本發明涉及用于光刻的物體的聚焦粒子束誘導處理的方法、設備和計算機程序。更具體地，本發明涉及一種用于在這種工藝中抑制自發蝕刻的方法、相應的設備以及用于執行所述方法的計算機程序。

背景技術：

1、在半導體工業中，越來越多地在基板主體/晶片上生產更小的結構/圖案，以確保集成密度的增加。其中，光刻工藝用于產生結構/圖案，然后將其成像在基板主體上。光刻工藝可以包括光刻、紫外(uv)光刻、duv光刻(即，深紫外光譜范圍內的光刻)、euv光刻(即，極紫外光譜范圍內的光刻)、x射線光刻、納米壓印光刻、納米沉淀光刻等。在大多數情況下，掩模用作光刻的物體(例如，光掩模、曝光掩模、掩模母版、納米沉淀光刻中的印模等)，其包括圖案以例如在基板主體/晶片上成像期望的結構/圖案。對于這種寬范圍的光刻領域，利用各種各樣的材料來產生用于光刻的合適物體。在本文中，用于光刻的物體可以例如是(光刻)掩模。

2、在光刻工藝的背景下，用于光刻的物體可以暴露于高物理和化學應力(例如，在用于光刻的物體的曝光、清潔等期間)。因此，對用于光刻的物體的材料的耐久性提出了高要求，這可能隨著光刻的技術發展的進展而變得更加嚴格。通常，不同的材料因此用于光刻的不同物體，例如掩模。

3、然而，由于在用于光刻的復雜物體的制造中通常無法排除用于光刻的物體上的缺陷，因此缺陷可存在于用于光刻的物體上(例如，作為過量材料、畸形材料、上覆顆粒等)。

4、用于處理用于光刻的物體(例如，用于掩模修復)的先前方法僅考慮有限數量的掩模材料。針對一些材料(例如，ep?2?223?327?b1、de?10?2020?120?884?a1等，涉及用于光刻的無鉻物體)和/或蝕刻氣體(例如，涉及基于碳的蝕刻氣體的de?10?2016?203?094?a1，或涉及沒有水蒸氣的蝕刻工藝的ep?1?710?327?a2)開發的方法不能簡單地轉移到其他物體和/或工藝，而沒有例如關于(足夠有效的)粒子束誘導的蝕刻和/或(抑制)自發蝕刻的不令人滿意的結果。由于處理用于光刻的物體的要求變得越來越嚴格，因此需要進一步提高處理用于光刻的物體的可能性。

技術實現思路

1、該任務至少部分地通過本發明的各個方面來解決。

2、本發明的第一方面涉及一種用于光刻的物體的聚焦粒子束誘導處理的方法，該方法包括：提供蝕刻氣體；提供水蒸氣；和提供氧化物質；其中所述蝕刻氣體經由第一供應裝置以第一供應壓力提供，并且所述水蒸氣經由第二供應裝置以第二供應壓力提供；并且其中所述第二供應壓力是所述第一供應壓力的至少2%，優選至少5%。

3、提供蝕刻氣體和水蒸氣使得第二供應壓力是第一供應壓力的至少2%或至少5%可以產生水蒸氣與蝕刻氣體的足夠比率。粒子束誘導處理可能僅在蝕刻氣體和水以彼此良好調節的方式提供時是有效的，并且在一些示例中，可能需要更高的水蒸氣壓力以在一些材料中實現足夠的粒子束誘導的蝕刻強度。另一方面，過高的水蒸氣壓力也會減慢工藝。通常，較慢的工藝可以是優選的，因為它們可以產生更好的蝕刻結果。在此類蝕刻工藝中，粒子束例如掃描缺陷，從而引發與蝕刻混合物(例如，包括蝕刻氣體及水蒸氣)的反應，借此由粒子束輻射的缺陷材料可與蝕刻混合物反應且可轉化成揮發性物質。該揮發性物質可以在下一步驟中進入氣相。然后可以將解吸的材料泵出并因此例如通過真空泵從系統中移除。因此，可以以有效的方式去除缺陷。用于光刻的物體的被照射部分(例如，缺陷)的潛在反應強烈依賴于提供給用于光刻的物體的蝕刻混合物，并且當提供非理想的蝕刻混合物(例如，包括太少的水蒸氣)時，可能不會有效地發生或根本不發生。因此，一方面，可以提高粒子束誘導的蝕刻工藝的效率。

