Lte高抑制高通濾波器的制造方法
【專利說明】
[0001]
技術領域： 本發明與同軸帶通濾波器和高通濾波器有關。
[0002]
【背景技術】： LTE高抑制高通腔體濾波器是最新歐洲4G無線通信LTE系統中關鍵的部件，用于解決 歐洲4G通信頻率LTE (728 MHZ -744MHZ)與無線電視頻段747MHZ同時工作時的干擾，從 而使4G頻率LTE與無線電視信號相互不受影響。其技術方案為同軸帶通濾波器或者高通 濾波器。同軸帶通濾波器可以通過橢圓函數的方式實現近端的抑制度，但是通帶帶寬不能 滿足3倍頻率帶寬。所以不能實現從700MHZ-2300MHZ的通帶頻率。同軸高通濾波器可以 實現3倍頻率通帶帶寬，但是不能滿足偏離帶寬邊緣頻率3MHZ之處抑制大于30DB。目前市 場上的無相關通信高抑制高通濾波器。LTE高抑制高通腔體濾波器帶寬要求寬。抑制頻率 要求近。已有濾波器產品體積大，通帶帶寬窄、近端抑制低、頻率響應特性低。完全不能滿 足LTE通信頻段較高的信號處理和多信號處理系統的要求。
[0003]
【發明內容】
： 本發明的目的是提供一種帶寬寬，抑制頻率與無線電視頻段近，能滿足LTE通信頻段 較高的信號處理和多信號處理要求的LTE高抑制高通濾波器。
[0004] 本發明是這樣實現的： 軸向腔的左、右兩端有標準的N型接口3,軸向腔中有隔板將其分隔成左、右開放腔，兩 個標準的N型接口之間的左開放腔的隔板上固定有高通微帶線4,軸向腔上、下側各有數量 相等并對稱的同軸諧振腔1，同軸諧振腔1右側開放，其軸向有諧振桿2,諧振桿2的截面為 橢圓，高通微帶線為S形微帶傳輸線，高通微帶線上連接有若干同軸耦合連接線5的一端， 同軸耦合連接線另一端連接到同軸諧振桿2上，形成近端諧振抑制單元，由同軸切比雪夫 模型演變出的橢圓函數近端諧振抑制單元，均布在高通微帶線4兩邊，從而減小高通濾波 器體積的同時形成近端衰減，高通微帶線由耦合介質6固定于同軸諧振腔壁，防止與腔體 短路，蓋板9通過固定螺釘10封閉同軸諧振腔1右側開放口和軸向腔右側開放腔，同軸諧 振桿2與同軸諧振腔1組成同軸諧振器，通過蓋板9上的調諧螺釘11和調諧固定螺母12 固定。
[0005] 本發明的有益效果如下： 本發明采用N型接口，可實現高頻傳輸的功能實現。同時又采用同軸濾波器切比雪夫 模型設計方式演變的橢圓函數近端諧振腔即近端諧振抑制單元和高通微帶線的結合，即高 通微帶線融入同軸濾波器切比雪夫模型設計方式演變的橢圓函數近端諧振腔即近端諧振 抑制單元內，既實現寬帶頻率的傳輸功能，又能滿足近端抑制的要求，同時采用同軸諧振腔 對稱排列的方式使得高通濾波器體積減小又能得到很好高的品質因數，達到插損小抑制高 的要求。
[0006]LTE高抑制高通腔體濾波器是最新歐洲4G無線通信LTE系統中關鍵的部件，用于 解決歐洲4G通信頻率LTE (728 MHZ -744MHZ)與無線電視頻段747MHZ同時工作時的干 擾，從而使4G頻率LTE與無線電視信號相互不受影響。相互間隔頻率帶寬3M進行抑制衰 減-30DB。由于一般高通濾波器抑制頻率較遠，體積大，插損大、不能實現近端的抑制要求、 頻率響應特性低。而帶通濾波器通帶帶寬滿足747MHZ-2300MHZ時不能對744產生衰減性 能。所以采用本發明的近端諧振抑制單元與同軸諧振器結合的技術方案，從而達到相應的 要求。由于同軸諧振器的頻率選擇性，規定頻率的信號能夠通過器件，而規定頻率信號以外 的能量被反射，從而實現頻率選擇的功能。
[0007] 但由于通信頻率與無線電視通信頻率較近，看電視與手機通訊時會相互干擾。為 了保證通信的質量和無線電視信號就需要對其進行相應的抑制，高通微帶線上連接有若干 同軸耦合連接線5的一端，同軸耦合連接線另一端連接到同軸諧振桿2上，形成近端諧振 抑制單元，由同軸切比雪夫模型演變出的橢圓函數近端諧振抑制單元，均布在高通微帶線 4兩邊，從而減小高通濾波器體積的同時形成近端衰減，從而使兩種通信信號同時工作時不 受干擾.提高通話質量與無線電視傳輸信號。本發明用于解決歐洲4G通信頻率LTE (728 MHZ -744MHZ)與無線電視頻段747MHZ同時工作時的干擾，從而使4G頻率LTE與無線電視 信號相互不受影響。
[0008] 本發明用高通濾波器結合同軸帶通濾波器橢圓函數的方式實現了近端的抑制度， 從而又結合了同軸高通濾波器的特點，可以使通帶頻率實現3次倍頻帶寬。從而滿LTE高 抑制尚通濾波的如下技術指標：
【主權項】
1. LTE高抑制高通濾波器，其特征在于軸向腔的左、右兩端有標準的N型接口（3)，軸向 腔中有隔板將其分隔成左、右開放腔，兩個標準的N型接口之間的左開放腔的隔板上固定 有高通微帶線（4)，軸向腔上、下側各有數量相等并對稱的同軸諧振腔（1)，同軸諧振腔（1) 右側開放，其軸向有諧振桿（2)，諧振桿（2)的截面為楠圓，高通微帶線（4)為S形微帶傳輸 線，高通微帶線（4)上連接有若干同軸禪合連接線（5)的一端，同軸禪合連接線的另一端連 接到同軸諧振桿（2)上，形成近端諧振抑制單元，由同軸切比雪夫模型演變出的楠圓函數近 端諧振抑制單元，均布在高通微帶線（4)兩邊，在減小高通濾波器體積的同時形成近端衰 減，高通微帶線（4)由禪合介質（6)固定于同軸諧振腔壁，防止與腔體短路，蓋板（9)通過固 定螺釘（10)封閉同軸諧振腔（1)右側開放口和軸向腔右側開放腔，同軸諧振桿（2)與同軸 諧振腔（1)組成同軸諧振器，通過蓋板（9)上的調諧螺釘（11)和調諧固定螺母（12)固定。
【專利摘要】本發明為LTE高抑制高通濾波器，解決高通濾波器不能滿足LTE通信頻段較高的信號處理和多信號處理要求的問題。兩個標準的N型接口之間的左開放腔的隔板上固定有高通微帶線（4），同軸諧振腔（1）右側開放，其軸向有諧振桿（2），高通微帶線（4）為S形微帶傳輸線，高通微帶線上連接有若干同軸耦合連接線（5）的一端，同軸耦合連接線（5）的另一端連接到同軸諧振桿（2）上，高通微帶線（4）由耦合介質（6）固定于同軸諧振腔壁，蓋板（9）通過固定螺釘（10）封閉同軸諧振腔（1）右側開放口和軸向腔右側開放腔。
【IPC分類】H01P1-209, H01P1-203
【公開號】CN104538712
【申請號】CN201410740764
【發明人】彭福
【申請人】成都九洲迪飛科技有限責任公司
【公開日】2015年4月22日
【申請日】2014年12月9日