電極指140a與電極指140b之間的空間寬度設為S的情況下，被定義為W/(W+S)。
[0072] 另外，實施例1所涉及的聲表面波濾波器10的標準化膜厚例如是h/A=l〇. 3%，占 空比是0.60。
[0073 ] 表1中表示實施例1所涉及的聲表面波濾波器10的串聯諧振器101~105、并聯諧振 器201~204、和匹配電感301以及302的設計參數(電容以及波長)的詳細。
[0074] 【表1】
[0075]
[0076]上述表1所示的各諧振器的波長由圖2所示的IDT電極14a或者14b的間距λ決定。此 外，表1所示的各諧振器的電容由電極指140a以及140b的長度、空間寬度S、線寬W以及壓電 基板11的介電常數等決定。
[0077]另外，在實施例1中，由9個諧振器構成T型的梯型濾波器，但也可以構成π型的梯型 濾波器。此外，諧振器的數量不局限于9個。
[0078] [ 1-2 ·聲表面波濾波器的動作原理]
[0079] 接下來，說明本實施方式所涉及的梯型的聲表面波濾波器的動作原理。
[0080] 并聯諧振器201~204分別在諧振特性方面具有諧振頻率frp以及反諧振頻率fap (>frp)。此外，串聯諧振器101~105分別在諧振特性方面具有諧振頻率frs以及反諧振頻 率fas( >frs>frp)。另外，雖然串聯諧振器101~105的諧振頻率frs大致一致，但如表1所 示，由于各諧振器的設計參數不同，因此也可以不一定一致。此外，對于串聯諧振器101~ 105的反諧振頻率fas、并聯諧振器201~204的諧振頻率rfp以及并聯諧振器201~204的反 諧振頻率fap而言也是同樣的，也可以不一定一致。
[0081] 在通過梯型的諧振器來構成帶通濾波器時，使并聯諧振器201~204的反諧振頻率 fap與串聯諧振器101~105的諧振頻率frs接近。由此，并聯諧振器201~204的阻抗接近于0 的諧振頻率rfp附近是低頻側阻止區域。此外，由此，若頻率增加，則在反諧振頻率fap附近， 并聯諧振器201~204的阻抗變高，并且，在諧振頻率frs附近，串聯諧振器101~105的阻抗 接近于0。由此，在反諧振頻率fap~諧振頻率frs的附近，在從輸入端子701到輸出端子702 的信號路線為信號通過區域。進一步地，若頻率變高，成為反諧振頻率fas附近，則串聯諧振 器101~105的阻抗變高，成為高頻側阻止區域。
[0082]在具有圖1以及圖2所示的上述構造以及上述動作原理的聲表面波濾波器10中，若 從輸入端子701輸入高頻信號，則在輸入端子701與基準端子之間產生電位差，由此，由于壓 電基板11變形導致產生在X方向傳播的聲表面波。這里，通過使IDT電極14a以及14b的間距λ 與通帶的波長大致一致，從而僅具有希望使其通過的頻率成分的高頻信號通過聲表面波濾 波器10。
[0083] [ 1-3 ·聲表面波濾波器的通過特性]
[0084]圖3是對實施例1以及比較例1所涉及的聲表面波濾波器的通過特性進行比較的圖 表。在該圖的圖表中，表示針對實施例1所涉及的聲表面波濾波器10(標準化膜厚h/A = 10.2%)以及比較例1所涉及的聲表面波濾波器(標準化膜厚h/A = 9.6%)的插入損耗的頻 率特性。另外，所謂本實施例中的插入損耗，是指對輸出端子702中的輸出功率相對于輸入 端子701中的輸入功率的比進行分貝顯示的參數。根據圖3的通過特性可知，與比較例1所涉 及的聲表面波濾波器(標準化膜厚h/A = 9.6%)相比，實施例1所涉及的聲表面波濾波器10 (標準化膜厚h/A=10.2%)在通帶內的高頻側更能夠實現低損耗化。使用圖4Α以及圖4Β來 說明其原因。
[0085]圖4Α是對實施例1以及比較例1所涉及的并聯諧振器201的阻抗的頻率特性進行比 較的圖表。此外，圖4Β是對實施例1以及比較例1所涉及的并聯諧振器201的回波損耗的頻率 特性進行比較的圖表。在圖4Α以及圖4Β中，對關于構成比較例1所涉及的聲表面波濾波器 (標準化膜厚h/A = 9.6%)的并聯諧振器以及構成實施例1所涉及的聲表面波濾波器10(標 準化膜厚h/A=10.2%)的并聯諧振器201的、阻抗（ = 201og|Z|)以及回波損耗(dB)進行比 較。另外，所謂本實施例中的回波損耗(反射損耗），是指對來自并聯諧振器201的反射功率 相對于向并聯諧振器201的輸入功率之比進行分貝顯示的參數。
