本發明涉及半導體，具體涉及一種研磨墊修整控制方法及裝置、存儲介質、cmp設備。

背景技術：

1、在化學機械拋光（cmp）設備工藝中，研磨墊修整器（pad?conditioner，pc）?用來打磨研磨墊，剔除研磨墊表面的研磨副產物以及切削被副產物堵塞的研磨墊表層，露出新的多孔組織，讓新鮮的拋光液（slurry）得以與晶圓研磨表面充分接觸，發生物理化學研磨。

2、然而，現有cmp設備對研磨墊的修整效率較低，影響晶圓生產。

技術實現思路

1、本發明要解決的問題是：如何提高研磨墊的修整效率。

2、為解決上述問題，本發明實施例提供了一種研磨墊修整控制方法，所述方法包括：

3、接收研磨墊修整配置信息；

4、基于所述研磨墊修整配置信息，模擬所述研磨墊修整器在所述研磨墊表面的打磨軌跡并輸出模擬結果，以基于所述模擬結果對研磨墊修整進行控制。

5、在一種可能的實施例中，所述研磨墊修整配置信息，包括，運動控制信息；所述運動控制信息包括：所述研磨墊的轉速信息以及所述研磨墊修整器的掃描速度信息。

6、在一種可能的實施例中，所述運動控制信息還包括：時間比例信息，用于控制打磨軌跡模擬過程的播放速度。

7、在一種可能的實施例中，所述研磨墊修整配置信息，還包括：角度配置信息及研磨墊區域配置信息中至少一種。

8、在一種可能的實施例中，所述研磨墊修整配置信息，還包括：研磨墊中心區域軌跡控制信息。

9、在一種可能的實施例中，所述研磨墊修整器包括：修整盤；所述研磨墊修整器中心區域軌跡控制信息，包括：修整盤模擬直徑信息、透明度信息以及疊加加深指示信息。

10、在一種可能的實施例中，所述模擬所述研磨墊修整器在所述研磨墊表面的打磨軌跡，包括：

11、模擬所述研磨墊修整器非中心區域在所述研磨墊表面打磨軌跡模擬，以及模擬所述研磨墊中心區域的軌跡密度。

12、在一種可能的實施例中，所述研磨墊修整器包括：修整盤；所述修整盤上設置有沿徑向分布的若干層鉆石；

13、所述研磨墊修整配置信息，還包括：環繞鉆石控制信息，包括模擬對象指示信息；所述模擬對象指示信息用于指示所述修整盤上作為模擬對象鉆石層的標識信息。

14、在一種可能的實施例中，所述環繞鉆石控制信息還包括：模擬對象的配置信息；所述模擬對象的配置信息包括：軌跡顏色信息、鉆石數量信息以及模擬對象轉速信息。

15、在一種可能的實施例中，所述研磨墊修整配置信息，還包括：軌跡平滑度配置信息，用于指示打磨軌跡模擬過程中軌跡線的平滑度。

16、在一種可能的實施例中，所述模擬所述研磨墊修整器在所述研磨墊表面的打磨軌跡，包括：

17、動態模擬所述研磨墊修整器在所述研磨墊表面的打磨軌跡累積變化并進行實時顯示。

18、在一種可能的實施例中，所述方法還包括：

19、基于當前的打磨軌跡累積圖像進行熱力分析，并輸出對應的熱力圖。

20、本發明實施例還提供了一種計算機可讀存儲介質，其上存儲有計算機程序，所述計算機程序被處理器執行，以實現上述任一種所述方法的步驟。

21、本發明實施例還提供了一種cmp設備，包括存儲器和處理器，所述存儲器上存儲有能夠在所述處理器上運行的計算機程序，所述處理器運行所述計算機程序時執行上述任一種所述方法的步驟。

22、與現有技術相比，本發明實施例的技術方案具有以下優點：

23、應用本發明的方案，接收研磨墊修整配置信息，進而可以模擬所述研磨墊修整器在所述研磨墊表面的打磨軌跡并輸出模擬結果，后續可以基于模擬結果對研磨墊修整進行控制。由于模擬結果可以直觀地顯示研磨墊修整器在研磨墊表面的打磨軌跡，由此可以使得用戶能夠直觀地獲知研磨墊表面的形貌，無須再進行研磨試驗，從而可以有效縮短研磨墊的修整時長，提高修整效率，最終提高晶圓的研磨效率，利于量產。

1.一種研磨墊修整控制方法，其特征在于，包括：

2.如權利要求1所述的研磨墊修整控制方法，其特征在于，所述研磨墊修整配置信息，包括，運動控制信息；所述運動控制信息包括：所述研磨墊的轉速信息以及所述研磨墊修整器的掃描速度信息。

3.如權利要求2所述的研磨墊修整控制方法，其特征在于，所述運動控制信息還包括：時間比例信息，用于控制打磨軌跡模擬過程的播放速度。

4.如權利要求2所述的研磨墊修整控制方法，其特征在于，所述研磨墊修整配置信息，還包括：角度配置信息及研磨墊區域配置信息中至少一種。

5.如權利要求2或4所述的研磨墊修整控制方法，其特征在于，所述研磨墊修整配置信息，還包括：研磨墊中心區域軌跡控制信息。

6.如權利要求5所述的研磨墊修整控制方法，其特征在于，所述研磨墊修整器包括：修整盤；所述研磨墊修整器中心區域軌跡控制信息，包括：修整盤模擬直徑信息、透明度信息以及疊加加深指示信息。

7.如權利要求5所述的研磨墊修整控制方法，其特征在于，所述模擬所述研磨墊修整器在所述研磨墊表面的打磨軌跡，包括：

8.如權利要求2或4所述的研磨墊修整控制方法，其特征在于，所述研磨墊修整器包括：修整盤；所述修整盤上設置有沿徑向分布的若干層鉆石；

9.如權利要求8所述的研磨墊修整控制方法，其特征在于，所述環繞鉆石控制信息還包括：模擬對象的配置信息；所述模擬對象的配置信息包括：軌跡顏色信息、鉆石數量信息以及模擬對象轉速信息。

10.如權利要求2或4所述的研磨墊修整控制方法，其特征在于，所述研磨墊修整配置信息，還包括：軌跡平滑度配置信息，用于指示打磨軌跡模擬過程中軌跡線的平滑度。

11.如權利要求1所述的研磨墊修整控制方法，其特征在于，所述模擬所述研磨墊修整器在所述研磨墊表面的打磨軌跡，包括：

12.如權利要求1所述的研磨墊修整控制方法，其特征在于，還包括：

13.一種研磨墊修整控制裝置，其特征在于，包括：

14.一種計算機可讀存儲介質，其上存儲有計算機程序，其特征在于，所述計算機程序被處理器執行，以實現權利要求1至12任一項所述方法的步驟。

15.一種cmp設備，包括存儲器和處理器，所述存儲器上存儲有能夠在所述處理器上運行的計算機程序，其特征在于，所述處理器運行所述計算機程序時執行權利要求1至12任一項所述方法的步驟。