4、然而，本發明的發明人發現，在大量修復過程的情況下，蝕刻氣體和水蒸氣的這種混合物可能是如此高反應性的，特別是在包括鉻層和/或氧化鉻層的用于光刻的物體上，使得除了所需的粒子束誘導的蝕刻外，還可能發生不期望的/不受控制的自發蝕刻，特別是在蝕刻氣體和水蒸氣被提供給該過程的位置處(例如，靠近相應的一個或多個氣體出口)。此不期望的自發蝕刻變得越來越關鍵，因為在用于光刻的物體上的較小結構/圖案的情況下，所需修復時間可增加，且因此用于光刻的物體暴露于反應性物質的時間也可增加。

5、因此，具有足夠的水蒸氣與蝕刻氣體比率的上述混合物可足以優化例如用于光刻的物體上的工藝中的粒子束誘導的蝕刻，其僅花費短時間，例如，當僅需要修復幾個缺陷時等。然而，在修復時間延長的情況下，會發生上述自發蝕刻的問題。發明人已經發現，通過提供具有氧化物質(例如no2)的蝕刻混合物，可以抑制不想要的自發蝕刻，而不會顯著影響期望的粒子束誘導的蝕刻。氧化物質可能用作抵消和/或抑制自發蝕刻的緩沖氣體。蝕刻氣體、水蒸氣和氧化物質彼此以一定相對比率的這種非平凡組合由此允許實現高精度、有效的粒子束誘導的蝕刻，而不遭受由蝕刻氣體和/或蝕刻混合物誘導的自發蝕刻。因此，所述方法增加了在用于光刻的物體上執行的修復步驟的數量和/或這種修復步驟可能花費的時間，而不會通過自發蝕刻顯著損壞用于光刻的物體。因此，這可增加用于光刻的物體的整體質量和/或允許在其上產生具有較少缺陷的較小結構/圖案(包括較小圖案元素)。

6、應注意，本發明不應被視為限于第二供應壓力為第一供應壓力的至少2%或至少5%。在一些示例中，可能不滿足該標準，并且仍然可以實現如本文所述的本發明的益處。

7、用于光刻的物體可以例如是光刻掩模，其包括基板主體和沉積在其上的至少一個層。此類掩模可用于例如本文中所描述的光刻技術。

8、蝕刻氣體、水蒸氣和/或氧化物質可以例如由單獨的第一供應裝置、第二供應裝置和第三供應裝置直接提供給用于光刻的物體。蝕刻氣體、水蒸氣和/或氧化物質可以基本上同時提供。可替代地，第一供應裝置、第二供應裝置和/或第一供應裝置可以將蝕刻氣體、水蒸氣和/或氧化物質提供給一個或多個公共出口，例如，使得蝕刻氣體、水蒸氣和/或氧化物質混合在一起和/或一起提供給用于光刻的物體。用于光刻的物體可例如定位在減壓(低于1巴)下的真空腔室中。化合物可以例如經由供應裝置和/或一個或多個出口朝向用于光刻的物體的一側提供，其中優選地，所述一側可以是粒子束可以施加到的一側。在本文中，術語“化合物”可以包括提供給用于光刻的物體的一種或多種蝕刻氣體、水蒸氣和/或氧化物質。

9、每個供應裝置可以例如包括一個或多個供應管線以供應如本文所述的相應化合物，其中可以產生本文所述的壓力。每個供應裝置可以可操作地連接到供應貯存器，該供應貯存器包括蝕刻氣體、水蒸氣、氧化物質和/或其前體。然后，這些可以通過供應裝置轉移，例如通過將蝕刻氣體、水蒸氣、氧化物質和/或其前體保持在一定溫度，例如以便控制通過供應裝置和/或一個或多個出口的壓力和/或體積流量。