[0086]根據圖4A以及圖4B，在諧振頻率frp(阻抗極小）~反諧振頻率fap(阻抗極大）附 近，在比較例1 (標準化膜厚h/A = 9.6% )以及實施例1 (標準化膜厚1ι/λ = 10.2% )的任意情 況下，回波損耗都是大約〇. 6dB以下，為良好的反射特性。
[0087]另一方面，可知在從通帶的高頻端附近即2.66GHz附近起高頻側的頻率區域，相比 于比較例1，實施例1的回波損耗更良好。從該高頻端附近起高頻側的頻率區域中的回波損 耗的差較大地影響通帶內的高頻側的插入損耗的差。
[0088] 比反諧振頻率fap更靠高頻側的回波損耗的惡化是由于表面波向壓電基板內部的 泄漏成分(體波輻射)增加所導致的。發明人發現，標準化膜厚h/λ越變大，體波輻射的截止 頻率(以下，記為f BR)越向高頻側移動，并且，體波輻射的電平也變小。這里，所謂體波輻射的 截止頻率fBR，被定義為表面波的聲速超過體波的聲速，體波所導致的損耗開始增加的頻率。
[0089] 另外，實施例1中的截止頻率fBR是2.73GHz，比較例1中的截止頻率是2.72GHz。
[0090] [1-4. IDT電極參數的最佳化]
[0091] 在現有的一般的窄帶的聲表面波濾波器(相對頻帶為2.3%以下）中，體波輻射損 耗的截止頻率fBR比濾波器通帶更充分靠近高頻側的衰減區域。因此，濾波器的插入損耗由 構成該濾波器的諧振器的諧振頻率~反諧振頻率的損耗決定，標準化膜厚h/λ的適當范圍 是7.5~8.0%，并且，占空比的適當范圍處于0.55~0.65(例如，專利文獻1)。
[0092] 但是，隨著聲表面波濾波器被寬帶化，體波輻射的截止頻率fBR存在于通帶內，由 此，通帶中的插入損耗惡化。
[0093] 從該觀點出發，為了減少聲表面波濾波器的通帶中的插入損耗，除了諧振器的諧 振頻率~反諧振頻率中的傳播損耗的減少，特別地，還需要進行考慮了并聯諧振器中的體 波輻射的影響的標準化膜厚以及占空比的設定。
[0094] 圖5是表示標準化膜厚以及占空比與體波輻射的截止頻率fBR的相關關系的圖表。 具體來講，圖5的圖表表示在使標準化膜厚以及占空比變化的情況下，通過有限元方法模擬 來解析體波福射的截止頻率fBR與并聯諧振器201的反諧振頻率fap的頻率間隔(fBR-fap)如 何變化的結果。
[0095]如圖5所示，在使占空比（0.30~0.80)恒定來觀察圖表的情況下，標準化膜厚h/λ 越大，頻率間隔（fBR-fap)越寬。此外，在使標準化膜厚h/λ(8.0~14.2)恒定來觀察的情況 下，占空比越大，頻率間隔（fBR-fap)越寬。由此可知，占空比以及標準化膜厚h/λ越大，體波 輻射的截止頻率fBR越向高頻側偏移。
[0096] 另外，在實施例1所涉及的聲表面波濾波器10(相對頻帶為3.84%)的情況下，能夠 使體波輻射的截止頻率fBR偏離到比通帶更靠高頻側的衰減區域的頻率間隔（f BR-fap)是 130MHz以上。該頻率間隔(fBR-fap)根據聲表面波濾波器10的相對頻帶而變化。例如，相對頻 帶是4 %的聲表面波濾波器的頻率間隔（fBR-fap)大約是155MHz，在相對頻帶是5 %的情況 下，大約是195MHz，在相對頻帶是6%的情況下，大約是235MHz。換句話說，需要隨著聲表面 波濾波器的帶寬％變寬而將頻率間隔(f BR-fap)設定為較寬。
[0097] 另外，圖5的圖表中表示了標繪實施例1所涉及的聲表面波濾波器10(標準化膜厚 h/A=l〇.2%)的點(雙重圓圈）以及標繪比較例1所涉及的聲表面波濾波器(標準化膜厚h/λ =9.6%)的點(雙重三角）。
[0098]此外，如上所述，雖然通過增大標準化膜厚或占空比，通帶內的體波輻射導致的損 耗的影響能夠變小，但另一方面，存在各諧振器的諧振Q值、反諧振Q值以及溫度特性惡化的 趨勢。進一步地，為了確保制造工序中的IDT電極的加工精度，標準化膜厚以及占空比被設 定了上限以及下限。從這些觀點出發，優選實施例1所涉及的聲表面波濾波器10的標準化膜 厚h/λ被設定為8%以上并且14%以下，此外，占空比被設定為0.30以上并且0.80以下。
