本發明涉及集成電路光刻領域，特別是涉及一種基于曲線幾何特征分析的光學鄰近校正掩模驗證方法、系統、程序產品及終端。
背景技術：
1、隨著半導體制造工藝節點持續微縮至納米尺度，光學鄰近效應校正（opc）技術已成為保障光刻成像精度的關鍵環節。然而，在復雜的opc校正過程中，尤其是在處理高曲率圖形結構時，傳統驗證方法主要關注邊緣放置誤差（epe）等一階幾何偏差，而忽略了曲線本身的幾何質量特性。這種局限性導致了以下問題的產生：
2、首先，傳統設計規則檢查（drc）方法無法有效檢測曲線曲率的非物理突變。在opc校正過程中，為了補償光學鄰近效應，算法可能會在局部區域引入曲率的劇烈變化。這些曲率突變點在光刻成像過程中會產生不可預測的光學效應，導致圖形失真甚至成像失敗。然而，現有的opc驗證工具缺乏對曲率連續性的量化分析能力，使得這類問題往往在流片后才能被發現，造成了巨大的時間和經濟成本損失。
3、其次，過度校正產生的局部復雜度過高問題也日益凸顯。在試圖滿足嚴格的邊緣放置誤差（epe）要求時，opc校正算法可能會生成包含微觀鋸齒、過回旋曲線等復雜結構的掩膜圖形。這些復雜結構不僅大大增加了掩模制造的難度和成本，還可能引入新的光刻成像問題。現有的驗證方法主要關注圖形的宏觀尺寸符合度，而缺乏對局部幾何復雜度的有效評估手段。
4、此外，當前的opc驗證體系存在維度單一的問題。大多數opc驗證工具僅提供基于epe和工藝窗口的分析，而缺乏專門的曲線幾何質量評估模塊。這種驗證維度的缺失，使得設計人員難以全面評估掩膜圖形的質量狀況。
5、在實際生產過程中，傳統opc驗證方法因忽略由opc校正引入的曲線曲率突變與局部高復雜度等二維幾何缺陷，已經對掩膜制造、光刻成像造成了顯著的影響。因此，亟需一種能夠評估掩膜曲線幾何質量的驗證方法。
技術實現思路
1、鑒于以上所述現有技術的缺點，本發明的目的在于提供一種基于曲線幾何特征分析的光學鄰近校正掩模驗證方法、系統、程序產品及終端，用于解決現有opc驗證方法因忽略由opc校正引入的曲線曲率突變與局部高復雜度等二維幾何缺陷，最終影響掩膜制造、光刻成像的技術問題。
2、為實現上述目的及其他相關目的，本申請提供一種基于曲線幾何特征分析的光學鄰近校正掩模驗證方法，其特征在于，包括：接收光學鄰近效應校正后的掩模圖形數據，對所述掩模圖形數據進行預處理，并將預處理后的所述掩模圖形數據轉換為參數化曲線，用于量化分析曲線的幾何特征；采用自適應采樣策略對所述參數化曲線進行自適應采樣，并計算幾何特征值；所計算得到的幾何特征值包括用于表征曲線光滑程度的曲率變化特征值和用于表征曲線局部幾何復雜程度的局部曲率積分特征值；根據所述曲率變化特征值和所述局部曲率積分特征值判斷曲線是否合格，并依據判斷結果輸出質量評估報告。
3、于本申請的第一方面的一些實施例中，所述采用自適應采樣策略對所述參數化曲線進行自適應采樣，并計算幾何特征值包括：預先設置多個指導性曲率變化區間與采樣間距的對應關系；對所述參數化曲線進行初步幾何分析，獲得在沿曲線弧長分布的多個分析窗口內的指導性曲率變化預估值；根據所述指導性曲率變化預估值所在的區間，根據所述對應關系確定對應分析窗口的采樣間距；依據所確定的采樣間距對相應分析窗口進行采樣，并對應計算各采樣點的所述曲率變化特征值以及各分析窗口的所述局部曲率積分特征值。
4、于本申請的第一方面的一些實施例中，所述局部曲率積分特征值通過以下公式計算：；其中，lci為所述局部曲率積分特征值，也是在所述分析窗口內的平均曲率的絕對值；δs為所述分析窗口的長度；κ(s)為曲率函數。
5、于本申請的第一方面的一些實施例中，所述分析窗口的長度取值范圍為5nm至15nm.
