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本發明涉及光存儲，尤其涉及一種光盤匣存取裝置。、當前的光盤匣存儲裝置，通過卡爪電機帶動減速齒輪與滑動杠桿，驅使抓盤手的卡爪轉動，以實現光盤匣的存取操作。、當有取出光盤匣的需求時，需由伺服系統發出指令，驅動卡爪電機轉動，使抓盤手的卡爪張開，同時，盤匣電機需轉動，驅動抓盤手向光盤匣所在的光盤匣...

本公開涉及用于對eprom位單元的源極-漏極電壓準確地進行箝位的電路和方法。、電可編程只讀存儲器(eprom)存儲器是當電力被移除時仍維持位單元數據的一種形式的電子存儲器。在長時間段內維持位單元數據狀態是重要的，且在存儲器讀取操作期間和在備用模式中限制位單元漏極-源極電位(vds)有助于在...

本公開的實施例涉及集成電路技術，并且更具體地，涉及半導體裝置。、近來，隨著電子設備尺寸的減小、功耗的降低、性能的提高以及多樣化，多種電子設備（諸如計算機和便攜式通信設備）都需要能夠存儲信息的半導體裝置。半導體裝置基本上可以分為易失性存儲器件和非易失性存儲器件。易失性存儲器件僅在向其供電的狀...

本發明涉及半導體存儲器技術，特別涉及一種差分型存儲器。、現有技術中，一種參考電流型的存儲陣列讀取方式及其地址排布如圖所示，利用存“”和存“”的存儲單元閾值電壓vt不同，在相同柵壓下飽和電流不同的特點，以處于兩者之間的固定電流為參考，通過比較存儲單元(bitcell)電流與參考電流的大小來讀...

本公開的示例總體上涉及高帶寬存儲器（hbm）中的定向刷新管理（drfm）地址捕獲。、當今的許多工作負載和應用（諸如ai、數據分析、視頻轉碼和基因組分析）需要增加的存儲器帶寬量。傳統的雙倍數據速率（ddr）存儲器解決方案已經無法跟上不斷增長的計算并且存儲器帶寬密集型工作負載正在成為數據移動和...

本發明涉及半導體存儲技術，尤其涉及用于高速存儲設備成批測試的高低溫測試治具、系統及設備。、隨著存儲技術的發展，存儲設備的傳輸速率越來越高，例如pcie?gen/pclegen/ddr等存儲設備，而高速存儲設備在高低溫下滿速運行的穩定性、可靠性是存儲設備的關鍵指標之一。在此前提下，用于高速存...

本發明涉及類腦計算與憶阻電路，具體涉及一種模擬年齡相關聯想記憶抗干擾差異的憶阻電路。、現有聯想記憶阻電路多聚焦于通過?ltp（長時程增強）/ltd（長時程抑制）平衡實現記憶的形成與衰退模擬，但其核心缺陷在于：.?忽略真實場景中的無關刺激干擾：現有電路僅針對?“條件刺激（如鈴聲）?非條件刺激...

本公開涉及具有逐行寫入輔助的靜態隨機存取存儲器。、例如，隨著更大的管芯上緩存被采用，計算設備中對存儲器的需求不斷增長，如在高性能處理器中。靜態隨機存取存儲器(sram)是支持這些工作負載并提供片上高密度存儲器的候選方案。然而，在滿足性能和可擴展性目標時遇到各種挑戰。技術實現思路、根據本公開...

本公開的多種實施例涉及半導體設計技術，更具體地說，涉及包括字線驅動電路的存儲裝置。、隨著存儲裝置的集成度的提高，存儲裝置中包含的多個字線中相鄰兩個字線之間的距離減小。隨著相鄰字線之間的距離減小，相鄰字線之間的耦合效應增大。、每當數據輸入和輸出到存儲單元時，字線在激活狀態和非激活狀態之間切換...