[0099] 以上，聲表面波濾波器的相對頻帶越比2.3%左右寬，通帶的插入損耗就越不只是 由諧振器的諧振頻率~反諧振頻率的傳播損耗決定，比反諧振頻率更靠高頻側的體波輻射 導致的損耗越較大地影響。
[0100] 對此，本實施例所涉及的梯型的聲表面波濾波器10的特征在于，利用由44.5° Y切X 傳播LiTa03單晶體構成的壓電基板11中傳播的漏波，在壓電基板11上具有使2個IDT電極 14a以及14b對置形成的串聯諧振器101~105以及并聯諧振器201~204,相對頻帶為2.5% 以上，并聯諧振器201的體波輻射的截止頻率f BR比通帶更靠高頻側。
[0101] 由此，由于能夠使比并聯諧振器201的反諧振頻率fap更靠高頻側的體波輻射的截 止頻率fBR偏離到比濾波器通帶更靠高頻側，因此能夠減少通帶內的高頻側的插入損耗。
[0102] 另外，本實施例所涉及的壓電基板11是使用了44.5° Y切X傳播LiTa〇3單晶體的基 板，但單晶體材料的切斷角并不限定于此。換句話說，將LiTa03基板用作為壓電基板，利用 漏聲表面波，在2.5%以上的相對頻帶，并聯諧振器的體波輻射的截止頻率f BR比通帶更靠高 頻側的聲表面波濾波器的壓電基板的切斷角并不限定于44.5°Y。即使是使用了具有上述以 外的切斷角的LiTa0 3壓電基板的聲表面波濾波器，也能夠起到同樣的效果。
[0103] (2.實施例2)
[0104] 在本實施例中，與實施例1進行比較，來說明相對頻帶比實施例1更大的聲表面波 濾波器的標準化膜厚以及占空比的優化條件。
[0105] [2-1 ·聲表面波濾波器的基本結構]
[0106] 對本發明的實施例2所涉及的聲表面波濾波器的基本結構進行說明。在本實施例 中，示例了被應用于TD-LTE標準的8&11(141?11118311(1沖丨1七61(通帶 ：2496-26901〇^，相對頻 帶:7.46 % )的帶通型的聲表面波濾波器。
[0107] 圖6是實施例2所涉及的聲表面波濾波器20的電路結構圖。如該圖所示，聲表面波 濾波器20具備:梯型電路10A、梯型電路10B、匹配電感303、304以及305、輸入端子801、中間 端子802以及輸出端子803。梯型電路10A具備：串聯諧振器111以及112、并聯諧振器211~ 213。梯型電路10B具備：串聯諧振器121以及122、并聯諧振器221~223。
[0108] 梯型電路10A與梯型電路10B經由中間端子802而串聯連接。串聯諧振器111、112、 121以及122在輸入端子801與輸出端子803之間相互串聯連接。此外，并聯諧振器211、212、 213、221、222以及223在輸入端子801、中間端子802、輸出端子803、串聯諧振器111、112、121 以及122的連接點與基準端子(地)之間并聯連接。通過本連接結構，聲表面波濾波器20構成 梯型的帶通濾波器。此外，匹配電感303~305分別連接在輸入端子801、中間端子802以及輸 出端子803與基準端子之間。
[0109] 構成各諧振器的IDT電極以及壓電基板的基本結構與圖1所示的相同。具體來講， 在壓電基板11上形成相互對置的一對IDT電極14a以及14b。壓電基板11由44.5° Y切X傳播 LiTa03壓電單晶體或者壓電陶瓷構成。此外，IDT電極的層疊構造與實施例1相同。
[0110] 另外，實施例2所涉及的聲表面波濾波器20的標準化膜厚例如是h/A=l〇. 5% (實 施例2A)以及11.5% (實施例2B)，占空比是0.60。
[0111] 表2中表示了實施例2所涉及的聲表面波濾波器20的串聯諧振器111、112、121以及 122、并聯諧振器211、212、213、221、222以及223、和匹配電感303、304以及305的設計參數 (電容以及波長)的詳細。
[0112] 【表2】
[0113]
