本發(fā)明的示例性實(shí)施方式涉及有機(jī)發(fā)光二極管顯示器。

背景技術(shù)：

1、有機(jī)發(fā)光二極管顯示器具有自發(fā)光特性。由于有機(jī)發(fā)光二極管顯示器不需要單獨(dú)的光源，因此與液晶顯示器不同，其可具有相對(duì)小的厚度和重量。另外，有機(jī)發(fā)光二極管顯示器展現(xiàn)出諸如低功耗、高亮度、高響應(yīng)速度等的高品質(zhì)特性。

2、通常，有機(jī)發(fā)光二極管顯示器包括襯底、定位在襯底上的多個(gè)薄膜晶體管、布置在構(gòu)成薄膜晶體管的布線之間的多個(gè)絕緣層以及連接到薄膜晶體管的有機(jī)發(fā)光元件。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本發(fā)明的示例性實(shí)施方式雖然存在著形成在顯示裝置的多晶半導(dǎo)體層中的突起，但是通過(guò)例如移除或減少瞬時(shí)殘像來(lái)減小顯示裝置的厚度并改善顯示裝置。

2、根據(jù)示例性實(shí)施方式，有機(jī)發(fā)光二極管顯示器包括襯底；以及布置在襯底上的像素；其中，像素包括：有機(jī)發(fā)光元件；以及驅(qū)動(dòng)晶體管，驅(qū)動(dòng)晶體管將電流施加到有機(jī)發(fā)光元件；其中，驅(qū)動(dòng)晶體管包括：第一柵電極；以及包括溝道的半導(dǎo)體層，其中，驅(qū)動(dòng)晶體管的第一柵電極布置在驅(qū)動(dòng)晶體的半導(dǎo)體層與襯底之間，其中，驅(qū)動(dòng)晶體管的重疊層布置在襯底與驅(qū)動(dòng)晶體管的第一柵電極之間，以及其中，第一柵電極和重疊層布置在驅(qū)動(dòng)晶體管的半導(dǎo)體層與襯底之間的區(qū)域中，并且在平面圖中第一柵電極與重疊層在驅(qū)動(dòng)晶體管的半導(dǎo)體層與襯底之間的區(qū)域中重疊。

3、根據(jù)示例性實(shí)施方式，有機(jī)發(fā)光二極管顯示器包括襯底；布置在襯底上的像素；掃描線；數(shù)據(jù)線；驅(qū)動(dòng)電壓線；以及初始化電壓線，其中，掃描線、數(shù)據(jù)線、驅(qū)動(dòng)電壓線和初始化電壓線連接到像素，其中，像素包括：有機(jī)發(fā)光元件；第一開(kāi)關(guān)晶體管，第一開(kāi)關(guān)晶體管連接到掃描線；驅(qū)動(dòng)晶體管，驅(qū)動(dòng)晶體管將電流施加到有機(jī)發(fā)光元件；以及補(bǔ)償晶體管，補(bǔ)償晶體管對(duì)驅(qū)動(dòng)晶體管的操作進(jìn)行補(bǔ)償，其中，驅(qū)動(dòng)晶體管包括：底柵電極；以及包括溝道的半導(dǎo)體層，其中，補(bǔ)償晶體管包括：包括溝道的半導(dǎo)體層；第一柵電極，第一柵電極布置在補(bǔ)償晶體管的半導(dǎo)體層上；以及第二柵電極，第二柵電極布置在補(bǔ)償晶體管的半導(dǎo)體層下方，其中，驅(qū)動(dòng)晶體管的底柵電極布置在驅(qū)動(dòng)晶體管的半導(dǎo)體層與襯底之間。