10、在一個示例中，第一供應壓力可以在0.1?mbar和0.3?mbar之間；和/或第二供應壓力介于0.01?mbar和0.05?mbar之間；和/或

11、氧化物質可以經由第三供應裝置以第三供應壓力提供，其中第三供應壓力可以在0.6?mbar和1.0?mbar之間。

12、將至少一個壓力保持在本文所述的范圍內可以產生有利的比率，其中化合物(蝕刻氣體、水蒸氣和/或氧化物質)被提供給用于光刻的物體。

13、在一示例中，蝕刻氣體可以包括包含鹵素的化合物，優選地xef2和/或nocl。

14、這些示例性蝕刻氣體可以特別適合于應用在粒子束蝕刻工藝中，如本文所述，和/或當與足夠量的水蒸氣一起提供時可以實現有效的蝕刻。特別地，包含鹵素的蝕刻氣體如xef2被證明是本發明上下文中的合適選擇。

15、例如，氧化物質可以包括o2、o3、h2o2和/或含氮化合物，其中該化合物優選包括no2、nh3和/或hno3。

16、這些氧化物質可以特別適合于在將如本文所述的包括蝕刻氣體和水蒸氣的蝕刻混合物提供給用于光刻的物體時抑制自發蝕刻。特別地，如本文所提及的包含氧的化合物可以是有利的氧化物質，其允許在相對低的濃度下抑制所述自發蝕刻。因此，處理和/或存儲用于光刻的物體的工作壓力可以保持較低，這可以降低污染等的風險。

17、在一些示例中，氧化物質(例如no2)可以以1?sccm至3?sccm、優選地1?sccm至1.5sccm的流速提供。

18、可以在本文所述的方法中提供另外的氣體，例如nh3和/或teos。它們可以稀釋例如蝕刻氣體如xef2的濃度，從而抑制蝕刻。

19、在另一個實例中，該方法可以進一步包括將工作壓力保持在低于0.1bar，優選低于10-4?mbar，更優選低于10-5?mbar的壓力。

20、具有減小的壓力可以在蝕刻工藝中起有利作用，因為通過蝕刻移除的材料可以例如被轉化成揮發性物質。這些揮發性物質可通過產生減小的工作壓力的裝置來移除，例如通過真空抽吸掉揮發性物質/用于光刻的物體的移除材料。保持工作壓力可以例如如本文所述通過如何和/或在何種壓力下提供本文所述的方法中使用的不同(例如，氣態)化合物來促進。所述工作壓力范圍可以有利于將氣體濃度保持在可以以高效率執行(想要的)粒子束誘導的蝕刻的水平，和/或可以減少和/或抑制(不想要的)工藝，例如自發蝕刻和/或污染等。

21、為此目的，用于光刻的物體可以例如被提供給真空室，其中工作壓力可以例如由真空泵控制，例如旋轉葉片泵、隔膜泵(例如，具有零油污染)、液環(例如，具有高防塵性)、活塞泵、渦旋泵(例如，實現高泵送速度)、螺旋泵、汪克爾泵、外部葉片泵、羅茨鼓風機(泵)、多級羅茨泵、托普勒泵和/或凸輪泵。

22、在一些實施例中，氧化物質包含氧(例如o2)或由氧(例如o2)構成。已經證明，在一些示例中，使用氧(例如o2)可能是特別有利的，因為它可以抑制自發蝕刻，但是以其他方式使得基于粒子束、蝕刻氣體和水蒸氣之間的相互作用的(想要的)粒子束誘導處理基本上不受影響。特別地，具有某種蝕刻氣體(例如xef2)和水蒸氣的蝕刻工藝可以由氧(例如o2)補充，而不需要調整蝕刻氣體和水蒸氣的絕對或相對量，并且不影響蝕刻速率。具體地，例如當使用xef2和水蒸氣作為蝕刻氣體混合物時，通過氧(例如o2)的補充可以使粒子束誘導的蝕刻速率不受影響。然而，補充的氧(例如o2)可以允許抑制自發蝕刻，如本文所概述的。

23、在一些示例中，與沒有氧化物質的處理相比，在存在所提供的蝕刻氣體、所提供的水蒸氣和所提供的氧化物質的情況下的粒子束誘導的處理可以包括至少50%、至少75%或基本相同的處理速率(其他條件相同，例如，具有相同水平的蝕刻氣體提供、相同水平的水蒸氣提供和相同的粒子束)。特別是當氧化物質包括氧氣(例如o2)或基本上由氧氣(例如o2)構成時，在一些示例中(例如當使用xef2作為蝕刻氣體時)可以實現基本上相同的處理速率。在涉及粒子束誘導的蝕刻的一些示例中，粒子束誘導的蝕刻速率可以大于3?nm/min，優選大于6?nm/min。