[0114] 上述表2所示的各諧振器的波長由圖2所示的IDT電極14a或者14b的間距λ決定。此 外，表2所示的各諧振器的電容由電極指140a以及140b的長度、空間寬度S、線寬W以及壓電 基板11的介電常數等決定。
[0115] 另外，在實施例2中，梯型電路10A以及梯型電路10B構成π型的梯型電路，但也可以 構成T型的梯型電路。此外，也可以連接3級以上的梯型電路。
[0116] [2-2.聲表面波濾波器的動作原理]
[0117]由于本實施例所涉及的梯型的聲表面波濾波器的動作原理與實施例1所涉及的梯 型的聲表面波濾波器的動作原理相同，因此省略說明。
[0118]在具有圖6所不的結構的聲表面波濾波器20中，若從輸入端子801輸入高頻信號， 則在輸入端子801與基準端子之間產生電位差，由此，由于壓電基板11變形導致產生在X方 向傳播的聲表面波。這里，通過使IDT電極14a以及14b的間距λ與通帶的波長大致一致，從而 僅具有希望使其通過的頻率成分的高頻信號通過聲表面波濾波器20。
[0119] [2-3.聲表面波濾波器的通過特性]
[0120] 圖7是對實施例2以及比較例2所涉及的聲表面波濾波器的通過特性進行比較的圖 表。在該圖的圖表中，實施例2Α所涉及的聲表面波濾波器20(標準化膜厚h/A=l〇.5%)、實 施例2Β所涉及的聲表面波濾波器20(標準化膜厚h/A=ll.5%)、以及比較例2所涉及的聲表 面波濾波器(標準化膜厚h/A = 9.5%)的插入損耗的頻率特性被進行比較。另外，所謂本實 施例中的插入損耗，是指對輸出端子803中的輸出功率相對于輸入端子801中的輸入功率之 比進行分貝顯示的參數。根據圖7的通過特性可知，與比較例2所涉及的聲表面波濾波器(標 準化膜厚h/A = 9.5%)相比，實施例2A以及實施例2B所涉及的聲表面波濾波器20(標準化膜 厚h/λ為10.5 %以上)更能夠在通帶內的高頻側實現低損耗化。使用圖8A以及圖8B來說明其 原因。
[0121] 圖8A是對實施例2以及比較例2所涉及的并聯諧振器211的阻抗的頻率特性進行比 較的圖表。此外，圖8B是對實施例2以及比較例2所涉及的并聯諧振器211的回波損耗的頻率 特性進行比較的圖表。在圖8A以及圖8B中，對針對構成比較例2所涉及的聲表面波濾波器 (標準化膜厚h/A = 9.5%)的并聯諧振器、構成實施例2A所涉及的聲表面波濾波器20(標準 化膜厚h/A= 10.5 % )的并聯諧振器211、以及構成實施例2B所涉及的聲表面波濾波器20(標 準化膜厚1ι/λ=11.5%)的并聯諧振器211的阻抗（=201og|Z|)以及回波損耗(dB)進行比 較。另外，所謂本實施例中的回波損耗(反射損耗），是指對來自并聯諧振器211的反射功率 相對于向并聯諧振器211的輸入功率之比進行分貝顯示的參數。
[0122] 如圖8B所示，可知不僅隨著標準化膜厚h/λ變大，體波輻射的截止頻率fBR向高頻側 移動，而且隨著標準化膜厚h/λ變大，比截止頻率f BR更靠高頻側的回波損耗有所改善。
[0123] 本實施例所涉及的聲表面波濾波器20的相對頻帶是7.46%，與實施例1所涉及的 聲表面波濾波器1〇(相對頻帶3.84%)相比，被進一步寬帶化。因此，為了將并聯諧振器211 的體波輻射的截止頻率f BR偏移到通帶的高頻側，該截止頻率fBR與并聯諧振器211的反諧振 頻率f ap的頻率間隔(f BR-f ap)需要是大約310MHz。難以獲取到用于確保該頻率間隔的標準 化膜厚以及占空比的適當條件。
[0124] 但是，在本實施例所涉及的聲表面波濾波器20中，通過減少比體波輻射的截止頻 率fBR更靠高頻側的回波損耗，從而即使截止頻率f BR處于通帶內，也能夠減少通帶的插入損 耗。
[0125] 另外，實施例2A中的截止頻率fBR是2.626此，實施例28中的截止頻率以[?是 2.64GHz，比較例2中的截止頻率是2.60GHz。
[0126] [2-4. IDT電極參數的最佳化]
