本發明涉及半導體，具體涉及一種光學鄰近修正方法、存儲介質及終端。
背景技術：
1、集成電路制造技術是一個復雜的工藝，技術更新很快。表征集成電路制造技術的一個關鍵參數為最小特征尺寸，即關鍵尺寸(critical?dimension，cd)，隨著關鍵尺寸的縮小，甚至縮小至納米級，而正是由于關鍵尺寸的減小才使得每個芯片上設置百萬個器件成為可能。
2、光刻技術是集成電路制造工藝發展的驅動力，也是最為復雜的技術之一。相對與其它單個制造技術來說，光刻技術的提高對集成電路的發展具有重要意義。在光刻工藝開始之前，首先需要將圖形通過特定設備復制到掩模板上，然后通過光刻設備產生特定波長的光將掩模板上的圖形結構復制到生產芯片的硅片上。但是由于半導體器件尺寸的縮小，在將圖形轉移到硅片的過程中會發生失真現象，如果不消除這種失真現象會導致整個制造技術的失敗。因此，為了解決所述問題可以對所述掩模板進行光學鄰近修正(opticalproximity?correction，opc)，所述光學鄰近修正方法即為對所述光刻掩模板進行光刻前預處理，進行預先修改，使得修改補償的量正好能夠補償曝光系統造成的光學鄰近效應。
3、在光學鄰近修正過程中為了增加圖形的對比度，通常在掩模板上形成目標圖形和亞分辨率的輔助圖形(scattering?bar，sbar)，其中輔助圖形是對目標圖形產生光學鄰近效應的周圍圖形，在曝光后并不形成于所述晶圓上，輔助圖形通常采用矩形的條狀圖形。
4、然而，現有技術的光學鄰近修正仍存在諸多問題。
技術實現思路
1、本發明解決的技術問題是，提供一種光學鄰近修正方法、存儲介質及終端，提高產品良率和制程效率、降低對局部光學鄰近修正區域之外的全局修正圖形修正精度的影響。
2、為解決上述技術問題，本發明的技術方案提供一種光學鄰近修正方法，包括：提供目標版圖，所述目標版圖具有若干目標圖形；形成若干輔助圖形，若干所述輔助圖形包圍各個所述目標圖形；對所述目標版圖進行全局光學鄰近修正，獲取各個所述目標圖形的全局修正圖形；在所述全局光學鄰近修正之后，獲取各個所述全局修正圖形的曝光圖形；將各個所述目標圖形與對應的所述曝光圖形進行對比，檢測出邊緣放置誤差為正值且超出預設誤差范圍的所述目標圖形的弱點邊，并在與所述弱點邊相鄰的所述輔助圖形中標記出待局部光學鄰近修正的局部修正輔助圖形，沿垂直于所述弱點邊的方向進行投影，所述弱點邊在所述局部修正輔助圖形的邊緣輪廓線上具有投影線段；對所述局部修正輔助圖形進行所述局部光學鄰近修正；其中，所述局部光學鄰近修正包括：將所述局部修正輔助圖形進行分段處理，以使具有所述弱點邊的所述目標圖形的邊緣放置誤差位于預設誤差范圍；其中，所述分段處理包括：將所述局部修正輔助圖形進行分割移動以形成第一部圖形和第二部圖形，沿著所述弱點邊延伸的方向，所述第一部圖形和所述第二部圖形之間具有分割間距尺寸。
3、可選的，所述分段處理的方法包括：沿垂直于所述弱點邊的方向對所述局部修正輔助圖形進行切斷處理，形成初始第一部圖形和初始第二部圖形，所述初始第一部圖形具有第一邊，所述初始第二部圖形具有第二邊，所述第一邊與所述第二邊重合；對所述初始第一部圖形和所述初始第二部圖形進行位移處理，形成所述第一部圖形和所述第二部圖形。
4、可選的，所述位移處理的方法包括：將所述第一邊朝向遠離所述初始第二部圖形的方向進行平移；在所述第一邊平移之后，將所述初始第一部圖形中與所述第一邊垂直且相對的第三邊和第四邊自適應的分別與所述第一邊進行密閉，以形成封閉的所述第一部圖形；將所述第二邊朝向遠離所述初始第一部圖形的方向進行平移；在所述第二邊平移之后，將所述初始第二部圖形中與所述第二邊垂直且相對的第五邊和第六邊自適應的分別與所述第二邊進行密閉，以形成封閉的所述第二部圖形。
5、可選的，所述第一邊的平移尺寸和所述第二邊的平移尺寸相等。
6、可選的，所述分割間距尺寸大于或等于邊與邊之間的設計規則間距尺寸。
7、可選的，沿垂直于所述弱點邊的方向，所述局部修正輔助圖形的切斷線與所述弱點邊的中點位于同一直線上。
8、可選的，在所述分段處理之后，還包括：檢測所述第一部圖形和所述第二部圖形的面積；當所述第一部圖形和/或所述第二部圖形的面積小于設計規則面積時，對所述第一部圖形和/或所述第二部圖形進行擴展處理，以使所述第一部圖形和/或所述第二部圖形的面積大于或等于所述設計規則面積。
9、可選的，對所述第一部圖形進行所述擴展處理的方法包括：將所述第一部圖形中與所述第一邊相對的第七邊朝向遠離所述第二部圖形的方向進行平移；將所述第一部圖形中的所述第三邊和所述第四邊自適應的分別與所述第七邊進行密閉，以形成封閉圖形。
