專利名稱：一種去除無定形碳薄膜循環利用硅片的方法
技術領域：
本發明涉及半導體集成電路的制造領域，尤其涉及一種去除無定形碳薄膜循環利用硅片的方法。
背景技術：
目前，關于去除無定形碳(非晶碳)薄膜層的工藝，業界的通常做法是采用和光阻去除相同的工藝條件即灰化工藝，然后再利用濕法去除表面的聚合物(polymer)和前面工藝產生的氧化層。圖I是本發明背景技術中常規去除無定形碳的工藝結構示意圖，圖2是本發明背景技術中常規去除無定形碳的工藝流程示意圖；如圖1-2所示，在反應腔室13內，灰化工藝通常采用O2在反應腔內產生原位等離子體0+，而活性的0+與無定形碳反應生成揮發性的氣體如CO、CO2等，從而去除硅片11表面的無定形碳層12，然后再利用濕法工藝去除殘余聚合物和灰化工藝中生成的氧化物；采用上述工藝，會使得硅片11上產生較多的離子損傷 (damage ),造成娃片的循環利用率較低。

發明內容
本發明公開了一種去除無定形碳薄膜循環利用硅片的方法，其特征在于，包括以下步驟
步驟Si:在反應腔室內，采用遠程系統產生等離子體或臭氧發生器產生活性的0+進行灰化工藝，以去除娃片上無定形碳層；
步驟S2 :去除殘余的聚合物和表面氧化物層。上述的去除無定形碳薄膜循環利用硅片的方法，其特征在于，還包括在所述反應腔室內通入氧氣。上述的去除無定形碳薄膜循環利用硅片的方法，其特征在于，所述氧氣的流量為 lOOO-lOOOOsccm。上述的去除無定形碳薄膜循環利用硅片的方法，其特征在于，采用濕法工藝去除去除殘余的聚合物和表面氧化物層。上述的去除無定形碳薄膜循環利用硅片的方法，其特征在于，所述反應腔室內的溫度為 300-500°C。上述的去除無定形碳薄膜循環利用硅片的方法，其特征在于，所述反應腔室內的壓力為l-10Torr。上述的去除無定形碳薄膜循環利用硅片的方法，其特征在于，所述灰化工藝的反應時間為0-600S。上述的去除無定形碳薄膜循環利用硅片的方法，其特征在于，采用遠程系統產生等離子體進行灰化工藝時，其RF功率為50-3000W。上述的去除無定形碳薄膜循環利用硅片的方法，其特征在于，采用遠程系統產生等離子體進行灰化工藝中的O2的流量為1000-20000sccm。上述的去除無定形碳薄膜循環利用硅片的方法，其特征在于，采用臭氧發生器產生活性的0+進行灰化工藝時，其O2的流量為1000-20000SCCm。綜上所述，由于采用了上述技術方案，本發明提出一種去除無定形碳薄膜循環利用硅片的方法，通過采用遠程系統產生等離子體或臭氧發生器產生活性的0+進行灰化工藝，不僅可以達到同樣去除無定形碳的效率，而且對硅片表面的離子損傷較小，從而提高了硅片的循環利用率。


圖I是本發明背景技術中常規去除無定形碳的工藝結構示意圖2是本發明背景技術中常規去除無定形碳的工藝流程示意圖3是本發明去除無定形碳薄膜循環利用硅片的方法中采用遠程系統產生等離子體進行灰化工藝的結構示意圖4是本發明去除無定形碳薄膜循環利用硅片的方法中采用臭氧發生器產生0+進行灰化工藝的結構示意圖5是本發明去除無定形碳薄膜循環利用硅片的方法的工藝流程示意圖。
具體實施例方式下面結合附圖對本發明的具體實施方式
作進一步的說明
圖3是本發明去除無定形碳薄膜循環利用硅片的方法中采用遠程系統產生等離子體進行灰化工藝的結構示意圖；圖5是本發明去除無定形碳薄膜循環利用硅片的方法的工藝流程示意圖。如圖3和5所不,首先,將表面覆蓋有無定形碳層(Amorphous Carbon) 22的娃片 21放置在反應腔室23中，并采用遠程系統24產生等離子體對該硅片21進行時間為0_600s 的灰化工藝，即活性的0+與無定形碳反應生成揮發性的氣體如C0、C02等，從而去除硅片21 表面的無定形碳層22，然后再利用濕法工藝去除殘余聚合物和灰化工藝中生成的氧化物。其中，進行灰化工藝時通入反應腔室23內流量為1000-10000sccm的氧氣(O2)，且反應腔室23內的溫度為300-500°C，壓力為I-IOTorr。