24、在一些示例中，氧(例如o2)可以以約0.01?sccm至1?sccm、優選地約0.05?sccm至0.5?sccm、特別優選地約0.07?sccm至0.15?sccm的流量供應。即使在這些非常低的流量水平下，自發蝕刻也可以基本上完全被抑制。

25、在一些示例中，該方法可以包括用蝕刻氣體、水蒸氣和氧(例如o2)在一個或多個預定位置處聚焦粒子束誘導蝕刻用于光刻的物體至少一小時、至少兩小時或甚至至少四小時，其中在不對應于預定位置的位置處，殘余蝕刻深度小于5?nm，優選小于1?nm，透射率增加小于5%，優選小于3%，更優選小于2%，甚至更優選小于1%，和/或在掃描電子顯微照片中在不對應于預定位置的位置處看不到蝕刻深度。透射率值可以例如由aimstm測量，并且例如在焦平面o中。自發蝕刻速率可以小于聚焦粒子束誘導的蝕刻速率的1%、小于0.5%、優選小于0.2%。速率可以例如對應于每時間間隔的蝕刻深度(例如，以nm或任何其他長度度量為單位)。

26、氧(例如o2)的影響可以通過其反應性和氧化性質來解釋，該反應性和氧化性質可以抑制在用于光刻的物體的粒子束誘導處理期間生成的揮發性反應性物質，并且替代地氧化可以例如在蝕刻工藝中從用于光刻的物體去除的材料。例如，如果物體包含金屬m，并且蝕刻氣體包含xef2，則可以抑制諸如moxfy或m(oh)yfx的物質，而是可以形成maob。因此，可以抑制自發蝕刻，例如通過在粒子束誘導的處理期間產生的揮發性和/或反應性物質。

27、在一些實施例中，氧化物質可以附加地或替代地包括o3和/或teos(原硅酸四乙酯)，其可以允許與上文針對氧(例如o2)示例性指示的相同的結果。

28、示例性方法可以包括這樣的方法，其中處理包括修復，優選地通過蝕刻，例如，如本文所述的粒子束誘導蝕刻。

29、修復可以包括修復用于光刻的物體(例如，掩模)，并且可以進一步涉及去除不想要的多余材料，例如，通過蝕刻和/或添加材料，其中用于光刻的物體的結構/圖案的部分缺失，例如，通過粒子束誘導沉積。對于粒子束誘導的沉積的示例，可以向用于光刻的物體提供一種或多種另外的氣體，其中所述一種或多種另外的氣體可以被配置為在由粒子束照射時通過沉積材料和/或通過沉淀而反應，使得例如填充光刻物體的結構/圖案中的(不想要的)間隙和/或添加新的圖案元素。

30、該方法可以例如進一步包括將聚焦粒子束引導到用于光刻的物體的圖案元素上，以用于處理圖案元素。可例如通過局部移除圖案元素的材料來修復圖案元素。在一些示例中，圖案元素可包含鉻。

31、聚焦粒子束可以包括塊狀粒子(即，具有真實非零靜止質量的粒子)。粒子可以是帶電的。例如，粒子可以包括電子、質子和/或離子。然而，在其他示例中，也可以使用光子，例如以激光束或中性大質量粒子(諸如原子、分子和/或中子)的形式。

32、聚焦粒子束可以由包括例如粒子源、加速機構、射束聚焦設備和/或射束操縱模塊的系統提供。聚焦粒子束系統可能夠產生高強度粒子束，精確控制其軌跡和射束特性。粒子源可以包括生成用于粒子束的粒子的設備和/或部件。粒子源可以例如包括電子槍、離子源和/或本領域已知的其他合適的粒子生成機構。加速機構可以例如被配置為將從粒子源發射的粒子加速到期望的能量。這可以例如包括靜電或電磁加速技術，例如線性加速器、回旋加速器或同步加速器等。射束聚焦設備可以例如被配置成集中和/或控制粒子束軌跡。它可以包括磁透鏡、靜電透鏡和/或用于沿著期望的路徑聚焦和操縱粒子的其他合適的設備。射束操縱模塊可以例如根據需要提供用于成形、調制和/或操縱粒子束的附加功能。這可以例如包括諸如偏轉器、濾波器、準直器和/或修改光束的強度、能量和/或空間分布的其他部件的設備。該方法可以例如包括將粒子束精確瞄準到用于光刻的物體的特定位置上。它可以例如使用掃描機構、位置傳感器和/或反饋控制系統來確保聚焦粒子束的準確且受控的引導。

