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微觀裝置的制造及其處理技術(shù)
  • MEMS壓力換能器晶片級(jí)芯片尺寸封裝及其制造方法與流程
    本公開的實(shí)施例涉及用于mems器件(mems:微機(jī)電系統(tǒng)),特別是用于mems壓力換能器器件(諸如環(huán)境壓力傳感器、麥克風(fēng)、揚(yáng)聲器等)。在本文中所公開的新穎封裝概念涉及用于mems壓力換能器器件的晶片級(jí)芯片尺寸封裝(wlcsp)及其制造方法。、當(dāng)今的硅mems壓力換能器封裝包括若干結(jié)構(gòu)部分,...
  • 一種MEMS傳感器、晶圓、檢測(cè)系統(tǒng)及檢測(cè)方法與流程
    本申請(qǐng)涉及微機(jī)電系統(tǒng),尤其涉及一種mems傳感器、晶圓、檢測(cè)系統(tǒng)及檢測(cè)方法。、微機(jī)電系統(tǒng)(mems)芯片廣泛應(yīng)用于傳感、通信和汽車電子等領(lǐng)域,其內(nèi)部敏感結(jié)構(gòu)通常依賴晶圓級(jí)封裝形成的密封腔室來(lái)保持穩(wěn)定工作環(huán)境。氣密性不足會(huì)導(dǎo)致濕氣或雜質(zhì)進(jìn)入,進(jìn)而影響敏感結(jié)構(gòu)性能,造成器件失效。、現(xiàn)有的mem...
  • 一種MEMS引線框架的制作方法
    本技術(shù)涉及芯片加工,尤其涉及一種mems引線框架。、現(xiàn)有的一種mems引線框架包括注塑體與引腳單元,注塑體上開設(shè)有第一凹槽,第一凹槽的槽底開設(shè)有第二凹槽,芯片放置于第二凹槽上,引腳單元對(duì)稱的插入注塑體的左右兩側(cè)并伸入第一凹槽內(nèi)形成鍵合區(qū),芯片通過鍵合線與鍵合區(qū)鍵合,安裝至電路板的過程中,將...
  • 一種MEMS封裝結(jié)構(gòu)的制作方法
    本技術(shù)涉及芯片封裝,尤其涉及一種mems封裝結(jié)構(gòu)。、現(xiàn)有的mems封裝結(jié)構(gòu)包括基板、外殼與芯片,外殼設(shè)置在基板上,外殼與基板圍合形成空腔,芯片設(shè)置于空腔內(nèi)并且連接基板,基板上設(shè)置有環(huán)繞芯片的焊接槽,焊接槽的靠近芯片的內(nèi)圈部分設(shè)有一圈臺(tái)階部,外殼的底端位于焊接槽內(nèi)并部分抵接于臺(tái)階部,外殼的底...
  • 半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制備方法與流程
    本申請(qǐng)涉及半導(dǎo)體,具體而言涉及一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制備方法。、器件層是mems(micro-electro-mechanical?system,微機(jī)電系統(tǒng))慣性器件的核心結(jié)構(gòu)層,包含輸出結(jié)構(gòu)等關(guān)鍵結(jié)構(gòu),其機(jī)械特性直接決定了mems慣性器件的靈敏度、噪聲特性和可靠性等,需要精確控制器件層的厚度...
  • 具有光波長(zhǎng)調(diào)控的納米流體器件及應(yīng)用
    本發(fā)明屬于納米結(jié)構(gòu)的,具體涉及一種具有光波長(zhǎng)調(diào)控的納米流體器件及應(yīng)用。、生物納米通道在生物體內(nèi)發(fā)揮著至關(guān)重要的作用,并精確地控制復(fù)雜生命過程中的跨膜物質(zhì)運(yùn)輸。受生物納米通道的啟發(fā),基于各種材料和方法構(gòu)建了大量的智能人工固態(tài)納米孔和納米通道,特別是光響應(yīng)型納米孔和納米通道,它們通過光信號(hào)的遠(yuǎn)...
  • 用于晶圓的間隔保持件的制作方法
    本發(fā)明涉及晶圓加工領(lǐng)域,并且涉及一種用于制造具有用于保護(hù)金屬觸點(diǎn)的間隔保持件晶圓的耦合晶圓的方法。此外,本發(fā)明還涉及一種相應(yīng)的耦合晶圓。、us?/?a公開了一種用于在mems制造過程中防止敏感表面損傷的可能性。為此提出,使用具有結(jié)構(gòu)化了的接觸面的卡盤。具體地說明了一種覆蓋晶圓,其在制造過程...