[0127] 在現有的一般的窄帶的聲表面波濾波器(相對頻帶為2.3%以下）中，體波輻射的 截止頻率fBR比濾波器通帶更充分靠近高頻側的衰減區域。因此，濾波器的插入損耗幾乎由 構成該濾波器的諧振器的諧振頻率~反諧振頻率的損耗決定，標準化膜厚h/λ的適當范圍 是7.5~8.0%，并且，占空比的適當范圍處于0.55~0.65(例如，專利文獻1)。
[0128] 但是，隨著聲表面波濾波器被寬帶化，體波輻射的截止頻率fBR存在于通帶內，由 此，通帶中的插入損耗惡化。
[0129] 從該觀點出發，為了減少聲表面波濾波器的通帶中的插入損耗，除了諧振器的諧 振頻率~反諧振頻率中的傳播損耗的減少，還需要進行考慮了體波輻射所導致的損耗的影 響的標準化膜厚以及占空比的優化。
[0130] 圖9是表示標準化膜厚以及占空比與回波損耗的相關關系的圖表。具體來講，圖9 的圖表表示在使標準化膜厚以及占空比變化的情況下，通過有限元方法模擬來解析并聯諧 振器211的比體波輻射的截止頻率f BR更靠高頻側的回波損耗如何變化的結果。
[0131]如圖9所示，在將占空比（0.30~0.80)設為恒定來觀察圖表的情況下，標準化膜厚 h/λ越大，比截止頻率fBR更靠高頻側的回波損耗越小。此外，在將標準化膜厚h/A(8.0~ 14.2)設為恒定來觀察的情況下，占空比越大，比截止頻率f BR更靠高頻側的回波損耗越小。 由此，占空比以及標準化膜厚h/λ越大，越能夠減少比截止頻率fBR更靠高頻側的回波損耗。
[0132] 另外，在圖9的圖表中，表示了標繪實施例2A以及2B所涉及的聲表面波濾波器20 (標準化膜厚h/A=l〇. 5%以及11.5%)的點（雙重圓圈）、以及標繪比較例2所涉及的聲表面 波濾波器(標準化膜厚h/A = 9.5%)的點(雙重三角）。
[0133] 另外，如上所述，雖然通過增大標準化膜厚或占空比，能夠減小通帶內的體波輻射 所導致的損耗的影響，但在本實施例中，也從與實施例1同樣的觀點出發，標準化膜厚以及 占空比被設定了上限以及下限。換句話說，實施例2所涉及的聲表面波濾波器20的標準化膜 厚h/λ優選被設定為8%以上并且14%以下，此外，占空比優選被設定為0.30以上并且0.80 以下。
[0134] 以上，聲表面波濾波器的相對頻帶越比2.3%左右寬，通帶的插入損耗就越不只是 由諧振器的諧振頻率~反諧振頻率的傳播損耗決定，比反諧振頻率更靠高頻側的體波輻射 所導致的損耗越較大地影響。
[0135] 對此，本實施例所涉及的梯型的聲表面波濾波器20的特征在于，利用由44.5° Y切X 傳播LiTa03單晶體構成的壓電基板11中傳播的漏波，在壓電基板11上具有對置形成了 2個 IDT電極14a以及14b的串聯諧振器111、112、121以及122和并聯諧振器211~213以及221~ 223,相對頻帶為2.5%以上，并聯諧振器211的比體波輻射的截止頻率fBR更靠高頻側的回波 損耗是ldB以下。
[0136] 由此，由于比截止頻率fBR更靠高頻側的體波輻射所導致的損耗減少，因此能夠減 少通帶內的高頻側的插入損耗。
[0137] 另外，本實施例所涉及的壓電基板11使用了 44.5° Y切X傳播LiTa03單晶體，但單晶 體材料的切斷角并不局限于此。換句話說，將LiTa03基板用作為壓電基板，利用漏聲表面 波，在2.5%以上的相對頻帶，并聯諧振器的比體波輻射的截止頻率更靠高頻側的回波損耗 為ldB以下的聲表面波濾波器的壓電基板的切斷角并不限定于44.5° Y。即使是使用了具有 上述以外的切斷角的LiTa03壓電基板的聲表面波濾波器，也能夠起到同樣的效果。
[0138] (3.概括了實施例1以及實施例2時的IDT電極參數的最佳化）
[0139] 詳細說明概括了實施例1所涉及的聲表面波濾波器10的標準化膜厚以及占空比的 適當范圍與實施例2所涉及的聲表面波濾波器20的標準化膜厚以及占空比的適當范圍的情 況下的優化條件。
[0140] 圖10是表示實施方式所涉及的聲表面波濾波器的標準化膜厚以及占空比的適當 范圍的圖表。在該圖中，表示了為了對應于寬帶化而減少體波輻射的影響的聲表面波濾波 器的IDT電極的標準化膜厚以及占空比的適當范圍。圖10的橫軸表示聲表面波濾波器的相 對頻帶，縱軸表示使占空比變化的情況下的標準化膜厚。