33、在一些示例中，該方法還可以包括在一個或多個預定位置處對用于光刻的物體進行聚焦粒子束誘導的蝕刻至少一小時，優選至少兩小時，其中粒子束誘導的蝕刻速率可以大于5?nm/min，優選大于10?nm/min。

34、實現所述最小粒子束誘導的蝕刻速率對于保持低的處理時間可能是有利的。

35、在一個示例中，可以在開啟時間期間施加聚焦粒子束；并且在關閉時間期間不施加聚焦粒子束。蝕刻氣體可以優選地僅在開啟時間期間提供。在其他示例中，僅在關閉時間期間提供蝕刻氣體，或者在開啟和關閉時間期間提供蝕刻氣體。附加地或替代地，并且獨立于提供蝕刻氣體，可以僅在開啟時間期間提供水蒸氣和/或氧化物質。在其他實施例中，水蒸氣和/或氧化物質可以僅在關閉時間期間提供，或者在開啟時間和關閉時間兩者期間提供。

36、因此，該方法可以提供恒定的工作壓力，其中在開啟和關閉時間期間保持用于光刻的物體。因此，可以始終抑制自發蝕刻，從而改善用于光刻的物體的長期穩定性。

37、在關閉時間期間，可(例如)通過顯微鏡等檢查用于光刻的物體，可(例如)將用于光刻的物體移動到另一位置等。這些示例性步驟和/或其他步驟中的任一個可以基本上在沒有任何時間限制的情況下執行，否則該時間限制可能由自發蝕刻隨時間施加。

38、在一些示例中，該方法可以獨立地包括用蝕刻氣體、水蒸氣和氧化物質在一個或多個預定位置處對用于光刻的物體進行聚焦粒子束誘導蝕刻至少一小時，其中在不對應于預定位置的位置處，殘余蝕刻深度小于5?nm，優選小于1?nm，透射率增加小于5%，優選小于3%，更優選小于2%，甚至更優選小于1%，和/或在掃描電子顯微照片中在不對應于預定位置的位置處看不到蝕刻深度。透射率值可以例如由aimstm測量，并且例如在焦平面o中。

39、因此，在聚焦粒子束誘導蝕刻(例如，用于修復用于光刻的物體)期間，基本上不發生或僅發生非常低水平的不想要的自發蝕刻相關的損壞，這又可以導致用于光刻的物體的改進的質量。自發蝕刻可(例如)通過在大區域內減小用于光刻的物體的圖案元素的厚度(與此圖案元素的典型寬度相比)來增加透射率。因此，透射率可以是用于量化自發蝕刻誘導損傷的合適參數。

40、如本文所述，一小時的時間可以包括例如開啟和關閉時間。它可以例如進一步包括在第一開啟時間和第二開啟時間中在不同位置處的粒子束誘導蝕刻，包括在它們之間的相應位置之間切換。

41、在一些示例中，對于持續兩小時、三小時或更多小時的修復工序(例如，包括多個開啟和關閉時間)甚至可以滿足這些標準。

42、在一些示例中，自發蝕刻速率可以小于聚焦粒子束誘導的蝕刻速率的1%、小于0.5%、優選小于0.2%。速率可以例如對應于每時間間隔的蝕刻深度(例如，以nm或任何其他長度度量為單位)。

43、將自發蝕刻速率與聚焦粒子束誘導的蝕刻速率之間的比率保持為低可以保證可以執行聚焦粒子束誘導蝕刻，而自發蝕刻不會對用于光刻的物體產生顯著不利影響，例如通過產生不想要的缺陷。

