本技術涉及mems，特別涉及一種傳感器以及應用該傳感器的電子設備。
背景技術：
1、mems(micro-electro-mechanical?system，微機電系統)技術是近年來高速發展的一項高新技術，它采用先進的半導體制造工藝，實現傳感器、驅動器等器件的批量制造，與對應的傳統器件相比，mems器件在體積、功耗、重量以及價格方面有十分明顯的優勢。
2、隨著科技的高速發展，電子設備(例如手機、耳機、電腦)的應用越來越廣泛。電子設備對潔凈度要求較高，為保證主板電路清潔，smd后會有清洗要求，而為了達到完美的清洗效果，往往在水中加入表面活性劑，達到進一步清除有機化合物的作用。
3、相關技術中，電子設備的主板貼裝上mems器件后，mems器件有透氣孔，清洗時會有水進入，表面活性劑起泡后由于超聲震蕩作用會爆破，爆破瞬間會對mems膜/金線產生巨大沖擊力，會造成mems膜破裂、金線斷裂等問題，導致mems器件測試不準確，甚至失去測試功能，最終影響客戶終端應用評估失效。
技術實現思路
1、本實用新型的主要目的是提供一種傳感器和電子設備，旨在解決清洗過程中能夠避免出現失效問題，該傳感器能夠有效保護mems芯片及金線，提高可靠性和產品性能。
2、為實現上述目的，本實用新型提出一種傳感器，所述傳感器包括：
3、殼體，所述殼體包括基板和外殼，所述基板和所述外殼圍合形成容腔，所述基板或所述外殼設有連通所述容腔的聲孔；
4、芯片組件，所述芯片組件設于所述容腔內，并通過第一金線與所述基板電連接，所述芯片組件設有敏感區域；
5、封裝層，所述封裝層設于所述容腔內，并包裹所述第一金線，所述封裝層與所述敏感區域圍合形成感應槽；及
6、防護層，所述防護層封堵所述感應槽的槽口，并與所述敏感區域相對。
7、在一實施方式中，所述芯片組件設于所述基板，所述外殼設有所述聲孔，所述封裝層填充于所述容腔內，所述封裝層包裹所述第一金線和所述芯片組件的周緣，并與所述敏感區域圍合形成所述感應槽；
8、其中，所述封裝層和所述防護層與所述外殼圍合形成連通所述聲孔的聲腔。
9、在一實施方式中，所述封裝層形成有支撐臺，所述支撐臺環繞所述敏感區域設置，以圍合形成所述感應槽，所述防護層的周緣與所述支撐臺連接，以封堵所述感應槽的槽口，并與所述敏感區域相對。
10、在一實施方式中，所述防護層連接并支撐于所述支撐臺背向所述芯片組件的一側；
11、且/或，所述防護層與所述支撐臺之間設有粘結層，所述粘結層由粘結膠形成。
12、在一實施方式中，所述防護層為防水透氣膜；
13、且/或，所述封裝層的材質為環氧樹脂。
14、在一實施方式中，所述外殼為金屬外殼；
15、且/或，所述外殼與所述基板之間焊接或采用導電膠粘接；
16、且/或，所述基板面向所述容腔的一側設有第一焊盤，所述第一金線與所述第一焊盤焊接連接；
17、且/或，所述基板背向所述容腔的一側設有第二焊盤，所述第二焊盤用于與外部電路連接。
18、在一實施方式中，所述芯片組件包括mems芯片和asic芯片，所述asic芯片通過所述第一金線與所述基板電連接，所述mems芯片通過第二金線與所述asic芯片電連接，所述mems芯片設有所述敏感區域；
19、其中，所述封裝層包裹所述第一金線和所述第二金線。
20、在一實施方式中，所述mems芯片和所述asic芯片間隔設于所述基板，所述mems芯片和所述asic芯片均通過膠層與所述基板連接。
21、在一實施方式中，所述asic芯片設于所述基板，并通過膠層與所述基板連接，所述mems芯片堆疊設于所述asic芯片背向所述基板的一側，并通過膠層與所述asic芯片連接。
22、本實用新型還提出一種電子設備，所述電子設備包括上述所述的傳感器。
23、本實用新型技術方案的傳感器通過將殼體設置為基板和外殼，利用基板和外殼圍合形成容腔，從而方便利用容腔安裝、固定和保護芯片組件，且在基板或外殼設有連通容腔的聲孔，使得外界氣流或聲音順利通過聲孔進入容腔，從而方便芯片組件進行檢測或感應；同時，通過在容腔內設置封裝層和防護層，利用封裝層包裹所述第一金線，且利用封裝層與芯片組件的敏感區域圍合形成感應槽，并利用防護層封堵感應槽的槽口，并與敏感區域相對，如此可利用封裝層實現對第一金線的保護，且配合防護層進一步保護芯片組件的敏感區域，如此在清洗過程中，清洗劑和水通過聲孔進入容腔內，由于封裝層和防護層的配合，可有效防止水和氣泡直接接觸芯片組件的敏感區域，以及在氣泡爆破后導致敏感區域破裂或形變、金線斷裂等現象，從而實現保護芯片組件的敏感區域和金線，避免性能變差或失效以及影響產品性能，提高可靠性和產品性能。
1.一種傳感器，其特征在于，所述傳感器包括：
2.如權利要求1所述的傳感器，其特征在于，所述芯片組件設于所述基板，所述外殼設有所述聲孔，所述封裝層填充于所述容腔內，所述封裝層包裹所述第一金線和所述芯片組件的周緣，并與所述敏感區域圍合形成所述感應槽；
3.如權利要求2所述的傳感器，其特征在于，所述封裝層形成有支撐臺，所述支撐臺環繞所述敏感區域設置，以圍合形成所述感應槽，所述防護層的周緣與所述支撐臺連接，以封堵所述感應槽的槽口，并與所述敏感區域相對。
4.如權利要求3所述的傳感器，其特征在于，所述防護層連接并支撐于所述支撐臺背向所述芯片組件的一側；
5.如權利要求1所述的傳感器，其特征在于，所述防護層為防水透氣膜；
6.如權利要求1所述的傳感器，其特征在于，所述外殼為金屬外殼；
7.如權利要求1至6中任一項所述的傳感器，其特征在于，所述芯片組件包括mems芯片和asic芯片，所述asic芯片通過所述第一金線與所述基板電連接，所述mems芯片通過第二金線與所述asic芯片電連接，所述mems芯片設有所述敏感區域；
8.如權利要求7所述的傳感器，其特征在于，所述mems芯片和所述asic芯片間隔設于所述基板，所述mems芯片和所述asic芯片均通過膠層與所述基板連接。
9.如權利要求7所述的傳感器，其特征在于，所述asic芯片設于所述基板，并通過膠層與所述基板連接，所述mems芯片堆疊設于所述asic芯片背向所述基板的一側，并通過膠層與所述asic芯片連接。
10.一種電子設備，其特征在于，所述電子設備包括如權利要求1至9中任一項所述的傳感器。