[0141] 如圖10所示，根據聲表面波濾波器的相對頻帶的大小，標準化膜厚的適當值不同， 標準化膜厚以及占空比的適當范圍被粗略規定為3個相對頻帶范圍（范圍1~范圍3)。
[0142] 范圍1是聲表面波濾波器的相對頻帶較小（小于2.5%)的情況。在該情況下，是頻 率間隔(fBR-fap)相對于帶寬％而充分寬的狀態，通過現有的手法來考慮諧振器的諧振頻率 ~反諧振頻率的傳播損耗的影響即可。如圖10所示，在使用了42~46° Y切X傳播LiTa03壓電 基板的情況下，標準化膜厚h/λ在大約9%具有適當值。
[0143] 范圍2是聲表面波濾波器的相對頻帶處于2.5~4.0%的范圍的情況。該情況與實 施例1相對應，除了諧振器的諧振頻率~反諧振頻率的傳播損耗的影響，還可能將體波輻射 的截止頻率f BR偏離到比濾波器通帶更靠高頻側。在該情況下，根據相對頻帶，標準化膜厚的 適當范圍進行變化，與相對頻帶相應的標準化膜厚以及占空比處于圖10所示的區域A的范 圍。換句話說，標準化膜厚是9.0%以上13.0%以下，并且，占空比是0.3以上0.8以下。
[0144] 另外，區域A也可以通過被表示為(相對頻帶，標準化膜厚）的坐標A1-A4來規定。換 句話說，區域A是由連結六1(2.5,9.0)與42(3.3,9.0)的直線、連結42(3.3,9.0)與六3(4.0， 10.3)的占空比為0.80的線、連結43(4.0，10.3)與44(4.0，13.0)的直線、以及連結六4(4.0， 13.0)與六1(2.5,9.0)的占空比為0.30的線圍起的區域。
[0145] 進一步地，更優選將占空比設定為0.40~0.70的范圍。作為其理由，是因為能夠將 各諧振器的諧振Q值、反諧振Q值、以及溫度特性維持在規定性能，能夠縮小基于工序的加工 精度的頻率偏差等。此時的區域A為相對頻帶3.2%以上的范圍。
[0146] 范圍3是聲表面波濾波器的相對頻帶為4.0%以上的情況。該情況與實施例2相對 應，是比體波輻射的截止頻率fBR更靠高頻側的回波損耗為l.OdB以下的范圍。該情況下的適 當的標準化膜厚以及占空比處于圖10所示的區域B的范圍。換句話說，標準化膜厚是10.3% 以上13.0%以下，并且，相對頻帶是4.0%以上15.6%以下的范圍。另外，優選占空比是0.3 以上0.8以下。
[0147] 此外，將標準化膜厚設為13.0%以下是由于以下的理由。也就是說，若使標準化膜 厚大于13%，則聲表面波濾波器的基本特性即諧振器的諧振頻率~反諧振頻率的傳播損耗 惡化，通帶的插入損耗相反地惡化。
[0148] 另外，雖然實現了比體波輻射的截止頻率fBR更靠高頻側的回波損耗為l.OdB以下 這一實施例2的特征的標準化膜厚以及占空比是圖10中的區域B，但并不局限于此。例如，在 相對頻帶是2.5~4.0%的范圍2，也通過應用比截止頻率f BR更靠高頻側的回波損耗為1. OdB 以下的條件，來減少通帶的插入損耗。換句話說，實施例2所涉及的聲表面波濾波器20的適 當的標準化膜厚也可以為10.3%以上13.0%以下，并且，適當的占空比為0.30以上0.80以 下，相對頻帶為2.5%以上15.6%以下。
[0149] 由此，由于比截止頻率fBR更靠高頻側的體波輻射減少，因此即使在截止頻率fBR存 在于通帶外的情況下，也能夠進一步減少通帶內的高頻側的插入損耗。
[0150] 以上，根據本發明所涉及的聲表面波濾波器，在相對頻帶為4%以下的情況下，通 過應用區域A中的標準化膜厚以及占空比，能夠將比并聯諧振器的反諧振頻率fap更靠高頻 側的體波輻射的截止頻率f BR偏離到比濾波器通帶更靠高頻側，因此能夠減少通帶內的高頻 側的插入損耗。
[0151]此外，在相對頻帶為4%以上的情況下，由于并聯諧振器的比截止頻率fBR更靠高頻 側的回波損耗為ldB以下，體波輻射減少，因此即使在截止頻率fBR存在于通帶內的情況下， 也能夠減少通帶內的高頻側的插入損耗。
[0152] (4.實施例3)
[0153] 在本實施例中，對縱耦合型的聲表面波濾波器的低損耗化進行說明。
[0154] [4-1 ·聲表面波濾波器的基本結構]