進一步的，該遠程系統24的RF功率為50-3000W，O2的流量為1000-20000sccm。圖4是本發明去除無定形碳薄膜循環利用硅片的方法中采用臭氧發生器產生0+ 進行灰化工藝的結構示意圖；圖5是本發明去除無定形碳薄膜循環利用硅片的方法的工藝流程示意圖。如圖4和5所不，首先,將表面覆蓋有無定形碳層(Amorphous Carbon) 32的娃片31放置在反應腔室33中，并采用臭氧發生器34產生活性的0+對該硅片31進行時間為 0-600s的灰化工藝，即活性的0+與無定形碳反應生成揮發性的氣體如C0、C02等，從而去除硅片31表面的無定形碳層32，然后再利用濕法工藝去除殘余聚合物和灰化工藝中生成的氧化物。其中，進行灰化工藝時通入反應腔室33內流量為1000-10000sccm的氧氣(O2)，且反應腔室33內的溫度為300-500°C，壓力為I-IOTorr。
進一步的，該臭氧發生器34內通入的O2的流量為1000-20000sccm。綜上所述，由于采用了上述技術方案，本發明提出一種去除無定形碳薄膜循環利用硅片的方法，通過采用遠程系統產生等離子體或臭氧發生器產生活性的0+進行灰化工藝，不僅可以達到同樣去除無定形碳的效率，而且對硅片表面的離子損傷較小，從而提高了硅片的循環利用率。通過說明和附圖，給出了具體實施方式
的特定結構的典型實施例，基于本發明精神，還可作其他的轉換。盡管上述發明提出了現有的較佳實施例，然而，這些內容并不作為局限。對于本領域的技術人員而言，閱讀上述說明后，各種變化和修正無疑將顯而易見。 因此，所附的權利要求書應看作是涵蓋本發明的真實意圖和范圍的全部變化和修正。在權利要求書范圍內任何和所有等價的范圍與內容，都應認為仍屬本發明的意圖和范圍內。
權利要求
1.一種去除無定形碳薄膜循環利用硅片的方法，其特征在于，包括以下步驟步驟Si:在反應腔室內，采用遠程系統產生等離子體或臭氧發生器產生活性的0+進行灰化工藝，以去除娃片上無定形碳層；步驟S2 :去除殘余的聚合物和表面氧化物層。
2.根據權利要求I所述的去除無定形碳薄膜循環利用硅片的方法，其特征在于，還包括在所述反應腔室內通入氧氣。
3.根據權利要求2所述的去除無定形碳薄膜循環利用硅片的方法，其特征在于，所述氧氣的流量為lOOO-lOOOOsccm。
4.根據權利要求3所述的去除無定形碳薄膜循環利用硅片的方法，其特征在于，采用濕法工藝去除去除殘余的聚合物和表面氧化物層。
5.根據權利要求4所述的去除無定形碳薄膜循環利用硅片的方法，其特征在于，所述反應腔室內的溫度為300-500°C。
6.根據權利要求5所述的去除無定形碳薄膜循環利用硅片的方法，其特征在于，所述反應腔室內的壓力為l-10Torr。
7.根據權利要求6所述的去除無定形碳薄膜循環利用硅片的方法，其特征在于，所述灰化工藝的反應時間為0-600S。
8.根據權利要求1-7中任意一項所述的去除無定形碳薄膜循環利用硅片的方法，其特征在于，采用遠程系統產生等離子體進行灰化工藝時，其RF功率為50-3000W。
9.根據權利要求8所述的去除無定形碳薄膜循環利用硅片的方法，其特征在于，采用遠程系統產生等離子體進行灰化工藝中的O2的流量為1000-20000sCCm。
10.根據權利要求1-7中任意一項所述的去除無定形碳薄膜循環利用硅片的方法，其特征在于，采用臭氧發生器產生活性的0+進行灰化工藝時，其O2的流量為1000-20000sccm。
全文摘要
本發明涉及半導體制造領域，尤其涉及一種去除無定形碳薄膜循環利用硅片的方法。本發明提出一種去除無定形碳薄膜循環利用硅片的方法，通過采用遠程系統產生等離子體或臭氧發生器產生活性的O+進行灰化工藝，不僅可以達到同樣去除無定形碳的效率，而且對硅片表面的離子損傷較小，從而提高了硅片的循環利用率。
文檔編號H01L21/02GK102610493SQ20121007770
公開日2012年7月25日 申請日期2012年3月22日 優先權日2012年3月22日
發明者鄭春生 申請人:上海華力微電子有限公司