本公開內容涉及存儲器裝置及其操作方法。、閃存存儲器是可以被電擦除和重新編程的低成本、高密度、非易失性固態儲存介質。閃存存儲器包括nor閃存存儲器和nand閃存存儲器。閃存存儲器可以執行各種操作，例如讀取、編程(寫入)和擦除。對于nand閃存存儲器，可以在塊級別上執行擦除操作，并且可以在頁級...

本說明書說明存儲裝置等。注意，本發明的一個方式不局限于上述。作為本說明書等所公開的本發明的一個方式的的例子，可以舉出半導體裝置、攝像裝置、顯示裝置、發光裝置、蓄電裝置、存儲裝置、顯示系統、電子設備、照明裝置、輸入裝置、輸入輸出裝置、其驅動方法或者其制造方法。、近年來，對全球變暖的措施的重要...

本申請實施例涉及存儲器測試領域，尤其涉及一種存儲芯片的錯誤物理地址解碼邏輯推導方法、失效存儲顆粒定位方法、測試設備和計算機程序產品。、隨著計算系統對內存容量和性能需求的不斷提升，存儲系統的拓撲結構日益復雜，多通道、多插槽（socket）、高密度的內存模組已成為服務器、工作站及高性能計算平臺...

本發明涉及集成電路，尤其是指一種基于串行通信的mtp燒錄方法。、mtp（multiple-time?programmable，多次可編程）是一種多次可編程的非易失性存儲器（non-volatile?memory，nvm）類型。傳統的mtp編程通常通過swd（serial?wiredebug...

本公開涉及非易失性靜態隨機存取存儲，具體地涉及一種非易失性靜態隨機存取存儲單元。、隨著集成電路存儲技術向大容量、高集成、低功耗升級的趨勢下，數據吞吐量呈指數級增長，對nvsram（non-volatile?static?random?access?memory，非易失性靜態隨機存取存儲）單...

本公開涉及非易失性靜態隨機存取存儲，具體地涉及一種非易失性靜態隨機存取存儲裝置、電子設備及數據信號恢復方法。、隨著集成電路存儲技術向高可靠、低功耗、廣適配升級的過程中，基于nvm（non-volatile?memory，非易失性存儲器）的nvsram（non-volatile?static...

本發明涉及光盤存儲，尤其涉及一種提高取盤效率的方法及裝置。、現有的光盤存儲系統中，多張光盤通常摞在一起放在一個光盤匣中。在使用時，需要機械手進行抓取，并放入光驅中進行讀取。在完成讀取后需要把這張光盤放回到光盤匣中。基于光盤存儲的基本要求，要求這張光盤放入它在光盤匣中原來的位置，這樣能夠在對...

本公開內容涉及數據存儲系統和裝置。、隨著互聯網和各種關鍵任務應用的快速增長，保持數據完整性和確保對關鍵信息的連續訪問的重要性無比重要。為了滿足保存和訪問可靠數據的需要，獨立磁盤冗余陣列（raid）算法已經被用于改進nand存儲器裝置中的性能、可靠性、功耗和可擴展性。raid算法采用條帶化、...

本發明涉及集成電路設計與信息安全，特別涉及一種單次寫入鎖定電路和方法。、在現代消費類電子芯片中，為了保證芯片的安全性和可追溯性，通常需要存儲一些固定的、不可被用戶修改的數據，例如芯片唯一的身份標識chipid、廠商標識vendorid、出廠配置信息、校驗數據以及射頻或serdes模塊的校準...

多種實施例總體而言涉及半導體電路，包括但不限于半導體裝置中的讀取操作。、半導體裝置包括多個單位存儲區域，諸如存儲體，其分布在多個存儲體組中以執行讀取操作和寫入操作。多個存儲體組根據預定的目標操作標準(諸如時間間隔tccd(column?to?column?delay，列到列延遲))來執行讀...

本申請涉及但不限于一種半導體器件及其操作方法、系統。、半導體器件，如與非型(not-and，nand)閃存器由于具有較高的存儲密度、可控的生產成本、合適的編擦速度及保持特性，已經成為存儲市場中的主流產品。更多位的存儲和存算一體是閃存器的新技術方向。技術實現思路、根據本申請實施例的第一方面，...