[0155] 對本發明的實施例3所涉及的聲表面波濾波器的基本結構進行說明。在本實施例 中，示例了被應用于Band28(通帶：758-803MHZ，相對頻帶：5.76% )的帶通型的聲表面波濾 波器。
[0156] 圖11是實施例3所涉及的聲表面波濾波器30的俯視示意圖。如該圖所示，聲表面波 濾波器30具備：IDT501~505、反射器601以及602、輸入端子901以及輸出端子902。
[0157] IDT501~505分別由相互對置的一對IDT電極構成。IDT502以及504被配置為在X軸 方向夾著IDT503，IDT501以及505被配置為在X軸方向夾著IDT502、503以及504。反射器601 以及602被配置為在X軸方向夾著IDT501~505。此外，IDT502以及504在輸入端子901與基準 端子(地)之間并聯連接，IDT501、503以及505在輸出端子902與基準端子之間并聯連接。
[0158] IDT501~505以及壓電基板的基本結構與圖2所示的相同。具體來講，在壓電基板 上形成相互對置的一對IDT電極14a以及14b。壓電基板由42.0° Y切X傳播LiTa03壓電單晶體 或者壓電陶瓷構成。此外，IDT電極的層疊構造與實施例1以及實施例2相同。
[0159] 此外，實施例3所涉及的聲表面波濾波器30的標準化膜厚是h/A=l〇.9%，占空比 是0.70。
[0160] 表3中表示實施例3所涉及的聲表面波濾波器30的IDT501~505(以及反射器601以 及602)的設計參數(電容以及波長)的詳細。
[0161] 【表3】
[0163] [ 4-2 ·聲表面波濾波器的通過特性]
[0164] 圖12是對實施例3以及比較例3所涉及的聲表面波濾波器的通過特性進行比較的 圖表。該圖的圖表中，對關于實施例3所涉及的聲表面波濾波器30(標準化膜厚h/A = 10.9%)以及比較例3所涉及的聲表面波濾波器(標準化膜厚h/A = 9.0%)的插入損耗的頻 率特性進行比較。根據圖12的通過特性可知，與比較例3所涉及的聲表面波濾波器(標準化 膜厚h/λ = 9.0 % )相比，實施例3所涉及的聲表面波濾波器30 (標準化膜厚h/A= 10.9 % )更 能夠在通帶的高頻側實現低損耗化。
[0165] 縱耦合型的聲表面波濾波器的相對頻帶越比現有的2.3%左右寬，通帶的插入損 耗就越不只由諧振器的諧振頻率~反諧振頻率的傳播損耗決定，比反諧振頻率更靠高頻側 的體波輻射所導致的損耗越較大地影響。
[0166] 對此，實施例3所涉及的縱耦合型的聲表面波濾波器30的特征在于，利用由42.0° Y 切X傳播LiTa03單晶體構成的壓電基板中傳播的漏波，在壓電基板上具有IDT501~505,相 對頻帶為2.5%以上，由10了501~10了505以及壓電基板構成的諧振器的體波輻射的截止頻 率f BR比通帶更處于高頻側。
[0167] 由此，能夠將體波輻射的截止頻率fBR偏離到比濾波器通帶更靠高頻側，因此能夠 減少通帶的高頻端的插入損耗。
[0168] 此外，本實施例所涉及的聲表面波濾波器30的比上述諧振器的體波輻射損耗的截 止頻率fBR更靠高頻側的回波損耗也可以是ldB以下。
[0169] 由此，由于比截止頻率fBR更靠高頻側的體波輻射損耗減少，因此即使在截止頻率 fBR存在于通帶內的情況下，也能夠減少通帶內的高頻側的插入損耗。
[0170]另外，本實施例所涉及的壓電基板11使用了 42.0° Y切X傳播LiTa03單晶體，但單晶 體材料的切斷角并不限定于此。換句話說，將LiTa03基板用作為壓電基板，利用漏聲表面 波，在2.5 %以上的相對頻帶，諧振器的體波輻射的截止頻率fBR比通帶更處于高頻側的聲表 面波濾波器的壓電基板的切斷角并不限定于42.0°Y。此外，將LiTa0 3基板用作為壓電基板， 利用漏聲表面波，在2.5%以上的相對頻帶，諧振器的比體波輻射損耗的截止頻率更靠高頻 側的體波輻射損耗為ldB以下的聲表面波濾波器的壓電基板的切斷角并不限定于42.0°Y。 即使是使用了具有上述以外的切斷角的LiTa0 3壓電基板的聲表面波濾波器，也能夠起到同 樣的效果。