6、于本申請的第一方面的一些實施例中，所述曲率變化特征值通過以下公式計算：
7、；其中，c_rate為所述曲率變化特征值；κ為曲率；s為弧長。
8、于本申請的第一方面的一些實施例中，所述根據所述曲率變化特征值和所述局部曲率積分特征值判斷曲線是否合格，其依據包括：當同時滿足第一條件和第二條件時，所述曲線合格；其中，第一條件被配置為各分析窗口內采樣點的所述曲率變化特征值的最大值均小于等于預設的曲率變化特征閾值；第二條件被配置為各分析窗口的所述局部曲率積分特征值均小于等于預設的局部曲率積分特征閾值。
9、于本申請的第一方面的一些實施例中，所述質量評估報告內容包括問題區域的定位信息、問題類型的分類信息、問題的嚴重程度評級信息以及具體的優化建議信息。
10、為實現上述目的及其他相關目的，本申請的第二方面提供一種基于曲線幾何特征分析的光學鄰近校正掩模驗證系統，包括：數據預處理模塊，用于接收光學鄰近效應校正后的掩模圖形數據，對所述掩模圖形數據進行預處理，并將預處理后的所述掩模圖形數據轉換為參數化曲線，用于量化分析曲線的幾何特征；特征提取模塊，用于采用自適應采樣策略對所述參數化曲線進行自適應采樣，并計算幾何特征值；所計算得到的幾何特征值包括用于表征曲線光滑程度的曲率變化特征值和用于表征曲線局部幾何復雜程度的局部曲率積分特征值；質量評估與診斷模塊，用于根據所述曲率變化特征值和所述局部曲率積分特征值判斷曲線是否合格，并依據判斷結果輸出質量評估報告。
11、為實現上述目的及其他相關目的，本發明的第三方面提供一種計算機程序產品，所述計算機程序產品中包括計算機程序代碼，當所述計算機程序代碼在計算機上運行時，使得所述計算機實現所述基于化學機械拋光形貌感知的光學鄰近效應校正仿真方法。
12、為實現上述目的及其他相關目的，本發明的第四方面提供一種電子終端，包括存儲器、處理器及存儲在存儲器上的計算機程序；所述處理器執行所述計算機程序以實現所述基于化學機械拋光形貌感知的光學鄰近效應校正仿真方法。
13、如上所述，本申請的一種基于曲線幾何特征分析的光學鄰近校正掩模驗證方法、系統、程序產品及終端，具有以下有益效果：本發明通過對光學鄰近效應校正后的掩模圖形數據進行預處理并轉換為連續可導的參數化曲線，來量化分析曲線的幾何特征，并通過采用基于曲率變化的自適應采樣策略，計算幾何特征值，并通過幾何特征值針對性的輸出質量評估報告。本發明通過掩模圖形數據的幾何特征的量化分析與全方位質量驗證，既解決了傳統掩模驗證中缺陷識別不全面的問題，又平衡了掩模驗證精度與計算效率，為光學鄰近效應校正提供了明確且可落地的優化方向，幫助設計人員快速改進掩模圖形質量，顯著縮短迭代周期、降低研發成本。
1.一種基于曲線幾何特征分析的光學鄰近校正掩模驗證方法，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的基于曲線幾何特征分析的光學鄰近校正掩模驗證方法，其特征在于，所述采用自適應采樣策略對所述參數化曲線進行自適應采樣，并計算幾何特征值包括：
3.根據權利要求1或2所述的基于曲線幾何特征分析的光學鄰近校正掩模驗證方法，其特征在于，所述局部曲率積分特征值通過以下公式計算：
4.根據權利要求3述的基于曲線幾何特征分析的光學鄰近校正掩模驗證方法，其特征在于，所述分析窗口的長度取值范圍為5nm至15nm。
5.根據權利要求1或2所述的基于曲線幾何特征分析的光學鄰近校正掩模驗證方法，其特征在于，所述曲率變化特征值通過以下公式計算：
6.根據權利要求2所述的基于曲線幾何特征分析的光學鄰近校正掩模驗證方法，其特征在于，所述根據所述曲率變化特征值和所述局部曲率積分特征值判斷曲線是否合格，其依據包括：
7.根據權利要求6所述的基于曲線幾何特征分析的光學鄰近校正掩模驗證方法，其特征在于，所述質量評估報告內容包括問題區域的定位信息、問題類型的分類信息、問題的嚴重程度評級信息以及具體的優化建議信息。
8.一種基于曲線幾何特征分析的光學鄰近校正掩模驗證系統，其特征在于，包括：
9.一種計算機程序產品，其特征在于，所述計算機程序產品中包括計算機程序代碼，當所述計算機程序代碼在計算機上運行時，使得所述計算機實現如權利要求1至7中任一項所述的基于化學機械拋光形貌感知的光學鄰近效應校正仿真方法。
10.一種電子終端，包括存儲器、處理器及存儲在存儲器上的計算機程序，其特征在于，所述處理器執行所述計算機程序以實現權利要求1至7中任一項所述的基于化學機械拋光形貌感知的光學鄰近效應校正仿真方法。