  • CMOS MEMS單片集成流量傳感系統(tǒng)的制備方法、芯片結(jié)構(gòu)及應(yīng)用
    本發(fā)明涉及流量傳感器制備,特別是涉及一種cmos?mems單片集成流量傳感系統(tǒng)的制備方法、芯片結(jié)構(gòu)及應(yīng)用。、在cmos?mems單片集成中,根據(jù)mems(微機(jī)電系統(tǒng))制造工藝與cmos(互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體)電路工藝的先后順序不同,通常分為前-cmos(pre-cmos)、中-cmos(i...
  • 一種用于晶圓級(jí)MEMS微結(jié)構(gòu)動(dòng)態(tài)特性測(cè)試的空氣耦合超聲波激勵(lì)裝置
    本發(fā)明屬于微型機(jī)械電子系統(tǒng),特別涉及一種用于晶圓級(jí)mems微結(jié)構(gòu)動(dòng)態(tài)特性測(cè)試的空氣耦合超聲波激勵(lì)裝置。、mems微器件因其低成本、小型化和輕量化的優(yōu)勢(shì),已在汽車、航空航天、信息通信、生物化學(xué)、醫(yī)療健康、自動(dòng)控制以及國(guó)防等眾多領(lǐng)域展現(xiàn)出廣闊的應(yīng)用前景。對(duì)于多數(shù)mems器件而言,其功能的實(shí)現(xiàn)依...
  • 一種柔性脈搏壓阻傳感器裝置制作方法及裝置
    本發(fā)明涉及傳感器,特別涉及了一種柔性脈搏壓阻傳感器裝置制作方法及裝置。、柔性壓阻傳感器因其可彎曲、可穿戴的特性,在健康監(jiān)測(cè)、人機(jī)交互及智能傳感領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。現(xiàn)有技術(shù)中,該類傳感器主要通過導(dǎo)電納米材料或?qū)щ姀?fù)合材料的壓阻效應(yīng)實(shí)現(xiàn)力學(xué)信號(hào)向電學(xué)信號(hào)的轉(zhuǎn)換。然而,受限于敏感層導(dǎo)電通路在應(yīng)力作...
  • 用于晶圓級(jí)封裝的蓋板、制造方法及MEMS晶圓級(jí)封裝方法與流程
    本發(fā)明涉及晶圓封裝,尤其涉及一種用于晶圓級(jí)封裝的通用蓋板、制造方法及mems晶圓級(jí)封裝方法。、mems(微機(jī)電系統(tǒng))晶圓級(jí)封裝技術(shù),是在晶圓制造完成后,直接對(duì)整個(gè)晶圓進(jìn)行封裝,之后再切割成單個(gè)芯片的技術(shù)。它能顯著提升mems器件的性能和可靠性,實(shí)現(xiàn)器件小型化和低成本化,是制作mems器件的...
  • 一種柵型橋接硅納米線陣列生物傳感器及其制備方法
    本發(fā)明屬于生物傳感器,具體涉及一種柵型橋接硅納米線陣列生物傳感器及其制備方法。、生物傳感技術(shù)作為醫(yī)療診斷、環(huán)境監(jiān)測(cè)和食品安全等領(lǐng)域的關(guān)鍵技術(shù),近年來(lái)受到廣泛關(guān)注。特別是在疾病早期診斷方面,實(shí)現(xiàn)對(duì)飛摩爾級(jí)別超低濃度生物標(biāo)志物的檢測(cè)已成為該領(lǐng)域的重要研究方向。隨著納米材料科學(xué)的發(fā)展,基于一維納...
  • 一種基于電極分區(qū)排布的壓電MEMS芯片的制作方法
    本發(fā)明涉及mems芯片制備半導(dǎo)體工藝,尤其涉及一種基于電極分區(qū)排布的壓電mems芯片。、超聲波傳感器是將超聲波信號(hào)轉(zhuǎn)換成其它能量信號(hào)(通常是電信號(hào))的傳感器。超聲波是振動(dòng)頻率高于khz的機(jī)械波。它具有頻率高、波長(zhǎng)短、繞射現(xiàn)象小,特別是方向性好、能夠成為射線而定向傳播等特點(diǎn)。超聲波對(duì)液體、固...
  • 一種低應(yīng)力封裝結(jié)構(gòu)的制作方法
    本技術(shù)涉及一種mems芯片封裝技術(shù),尤其涉及一種減低粘接膠應(yīng)力影響的mems芯片封裝結(jié)構(gòu)。、mems芯片是指微機(jī)電系統(tǒng)(micro-electro-mechanical?systems)芯片,也被稱為微機(jī)電系統(tǒng)集成電路。它通過微納制造技術(shù)將微小的機(jī)械部件制造在芯片表面上,并與電路元件相互連...