10、可選的，對所述第二部圖形進行所述擴展處理的方法包括：將所述第二部圖形中與所述第二邊相對的第八邊朝向遠離所述第一部圖形的方向進行平移；將所述第二部圖形中的所述第五邊和所述第六邊自適應的分別與所述第八邊進行密閉，以形成封閉圖形。
11、相應的，本發明技術方案中還提供一種存儲介質，其上存儲有計算機指令，所述計算機指令運行時執行上述任意一項技術方案所述方法的步驟。
12、相應的，本發明技術方案中還提供一種終端，包括存儲器和處理器，所述存儲器上存儲有能夠在所述處理器上運行的計算機指令，所述處理器運行所述計算機指令時執行上述任意一項技術方案所述方法的步驟。
13、與現有技術相比，本發明實施例的技術方案具有以下有益效果：
14、本發明的技術方案提供的光學鄰近修正方法中，通過在基于模型的所述全局光學鄰近修正之后，檢測標記出與所述弱點邊相鄰的局部修正輔助圖形，并對所述局部修正輔助圖形進行基于規則的所述局部光學鄰近修正，以使具有所述弱點邊的所述目標圖形的邊緣放置誤差位于預設誤差范圍，以此提升產品的良率。通過將所述全局光學鄰近修正和所述局部光學鄰近修正相結合，能夠有效減少所述全局光學鄰近修正的迭代次數，提高制程效率，而且會降低對所述局部光學鄰近修正區域以外的所述全局修正圖形修正精度的影響。另外，在所述局部光學鄰近修正過程中，僅對相關聯的所述局部修正輔助圖形進行調整，而不是對邊緣放置誤差超出預設誤差范圍對應的所述全局修正圖形進行調整，進一步降低對所述局部光學鄰近修正區域以外的所述全局修正圖形修正精度的影響。
15、進一步，沿垂直于所述弱點邊的方向，所述局部修正輔助圖形的切斷線與所述弱點邊的中點位于同一直線上。由于所述全局修正圖形其中的一個邊緣放置誤差的評價點即為所述弱點邊的中點，因此通過將所述局部修正圖形從所述弱點邊中點相對應的位置進行分割，能夠最快速的調整所述目標圖形的邊緣放置誤差。
1.一種光學鄰近修正方法，其特征在于，包括：
2.如權利要求1所述的光學鄰近修正方法，其特征在于，所述分段處理的方法包括：沿垂直于所述弱點邊的方向對所述局部修正輔助圖形進行切斷處理，形成初始第一部圖形和初始第二部圖形，所述初始第一部圖形具有第一邊，所述初始第二部圖形具有第二邊，所述第一邊與所述第二邊重合；對所述初始第一部圖形和所述初始第二部圖形進行位移處理，形成所述第一部圖形和所述第二部圖形。
3.如權利要求2所述的光學鄰近修正方法，其特征在于，所述位移處理的方法包括：將所述第一邊朝向遠離所述初始第二部圖形的方向進行平移；在所述第一邊平移之后，將所述初始第一部圖形中與所述第一邊垂直且相對的第三邊和第四邊自適應的分別與所述第一邊進行密閉，以形成封閉的所述第一部圖形；將所述第二邊朝向遠離所述初始第一部圖形的方向進行平移；在所述第二邊平移之后，將所述初始第二部圖形中與所述第二邊垂直且相對的第五邊和第六邊自適應的分別與所述第二邊進行密閉，以形成封閉的所述第二部圖形。
4.如權利要求3所述的光學鄰近修正方法，其特征在于，所述第一邊的平移尺寸和所述第二邊的平移尺寸相等。
5.如權利要求1所述的光學鄰近修正方法，其特征在于，所述分割間距尺寸大于或等于邊與邊之間的設計規則間距尺寸。
6.如權利要求2所述的光學鄰近修正方法，其特征在于，沿垂直于所述弱點邊的方向，所述局部修正輔助圖形的切斷線與所述弱點邊的中點位于同一直線上。
7.如權利要求3所述的光學鄰近修正方法，其特征在于，在所述分段處理之后，還包括：檢測所述第一部圖形和所述第二部圖形的面積；當所述第一部圖形和/或所述第二部圖形的面積小于設計規則面積時，對所述第一部圖形和/或所述第二部圖形進行擴展處理，以使所述第一部圖形和/或所述第二部圖形的面積大于或等于所述設計規則面積。
8.如權利要求7所述的光學鄰近修正方法，其特征在于，對所述第一部圖形進行所述擴展處理的方法包括：將所述第一部圖形中與所述第一邊相對的第七邊朝向遠離所述第二部圖形的方向進行平移；將所述第一部圖形中的所述第三邊和所述第四邊自適應的分別與所述第七邊進行密閉，以形成封閉圖形。
9.如權利要求7所述的光學鄰近修正方法，其特征在于，對所述第二部圖形進行所述擴展處理的方法包括：將所述第二部圖形中與所述第二邊相對的第八邊朝向遠離所述第一部圖形的方向進行平移；將所述第二部圖形中的所述第五邊和所述第六邊自適應的分別與所述第八邊進行密閉，以形成封閉圖形。
10.一種存儲介質，其上存儲有計算機指令，其特征在于，所述計算機指令運行時執行權利要求1～9任一項所述方法的步驟。
11.一種終端，包括存儲器和處理器，所述存儲器上存儲有能夠在所述處理器上運行的計算機指令，其特征在于，所述處理器運行所述計算機指令時執行權利要求1～9任一項所述方法的步驟。