44、在一些示例中，蝕刻氣體、水蒸氣和氧化物質中的至少兩種可以經由一個或多個出口作為氣體混合物提供。

45、由此，氣體混合物可以均勻地提供在用于光刻的物體的較大區域上，這可以減少當所述氣體混合物和/或氣體中的一種或多種以更集中的方式(例如，經由僅一個出口)提供給用于光刻的物體時可能發生的不想要的自發蝕刻的影響。由此，可以避免局部壓力峰值(其可以導致自發蝕刻)。

46、如本文所述，第一供應裝置、第二供應裝置和/或第三供應裝置可以將蝕刻氣體、水蒸氣和/或氧化物質提供給一個或多個公共出口，例如，使得蝕刻氣體、水蒸氣和/或氧化物質混合和/或一起提供給用于光刻的物體。

47、在一些示例中，出口可以例如布置成環狀形狀，例如包括圓的兩半、三個三分之一圓、四個四分之一圓等。下面更詳細地描述一個代表性示例。

48、該方法可以例如進一步包括將一個或多個出口定位在將要施加聚焦粒子束的用于光刻的物體的處理部位(例如，聚焦粒子束被施加到的部位和/或在其上執行另一處理步驟的部位)周圍，其中該定位可以優選地以基本上中心對稱的布置進行。

49、這可以例如經由如本文所述的出口的圓形布置來實現，并且具有以下優點：氣體混合物可以被提供到聚焦粒子束可以以平衡和/或均勻的方式施加到其上的位置。這可以降低氣體濃度峰值，這可以降低由高局部氣體濃度促進的自發蝕刻的風險。此外，將一個或多個出口定位在處理部位周圍可以包括將中心出口定位在處理部位處，例如，在周圍的出口之間。

50、在一些示例中，多個出口中的兩個出口之間的至少一個距離可以是聚焦粒子束的焦點寬度的至少10000倍，優選地至少100000倍，更優選地至少500000倍。

51、在該范圍內，氣體濃度可以始終在用于光刻的物體的區域上基本恒定，聚焦粒子束可以施加到該物體。因此，可以實現可靠的粒子束誘導的蝕刻結果，并且同時，氣體混合物的均勻分布可以導致很少或沒有自發蝕刻。

52、例如，與兩個出口之間的0.5?cm距離相比，10?nm光束焦點寬度產生500000的比率。與兩個出口之間的1?cm距離相比，100?nm光束焦點寬度產生100000的比率。與兩個出口之間的1?cm距離相比，1?μm光束焦點寬度產生10000的比率。

53、在一些示例中，該方法還可以包括在一個或多個預定位置處聚焦粒子束誘導蝕刻用于光刻的物體至少一小時，其中多個出口在相對于用于光刻的物體的預定位置處，其中在不對應于一個或多個預定位置的位置處，殘余蝕刻深度如此小，使得在用于光刻的物體的掃描電子顯微照片中不能辨別一個或多個出口的形狀。

54、這可以構成有效的反饋機制，因為通常不想要的自發蝕刻導致具有殘余蝕刻深度并且形狀類似于出口形狀的壓印。當沒有觀察到這種壓印時，可以安全地假設沒有發生不想要的自發蝕刻。

55、在一些示例中，提供氧化物質、蝕刻氣體和水蒸氣至少部分地同時進行。

56、在一些實施例中，提供例如包含氧如o2的氧化物質至少在從第一時間點開始的第一時間段內進行。蝕刻氣體和水蒸氣的提供可以基本上同時進行第二時間段，該第二時間段在第一時間點之后的第二時間點開始。可以在提供蝕刻氣體和水蒸氣的時段中提供粒子束。

57、換句話說，用于光刻的物體可以首先暴露于氧化物質，例如包括氧，諸如o2，例如，不主動暴露于粒子束和蝕刻氣體和水蒸氣。隨后，可以通過將用于光刻的物體暴露于蝕刻氣體和水蒸氣以及粒子束來處理用于光刻的物體。在該后續階段，在一些示例中，可以不再提供氧化物質，使得基于蝕刻氣體和水蒸氣進行處理。

