本公開涉及一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置，并且更具體地，涉及一種使用電容器作為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元件的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置。

背景技術(shù)：

1、近年來(lái)，隨著半導(dǎo)體存儲(chǔ)器變得大容量化和高集成化，設(shè)計(jì)規(guī)則也不斷減小。這種趨勢(shì)也出現(xiàn)在作為半導(dǎo)體存儲(chǔ)器中的一種的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（dram）中。為了使dram裝置工作，每個(gè)單元被期望具有特定水平或更大的電容。

2、電容的增大可導(dǎo)致電容器內(nèi)電荷的更大累積，從而提高半導(dǎo)體裝置的刷新特性。半導(dǎo)體裝置的刷新特性的這種增強(qiáng)可提高半導(dǎo)體裝置的良率。

3、增大電容的努力涉及在電容器中采用具有高介電常數(shù)的介電膜或增大電容器的下電極與介電膜之間的接觸面積。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本公開的方面提供了一種包括可增大電容的電容器的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置。

2、根據(jù)本公開的方面，提供了一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置，所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置包括：導(dǎo)電圖案，在基底上；下電極，連接到導(dǎo)電圖案，在第一方向上延伸，并且包括第一部分和第二部分，下電極的第一部分被設(shè)置在導(dǎo)電圖案與下電極的第二部分之間；一個(gè)或多個(gè)電極側(cè)壁支撐件，支撐下電極并與下電極的側(cè)壁接觸；電極覆蓋支撐件，設(shè)置在下電極上，并與下電極的頂面接觸；電容器介電膜，在下電極、電極側(cè)壁支撐件和電極覆蓋支撐件上；以及上電極，在電容器介電膜上，其中，下電極的第一部分在遠(yuǎn)離導(dǎo)電圖案的第一方向上具有增大的寬度，并且下電極的第一部分的側(cè)壁的斜率與下電極的第二部分的側(cè)壁的斜率不同。

3、根據(jù)本公開的方面，提供了一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置，所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置包括：導(dǎo)電圖案，在基底上；下電極，連接到導(dǎo)電圖案，在第一方向上延伸，并且包括第一部分和第二部分，下電極的第一部分被設(shè)置在導(dǎo)電圖案與下電極的第二部分之間；多個(gè)電極側(cè)壁支撐件，支撐下電極并與下電極的側(cè)壁接觸；電容器介電膜，在下電極以及所述多個(gè)電極側(cè)壁支撐件中的每個(gè)上；以及上電極，在電容器介電膜上，其中，下電極的第一部分在遠(yuǎn)離導(dǎo)電圖案的第一方向上具有增大的寬度，下電極的第一部分的側(cè)壁的斜率與下電極的第二部分的側(cè)壁的斜率不同，所述多個(gè)電極側(cè)壁支撐件包括距導(dǎo)電圖案最遠(yuǎn)的最上電極側(cè)壁支撐件，最上電極側(cè)壁支撐件包括與導(dǎo)電圖案相鄰的底表面和與最上電極側(cè)壁支撐件的底表面相對(duì)的上表面，并且下電極的第一部分的一部分在第一方向上突出超過最上電極側(cè)壁支撐件的上表面。

4、根據(jù)本公開的方面，提供了一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置，所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置包括：基底，包括由元件分離膜限定并在第一方向上延伸的有源區(qū)域，有源區(qū)域包括第一部分和設(shè)置在第一部分的相對(duì)側(cè)上的一對(duì)第二部分；字線，在與基底的上表面平行并且與第一方向不同的第二方向上延伸，被掩埋在基底和元件分離膜中，并且設(shè)置在有源區(qū)域的第一部分與有源區(qū)域的所述一對(duì)第二部分中的一個(gè)之間；位線接觸件，連接到有源區(qū)域的第一部分；位線，連接到位線接觸件并且在不同于第一方向和第二方向的第三方向上延伸，并且被設(shè)置在位線接觸件上；接合墊，連接到有源區(qū)域的第二部分；以及電容器，連接到接合墊并且被設(shè)置在接合墊上，其中，電容器包括：下電極，連接到接合墊并且在第三方向上延伸；多個(gè)電極側(cè)壁支撐件，支撐下電極并與下電極的側(cè)壁接觸；電極覆蓋支撐件，被設(shè)置在下電極上并與下電極的頂面接觸；電容器介電膜，在下電極、所述多個(gè)電極側(cè)壁支撐件中的每個(gè)以及電極覆蓋支撐件上；以及上電極，在電容器介電膜上，其中，下電極包括下電極的第一部分和下電極的第二部分，下電極的第一部分在遠(yuǎn)離接合墊的第三方向上具有增大的寬度，電極覆蓋支撐件與下電極的第二部分接觸，并且下電極的第一部分的側(cè)壁的斜率與下電極的第二部分的側(cè)壁的斜率不同。

5、然而，本公開的方面不限于在此闡述的方面。通過參照以下給出的本公開的詳細(xì)描述，本公開的以上和其他方面對(duì)于本公開所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員將變得更加清楚。

技術(shù)特征：

1.一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置，包括：

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置，

3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置，

4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置，

5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置，

6.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置，

7.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置，

8.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置，

9.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置，

10.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置，

11.一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置，包括：

12.如權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置，還包括：

13.如權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置，

14.如權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置，

15.如權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置，

16.如權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置，

17.如權(quán)利要求16所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置，

18.一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置，包括：

19.如權(quán)利要求18所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置，

20.如權(quán)利要求18或19所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置，

技術(shù)總結(jié)
一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置包括：導(dǎo)電圖案，在基底上；下電極，連接到導(dǎo)電圖案，并包括第一和第二部分；一個(gè)或多個(gè)電極側(cè)壁支撐件，支撐下電極并接觸下電極的側(cè)壁；電極覆蓋支撐件，設(shè)置在下電極上并接觸下電極的頂面；電容器介電膜，在下電極、電極側(cè)壁支撐件和電極覆蓋支撐件上；以及上電極，在電容器介電膜上。下電極的第一部分隨著其遠(yuǎn)離導(dǎo)電圖案在第一方向上具有增大的寬度，并且下電極的第一部分的側(cè)壁的斜率與下電極的第二部分的側(cè)壁的斜率不同。

技術(shù)研發(fā)人員：李到瑾,金亮阧,樸相郁,徐旻揆,李建燁,李志惠,洪定杓
受保護(hù)的技術(shù)使用者：三星電子株式會(huì)社
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/5/22