4、根據(jù)示例性實(shí)施方式，有機(jī)發(fā)光二極管顯示器包括襯底、布置在襯底上的像素、掃描線、數(shù)據(jù)線、驅(qū)動(dòng)電壓線和初始化電壓線。掃描線、數(shù)據(jù)線、驅(qū)動(dòng)電壓線和初始化電壓線連接到像素。像素包括有機(jī)發(fā)光元件、連接到掃描線的第一開(kāi)關(guān)晶體管、將電流施加到有機(jī)發(fā)光元件的驅(qū)動(dòng)晶體管和對(duì)驅(qū)動(dòng)晶體管的操作進(jìn)行補(bǔ)償?shù)难a(bǔ)償晶體管。驅(qū)動(dòng)晶體管包括第一柵電極和多晶半導(dǎo)體層，第一柵電極布置在襯底上，并且多晶半導(dǎo)體層布置在第一柵電極上并且包括第一電極、第二電極和溝道。補(bǔ)償晶體管包括多晶半導(dǎo)體層和第一柵電極，多晶半導(dǎo)體層包括第一電極、第二電極和溝道，并且第一柵電極布置在補(bǔ)償晶體管的多晶半導(dǎo)體層上。

5、在示例性實(shí)施方式中，驅(qū)動(dòng)晶體管還包括布置在驅(qū)動(dòng)晶體管的多晶半導(dǎo)體層上的第二柵電極。

6、在示例性實(shí)施方式中，驅(qū)動(dòng)晶體管的第二柵電極接收流到驅(qū)動(dòng)電壓線的驅(qū)動(dòng)電壓。

7、在示例性實(shí)施方式中，驅(qū)動(dòng)晶體管還包括布置在襯底與驅(qū)動(dòng)晶體管的第一柵電極之間的重疊層。

8、在示例性實(shí)施方式中，流到驅(qū)動(dòng)電壓線的驅(qū)動(dòng)電壓施加到重疊層。

9、在示例性實(shí)施方式中，有機(jī)發(fā)光二極管顯示器還包括驅(qū)動(dòng)電壓施加部，驅(qū)動(dòng)電壓施加部將驅(qū)動(dòng)電壓施加到驅(qū)動(dòng)晶體管的重疊層和第二柵電極。

10、在示例性實(shí)施方式中，有機(jī)發(fā)光二極管顯示器還包括第二開(kāi)關(guān)晶體管。第一開(kāi)關(guān)晶體管連接到掃描線和數(shù)據(jù)線，并且第二開(kāi)關(guān)晶體管連接到掃描線和驅(qū)動(dòng)晶體管的第一柵電極。

11、在示例性實(shí)施方式中，第一開(kāi)關(guān)晶體管包括多晶半導(dǎo)體層和第一柵電極，多晶半導(dǎo)體層包括第一電極、第二電極和溝道，并且第一柵電極布置在第一開(kāi)關(guān)晶體管的多晶半導(dǎo)體層上。

12、在示例性實(shí)施方式中，第一開(kāi)關(guān)晶體管還包括布置在第一開(kāi)關(guān)晶體管的多晶半導(dǎo)體層下方的第二柵電極。流到驅(qū)動(dòng)電壓線的驅(qū)動(dòng)電壓施加到第一開(kāi)關(guān)晶體管的第二柵電極。

13、在示例性實(shí)施方式中，第一開(kāi)關(guān)晶體管包括柵電極和多晶半導(dǎo)體層，柵電極布置在襯底上，并且多晶半導(dǎo)體層布置在第一開(kāi)關(guān)晶體管的柵電極上并且包括第一電極、第二電極和溝道。

14、在示例性實(shí)施方式中，第二開(kāi)關(guān)晶體管包括多晶半導(dǎo)體層和第一柵電極，多晶半導(dǎo)體層包括第一電極、第二電極和溝道，并且第一柵電極布置在第二開(kāi)關(guān)晶體管的多晶半導(dǎo)體層上。

15、在示例性實(shí)施方式中，第二開(kāi)關(guān)晶體管還包括布置在第二開(kāi)關(guān)晶體管的多晶半導(dǎo)體層下方的第二柵電極。第二開(kāi)關(guān)晶體管的第二柵電極接收流到驅(qū)動(dòng)電壓線的驅(qū)動(dòng)電壓。

16、在示例性實(shí)施方式中，第一開(kāi)關(guān)晶體管包括多晶半導(dǎo)體層和第一柵電極，多晶半導(dǎo)體層包括第一電極、第二電極和溝道，并且第一柵電極布置在第一開(kāi)關(guān)晶體管的多晶半導(dǎo)體層上。