58、這可以提供以下優點：在第一時間段中提供氧化物質可以有助于用于光刻的物體的失活，例如使其表面不易于自發蝕刻。而且，這可以允許這樣的優點：粒子束誘導處理本身可以在不提供氧化物質的情況下進行，并且因此基本上不受任何氧化物質的影響。這可以允許以下優點：粒子束誘導處理可以在較低的總氣體壓力下進行(因為在粒子束誘導處理本身期間不提供氧化物質)。這可以使處理更精確并且更不易出錯。例如，如果氣體壓力較低，則粒子束(例如聚焦電子束)可能受到較小程度的影響，例如通過在氣體粒子處散射。同時，實驗已經表明，自發蝕刻(與預期的粒子束誘導蝕刻相比)可以減少與本文所述的基本上相同的量，其中例如在粒子束誘導處理期間而不是之前提供氧化物質。

59、在一些實施例中，提供氧化物質包括用氧化物質(例如，包括氧(諸如o2))淹沒用于光刻的物體，優選地淹沒達至少5秒、至少10秒或至少20秒，進一步優選地達至多5分鐘、至多2分鐘或至多1分鐘。這樣，可以實現自發蝕刻的特別強烈的減少。

60、第二時間段可以基本上緊接在第一時間段之后開始。可選地，在第一時間段之后基本上立即應用泵送步驟。可以進行該步驟以將壓力(在用于光刻的物體周圍的氣氛中)降低至低于0.1?bar，優選低于10-4?mbar，更優選低于10-5?mbar。第二時間段可以基本上在泵送步驟之后立即開始。

61、第二時間段可以包括至少30秒或至少1分鐘和/或至多5分鐘或至多3分鐘的持續時間。這些處理(例如蝕刻)時間可以允許避免自發蝕刻，特別是當氧化物質包括氧(諸如o2)和/或被處理的用于光刻的物體的材料包括鉻和/或氧化鉻時。這歸因于氧化物質在用于光刻的物體表面上的失活效應，該失活效應存在延長的時間段。

62、在一些示例中，提供氧化物質可以在多個時間段內進行，每個時間段之后是提供蝕刻氣體和水蒸氣以及粒子束的至少一個時間段。例如，代替例如如本文所概述的在一些示例中可能導致自發蝕刻效應的使用粒子束、蝕刻氣體和水蒸氣持續延長的時間段的處理步驟，因此可以使用逐步方法。在第一時間段中，可以提供氧化物質，例如，如本文所述，但不提供粒子束和/或蝕刻氣體和/或水蒸氣。這可以被視為第一“失活步驟”。隨后，如本文所述，處理可以在第二時間段中發生，例如，在提供粒子束、蝕刻氣體和水蒸氣(但不提供氧化物質)的情況下。然后，在第二時間段之后的第三時間段中(例如，基本上緊接在第二時間段之后或在如上所述的中間泵送步驟之后開始)，可以提供氧化物質，例如，如本文所述，但不提供粒子束和/或蝕刻氣體和/或水蒸氣。隨后(例如，基本上在第三時間段之后立即開始或在如上所述的中間泵送步驟之后立即開始)，如本文所述，可以在第四時間段中再次發生處理，例如，在提供粒子束、蝕刻氣體和水蒸氣(但不提供氧化物質)等的情況下。這樣，可以進行長的工藝，其持續時間可以通過提供氧化物質和可選的泵送的短間歇步驟而僅略微延長，其基本上沒有自發蝕刻，例如，如本文所概述的。

63、在一些示例中，處理包括將聚焦粒子束引導到用于光刻的物體上，以在開啟時間期間進行處理。在開啟時間期間，可以提供蝕刻氣體和水蒸氣。處理還可以包括在關閉時間期間不將聚焦粒子束引導到用于光刻是物體上。在一些實例中，在關閉時間期間提供氧化物質。另外，在關閉時間期間可以不提供蝕刻氣體和/或水蒸氣。

64、根據本發明的第二方面，提供了一種用于光刻的物體的聚焦粒子束誘導處理的設備。該設備包括用于提供蝕刻氣體、水蒸氣和氧化物質的多個供應裝置、多個預定操作模式，其中該設備被配置為在多個預定操作模式中的至少一個中執行如本文所述的方法的步驟。

65、根據第三方面，一種計算機程序包括用于執行如本文所述的方法的步驟的指令。

66、該設備和計算機程序可以產生與本文參考方法和/或其步驟所描述的相同和/或相似的優點。