本發(fā)明屬于晶圓干燥，具體而言，涉及一種晶圓后處理裝置。
背景技術(shù)：
1、晶圓制造是集成電路(integrated?circuit,ic)產(chǎn)業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。隨著集成電路特征尺寸持續(xù)微縮，晶圓表面質(zhì)量要求越來(lái)越高，因而晶圓制造過(guò)程對(duì)缺陷尺寸和數(shù)量的控制越來(lái)越嚴(yán)格。污染物是造成晶圓表面質(zhì)量下降甚至產(chǎn)生缺陷的重要因素，因此需要采用清洗技術(shù)將晶圓表面污染物解吸，從而獲得超清潔表面，特別是在化學(xué)機(jī)械拋光的后清洗干燥中，容易遇到液痕缺陷，這將導(dǎo)致氧化物厚度的局部變化，嚴(yán)重影響芯片制造合格率。
2、專(zhuān)利cn111540702b公開(kāi)了一種豎直馬蘭戈尼晶圓處理裝置，該晶圓處理裝置采用弧形內(nèi)壁面的半環(huán)型的擋圈結(jié)構(gòu)，擋圈具有親水性，能夠?qū)木A邊沿甩出的液體接住并將液體朝向擋圈兩端引導(dǎo)，以防止這些液體甩到腔室頂壁等較高位置的壁面而避免液體在這些位置撞擊、濺射引起的細(xì)小液滴污染晶圓正面空間和晶圓表面。
3、液體從晶圓甩到半環(huán)型擋圈內(nèi)側(cè)弧面上時(shí)，大多數(shù)的液體會(huì)沿?fù)跞?nèi)壁面向半環(huán)型外擋圈的兩個(gè)終端方向流走；但也存在很少量的液體，會(huì)朝遠(yuǎn)離背板的方向沿?fù)跞?nèi)壁流動(dòng)，從而在擋圈的邊沿積聚成液滴，并會(huì)隨機(jī)滴落至晶圓表面，影響晶圓表面的處理效果。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、本發(fā)明旨在至少一定程度上解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的技術(shù)問(wèn)題之一。
2、為此，本發(fā)明實(shí)施例的提供了一種晶圓后處理裝置，其包括：
3、驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)，其豎直夾持晶圓并帶動(dòng)晶圓旋轉(zhuǎn)；
4、供給臂，其在晶圓的側(cè)面擺動(dòng)并經(jīng)由其上的噴嘴將液體供應(yīng)至晶圓表面；
5、擋圈，其設(shè)置于所述驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)的外周側(cè)；
6、所述擋圈配置有導(dǎo)流槽，其沿?fù)跞喞倪呇卦O(shè)置，所述導(dǎo)流槽將自晶圓甩出的流體積聚并導(dǎo)引至擋圈的下部。
7、作為優(yōu)選實(shí)施例，所述導(dǎo)流槽設(shè)置于擋圈邊沿的內(nèi)側(cè)面和/或外端面。
8、作為優(yōu)選實(shí)施例，所述導(dǎo)流槽的數(shù)量至少一個(gè)。
9、作為優(yōu)選實(shí)施例，所述導(dǎo)流槽垂直于擋圈邊沿的側(cè)面設(shè)置。
10、作為優(yōu)選實(shí)施例，所述導(dǎo)流槽的截面為長(zhǎng)條形，其深度及寬度比值與親附流體的毛細(xì)力相匹配。
11、作為優(yōu)選實(shí)施例，所述導(dǎo)流槽的深度與寬度的比值為0.1～50。