17、在示例性實(shí)施方式中，第一開(kāi)關(guān)晶體管還包括布置在第一開(kāi)關(guān)晶體管的多晶半導(dǎo)體層下方的第二柵電極。第一開(kāi)關(guān)晶體管的第二柵電極接收流到驅(qū)動(dòng)電壓線的驅(qū)動(dòng)電壓。

18、在示例性實(shí)施方式中，驅(qū)動(dòng)晶體管還包括布置在襯底與驅(qū)動(dòng)晶體管的第一柵電極之間的重疊層。重疊層接收驅(qū)動(dòng)電壓，并且重疊層電連接到第二開(kāi)關(guān)晶體管的第二柵電極，以使得驅(qū)動(dòng)電壓施加到第二開(kāi)關(guān)晶體管的第二柵電極。

19、在示例性實(shí)施方式中，有機(jī)發(fā)光二極管顯示器還包括驅(qū)動(dòng)電壓施加部。驅(qū)動(dòng)晶體管還包括布置在驅(qū)動(dòng)晶體管的多晶半導(dǎo)體層上的第二柵電極，并且驅(qū)動(dòng)電壓施加部將驅(qū)動(dòng)電壓施加到驅(qū)動(dòng)晶體管的重疊層和第二柵電極。

20、在示例性實(shí)施方式中，第二開(kāi)關(guān)晶體管包括柵電極和多晶半導(dǎo)體層，柵電極布置在襯底上，并且多晶半導(dǎo)體層布置在第二開(kāi)關(guān)晶體管的柵電極上并且包括第一電極、第二電極和溝道。

21、在示例性實(shí)施方式中，補(bǔ)償晶體管初始化驅(qū)動(dòng)晶體管的第一柵電極。

22、在示例性實(shí)施方式中，補(bǔ)償晶體管還包括布置在補(bǔ)償晶體管的多晶半導(dǎo)體層下方的第二柵電極。補(bǔ)償晶體管的第二柵電極接收流到驅(qū)動(dòng)電壓線的驅(qū)動(dòng)電壓。

23、根據(jù)示例性實(shí)施方式，有機(jī)發(fā)光二極管顯示器包括襯底、布置在襯底上的像素、掃描線、數(shù)據(jù)線、驅(qū)動(dòng)電壓線和初始化電壓線。掃描線、數(shù)據(jù)線、驅(qū)動(dòng)電壓線和初始化電壓線連接到像素。像素包括有機(jī)發(fā)光元件、連接到掃描線的第一開(kāi)關(guān)晶體管、將電流施加到有機(jī)發(fā)光元件的驅(qū)動(dòng)晶體管和對(duì)驅(qū)動(dòng)晶體管的操作進(jìn)行補(bǔ)償?shù)难a(bǔ)償晶體管。驅(qū)動(dòng)晶體管包括第一柵電極、多晶半導(dǎo)體層和第二柵電極，第一柵電極布置在襯底上，多晶半導(dǎo)體層布置在第一柵電極上并且包括第一電極、第二電極和溝道，并且第二柵電極布置在驅(qū)動(dòng)晶體管的多晶半導(dǎo)體層上。補(bǔ)償晶體管包括多晶半導(dǎo)體層和第一柵電極，多晶半導(dǎo)體層包括第一電極、第二電極和溝道，并且第一柵電極布置在補(bǔ)償晶體管的多晶半導(dǎo)體層上。補(bǔ)償晶體管不包括布置在補(bǔ)償晶體管的多晶半導(dǎo)體層下方的第二柵電極。

24、根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施方式，盡管突起可形成在多晶半導(dǎo)體層中，但是由于驅(qū)動(dòng)晶體管的柵電極布置在多晶半導(dǎo)體層下方，因此可減小柵極絕緣層的厚度并且可減小顯示裝置的厚度。而且，因?yàn)轵?qū)動(dòng)晶體管的柵電極布置在多晶半導(dǎo)體層下方，因此如果柵極絕緣層的厚度被減小，則驅(qū)動(dòng)晶體管的特性(滯后)被減小，以使得在顯示的圖像中不產(chǎn)生瞬時(shí)殘像。