[0171] (5.其它的變形例等）
[0172] 以上，舉例實施例1~3來說明了本發明的實施方式所涉及的聲表面波濾波器，但 本發明并不限定于各個實施例。例如，對上述各實施例實施了如下變形的方式也能夠包含 于本發明。
[0173] 例如，在實施例1中，提取了多個并聯諧振器之中最接近于輸入端子701的并聯諧 振器201的體波輻射的截止頻率fBR，但并不局限于此。換句話說，也可以通過提取并聯諧振 器202~204的至少一個的截止頻率f BR，來規定該并聯諧振器的標準化膜厚以及占空比。
[0174] 此外，例如，在實施例2中，提取了多個并聯諧振器之中最接近于輸入端子801的并 聯諧振器211的比體波輻射的截止頻率f BR更靠高頻側的回波損耗，但并不局限于此。換句話 說，也可以通過提取并聯諧振器212、213、221、222以及223的至少一個的比截止頻率仏 ?更靠 高頻側的回波損耗，來規定該并聯諧振器的標準化膜厚以及占空比。
[0175] -工業可用性-
[0176] 本發明能夠作為相對頻帶較寬的低損耗的聲表面波濾波器，廣泛應用于移動電話 等通信設備。
【主權項】
1. 一種聲表面波濾波器，其是利用LiTa〇3壓電基板中傳播的漏波，具備形成在所述 LiTa03壓電基板上的IDT電極，且具有由該IDT電極構成的串聯諧振器以及并聯諧振器的梯 型的聲表面波濾波器，其中， 表示所述聲表面波濾波器的通帶的帶寬的相對頻帶是2.5%以上，所述并聯諧振器的 體波輻射增加的截止頻率比所述通帶更處于高頻側。2. 根據權利要求1所述的聲表面波濾波器，其中， 所述相對頻帶是3.0%以上。3. 根據權利要求1所述的聲表面波濾波器，其中， 所述并聯諧振器的梳形電極的膜厚相對于構成所述梳形電極的多個電極指的反復間 距的比例即標準化膜厚是9.0%以上且13.0%以下，并且，所述多個電極指的線寬相對于所 述多個電極指的所述線寬與空間寬度的相加值的比例即占空比是0.3以上且0.8以下。4. 根據權利要求3所述的聲表面波濾波器，其中， 所述標準化膜厚以及所述占空比處于圖10所示的區域A的范圍。5. -種聲表面波濾波器，其是利用LiTa03壓電基板中傳播的漏波，具備形成在所述 LiTa03壓電基板上的IDT電極，且具有由該IDT電極構成的串聯諧振器以及并聯諧振器的梯 型的聲表面波濾波器，其中， 表示所述聲表面波濾波器的通帶的帶寬的相對頻帶是2.5%以上，比所述并聯諧振器 的體波輻射增加的截止頻率更靠高頻側的回波損耗是1. OdB以下。6. 根據權利要求5所述的聲表面波濾波器，其中， 所述相對頻帶是4.0 %以上。7. 根據權利要求5所述的聲表面波濾波器，其中， 所述并聯諧振器的梳形電極的膜厚相對于構成所述梳形電極的多個電極指的反復間 距的比例即標準化膜厚是10.3%以上且13.0%以下，并且，所述多個電極指的線寬相對于 所述多個電極指的所述線寬與空間寬度的相加值的比例即占空比是0.3以上且0.8以下。8. 根據權利要求7所述的聲表面波濾波器，其中， 所述標準化膜厚以及所述占空比處于圖10所示的區域B的范圍。9. 一種聲表面波濾波器，其是利用LiTa03壓電基板中傳播的漏波，具備形成在所述 LiTa03壓電基板上的IDT電極，且具有由該IDT電極構成的諧振器的縱耦合諧振器型的聲表 面波濾波器，其中， 表示所述聲表面波濾波器的通帶的帶寬的相對頻帶是2.5%以上，所述諧振器的體波 輻射增加的截止頻率比所述通帶更處于高頻側。10. -種聲表面波濾波器，其是利用LiTa03壓電基板中傳播的漏波，具備形成在所述 LiTa03壓電基板上的IDT電極，且具有由該IDT電極構成的諧振器的縱耦合諧振器型的聲表 面波濾波器，其中， 表示所述聲表面波濾波器的通帶的帶寬的相對頻帶是2.5%以上，比所述諧振器的體 波輻射損耗增加的截止頻率更靠高頻側的回波損耗是1.OdB以下。
【文檔編號】H03H9/02GK106026962SQ201610176412
【公開日】2016年10月12日
【申請日】2016年3月24日
【發明人】中橋憲彥, 宮本幸治
【申請人】株式會社村田制作所