12、作為優(yōu)選實(shí)施例，所述擋圈為環(huán)狀結(jié)構(gòu)，其邊沿朝向擋圈的中心延伸設(shè)置；所述邊沿的內(nèi)側(cè)面配置有導(dǎo)流槽，所述導(dǎo)流槽沿?fù)跞Φ膹较蜷g隔設(shè)置。
13、作為優(yōu)選實(shí)施例，靠近擋圈中心的導(dǎo)流槽的寬度小于遠(yuǎn)離擋圈中心的導(dǎo)流槽的寬度。
14、作為優(yōu)選實(shí)施例，所述導(dǎo)流槽相對(duì)于擋圈邊沿的側(cè)面傾斜設(shè)置。
15、作為優(yōu)選實(shí)施例，所述擋圈可拆卸地固定于晶圓后處理裝置的背板，以將所述驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)整體罩設(shè)。
16、本發(fā)明的有益效果包括：擋圈配置的導(dǎo)流槽將自晶圓甩出的流體積聚并導(dǎo)引至擋圈的下部，有效避免擋圈頂部的液滴積聚而滴落，有效保證晶圓表面處理的效果。
1.一種晶圓后處理裝置，其特征在于，包括：
2.如權(quán)利要求1所述的晶圓后處理裝置，其特征在于，所述擋圈內(nèi)側(cè)壁頂部的液滴在所述導(dǎo)流槽的引導(dǎo)下，朝向擋圈的下部流動(dòng)，以避免液滴在重力作用下滴落至晶圓表面。
3.如權(quán)利要求1所述的晶圓后處理裝置，其特征在于，所述擋圈的內(nèi)側(cè)壁配置有接液面，液滴經(jīng)由接液面朝向擋圈的邊沿滑落并進(jìn)入所述導(dǎo)流槽的內(nèi)部。
4.如權(quán)利要求1所述的晶圓后處理裝置，其特征在于，所述導(dǎo)流槽的寬度為0.02～8mm。
5.如權(quán)利要求1所述的晶圓后處理裝置，其特征在于，所述導(dǎo)流槽的截面為長(zhǎng)條形，其深度及寬度比值與親附流體的毛細(xì)力相匹配；所述導(dǎo)流槽提供的毛細(xì)力，使得液體積聚于導(dǎo)流槽并限定在導(dǎo)流槽內(nèi)流動(dòng)。
6.如權(quán)利要求5所述的晶圓后處理裝置，其特征在于，所述導(dǎo)流槽的深度與寬度的比值為0.5～10。
7.如權(quán)利要求1所述的晶圓后處理裝置，其特征在于，所述擋圈內(nèi)側(cè)頂部聚集的液滴在重力作用下，沿接液面向擋圈遠(yuǎn)離腔室背板那側(cè)的邊沿移動(dòng)；當(dāng)液滴接觸到導(dǎo)流槽的開(kāi)口位置時(shí)，因?qū)Я鞑壅p結(jié)構(gòu)的毛細(xì)作用而被快速拉進(jìn)導(dǎo)流槽內(nèi)。
8.如權(quán)利要求7所述的晶圓后處理裝置，其特征在于，所述導(dǎo)流槽中的液量繼續(xù)增多，則增多的液體會(huì)因毛細(xì)作用，仍然處于導(dǎo)流槽內(nèi)并向該位置的兩側(cè)或著其中一側(cè)沿導(dǎo)流槽輸送；當(dāng)液體和導(dǎo)流槽內(nèi)壁面間的黏附力不足以抵消液體重力時(shí)，液體就會(huì)沿導(dǎo)流槽向下流動(dòng)至導(dǎo)流槽的末端。
9.如權(quán)利要求8所述的晶圓后處理裝置，其特征在于，所述導(dǎo)流槽末端槽內(nèi)的液體在豎直方向上積累到臨界排出高度時(shí)，末端再新增的液體會(huì)因?qū)Я鞑鄣拿?xì)力抵擋不了重力，而從導(dǎo)流槽的末端流出和新增液體等量的液體。
10.如權(quán)利要求1所述的晶圓后處理裝置，其特征在于，所述擋圈可拆卸地固定于晶圓后處理裝置的背板，以將所述驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)整體罩設(shè)。