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相位差膜、偏振片和液晶顯示裝置的制作方法

文檔序號:41984525發布日期:2025-05-23 16:40閱讀:20來源:國知局

本發明涉及相位差膜、偏振片和液晶顯示裝置。更詳細而言,本發明涉及可以抑制剛從高濕度環境下取出的液晶顯示裝置中的對比度不均的相位差膜、以及具備該相位差膜的偏振片和液晶顯示裝置。


背景技術:

1、在層疊結構的乙酸纖維素膜中,已知有大多在表面層加入消光劑或者僅在表面層加入消光劑的技術(參照專利文獻1)。

2、然而,這樣的乙酸纖維素膜在剛從高濕度環境下取出時會發生對比度的不均勻,因此可能在運輸后的檢查等時成為問題。

3、現有技術文獻

4、專利文獻

5、專利文獻1:日本特開2011-162769號公報


技術實現思路

1、本發明是鑒于上述情況而完成的。本發明要解決的課題在于提供一種可以抑制剛從高濕度環境下取出的液晶顯示裝置中的對比度不均的相位差膜、以及具備該相位差膜的偏振片和液晶顯示裝置。

2、本發明人為了解決上述課題,對上述課題的原因等進行了研究。結果本發明人發現:通過在依次具有第1層、第2層和第3層的相位差膜中,使第1層、第2層和第3層均含有乙酰纖維素和微粒,第2層含有的乙酰纖維素的乙酰基的取代度為2.0~2.6的范圍內,第2層進一步含有兩末端具有羥基的聚酯,第2層的微粒的含有率[質量%]大于第1層和第3層的微粒的含有率[質量%],由此能夠解決上述課題,從而完成了本發明。

3、即,本發明涉及的上述課題通過以下方法解決。

4、1.一種相位差膜,其特征在于,依次具有第1層、第2層和第3層,

5、上述第1層、上述第2層和上述第3層均含有乙酰纖維素和微粒,

6、上述第2層含有的上述乙酰纖維素的乙?;娜〈葹?.0~2.6的范圍內,

7、上述第2層進一步含有兩末端具有羥基的聚酯,

8、上述第2層的上述微粒的含有率[質量%]大于上述第1層和上述第3層的上述微粒的含有率[質量%]。

9、2.根據第1項所述的相位差膜,其特征在于,上述第2層的上述微粒的含有率[質量%]為上述第1層和上述第3層的上述微粒的平均含有率[質量%]的2~5倍的范圍內。

10、3.根據第1項所述的相位差膜,其特征在于,上述微粒為二氧化硅微粒。

11、4.一種偏振片,其特征在于,具備第1~3項中任一項所述的相位差膜。

12、5.一種液晶顯示裝置,其特征在于,具備第1~3項中任一項所述的相位差膜。

13、根據本發明的上述方法,能夠提供一種可以抑制剛從高濕度環境下取出的液晶顯示裝置中的對比度不均的相位差膜、以及具備該相位差膜的偏振片和液晶顯示裝置。

14、關于本發明的效果的表現機制或作用機制尚不明確,但推測如下。

15、在高濕度環境下,水進入相位差膜的內部,該水與乙酰纖維素的親水基配位,從而該部分的相位差值減少。由此認為,在剛從高濕度環境下取出的液晶顯示裝置中產生對比度的不均。應予說明,在本發明中“高濕度環境”是指相對濕度為75%rh以上的環境。

16、本發明的相位差膜依次具有第1層、第2層和第3層,相比于第1層和第3層,在第2層中微粒的含有率大。由于相位差膜同時含有乙酰纖維素和微粒,因此相位差值不容易受到水的影響。推測這是由于微粒與乙酰纖維素的親水基的部分形成氫鍵,從而水難以與乙酰纖維素發生相互作用。另一方面,如果過度增加相位差膜的表面附近的微粒的含有率,則相位差膜的表面的滑動性變得過高,可能引起卷繞偏移等問題。本發明能夠在重視滑動性而調整第1層和第3層中的微粒的含有率的基礎上,增加第2層中的微粒的含有率。其結果,本發明既能將滑動性維持在良好的范圍,又能抑制相位差值受到水的影響。



技術特征:

1.一種相位差膜,其特征在于,依次具有第1層、第2層和第3層,

2.根據權利要求1所述的相位差膜,其特征在于,所述第2層的所述微粒的含有率為所述第1層和所述第3層的所述微粒的平均含有率的2~5倍的范圍內,含有率和平均含有率的單位為質量%。

3.根據權利要求1所述的相位差膜,其特征在于,所述微粒為二氧化硅微粒。

4.一種偏振片,其特征在于,具備權利要求1~3中任一項所述的相位差膜。

5.一種液晶顯示裝置,其特征在于,具備權利要求1~3中任一項所述的相位差膜。


技術總結
本發明提供一種可以抑制剛從高濕度環境下取出的液晶顯示裝置中的對比度不均的相位差膜、以及具備該相位差膜的偏振片和液晶顯示裝置。本發明的相位差膜,其特征在于,依次具有第1層、第2層和第3層,上述第1層、上述第2層和上述第3層均含有乙酰纖維素和微粒,上述第2層含有的上述乙酰纖維素的乙?;娜〈葹?.0~2.6的范圍內,上述第2層進一步含有兩末端具有羥基的聚酯,上述第2層的上述微粒的含有率[質量%]大于上述第1層和上述第3層的上述微粒的含有率[質量%]。

技術研發人員:稻垣真治
受保護的技術使用者:柯尼卡美能達株式會社
技術研發日:
技術公布日:2025/5/22
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