  • 一種反射鏡表面平坦化的CMP工藝及反射鏡和MEMS結(jié)構(gòu)的制作方法
    本申請(qǐng)涉及半導(dǎo)體制造,尤其涉及一種反射鏡表面平坦化的cmp工藝及反射鏡和mems結(jié)構(gòu)。、非制冷紅外焦平面探測(cè)器以微機(jī)電技術(shù)(mems)制備的熱傳感器為核心,其主要結(jié)構(gòu)由反射鏡,橋墩,橋腿層,橋面構(gòu)成。其中,反射鏡作為互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(cmos)與mems結(jié)構(gòu)的連結(jié)層,具有以下雙重結(jié)構(gòu)屬...
  • 一種網(wǎng)狀互聯(lián)微結(jié)構(gòu)及其制備方法和應(yīng)用
    本發(fā)明屬于微納加工與功能材料制備,具體涉及一種網(wǎng)狀互聯(lián)微結(jié)構(gòu)及其制備方法和應(yīng)用。、在微納制造領(lǐng)域,具備“獨(dú)立微結(jié)構(gòu)網(wǎng)狀互聯(lián)”特征的復(fù)合結(jié)構(gòu)已成為mems傳感器、微流控系統(tǒng)及仿生器件等功能器件的核心構(gòu)型。此類復(fù)合結(jié)構(gòu)中的網(wǎng)狀互聯(lián)體系具有三重關(guān)鍵功能:其一,作為結(jié)構(gòu)增強(qiáng)單元,有效防止微結(jié)構(gòu)在服...
  • 一種用于高溫真空環(huán)境下對(duì)MEMS微結(jié)構(gòu)進(jìn)行激勵(lì)的激波激勵(lì)裝置
    本發(fā)明屬于微型機(jī)械電子系統(tǒng),特別涉及一種用于高溫真空環(huán)境下對(duì)mems微結(jié)構(gòu)進(jìn)行激勵(lì)的激波激勵(lì)裝置。、微機(jī)電系統(tǒng)(mems)器件憑借制造成本低、體積小巧和重量輕便等顯著優(yōu)勢(shì),近年來(lái)在汽車電子、航空航天、信息通信、生物醫(yī)學(xué)、精密檢測(cè)、自動(dòng)控制以及國(guó)防安全等諸多領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用。mems器件...
  • 用于MEMS微結(jié)構(gòu)低溫環(huán)境下動(dòng)態(tài)特性測(cè)試的多腔體聚焦式激波激勵(lì)裝置
    本發(fā)明屬于微型機(jī)械電子系統(tǒng),特別涉及一種用于mems微結(jié)構(gòu)低溫環(huán)境下動(dòng)態(tài)特性測(cè)試的多腔體聚焦式激波激勵(lì)裝置。、微機(jī)電系統(tǒng)(mems)器件的性能與其內(nèi)部微結(jié)構(gòu)的動(dòng)態(tài)特性密切相關(guān),例如固有頻率、阻尼比和振幅等參數(shù)直接影響器件的穩(wěn)定性與可靠性。因此,在mems產(chǎn)品研發(fā)過程中,對(duì)微結(jié)構(gòu)動(dòng)態(tài)特性的準(zhǔn)...
  • 一種利用雙橢球腔體聚焦的MEMS微結(jié)構(gòu)激波激勵(lì)裝置
    本發(fā)明屬于微型機(jī)械電子系統(tǒng),特別涉及一種利用雙橢球腔體聚焦的mems微結(jié)構(gòu)激波激勵(lì)裝置。、隨著微電子技術(shù)和微納制造工藝的不斷發(fā)展,微機(jī)電系統(tǒng)(mems)器件因其微型化、輕量化和低成本等優(yōu)勢(shì),已經(jīng)在汽車電子、航空航天、信息通信、醫(yī)學(xué)檢測(cè)、精密儀器和國(guó)防裝備等領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。mems器件內(nèi)...
  • 微機(jī)械的彈簧結(jié)構(gòu)和微機(jī)電裝置的制作方法
    本發(fā)明涉及一種微機(jī)械的彈簧結(jié)構(gòu),用于將第一微機(jī)械構(gòu)件結(jié)構(gòu)與第二微機(jī)械構(gòu)件結(jié)構(gòu)彈性可偏轉(zhuǎn)地連接。此外,本發(fā)明還涉及一種微機(jī)電裝置,其具有第一微機(jī)械構(gòu)件結(jié)構(gòu)、第二微機(jī)械構(gòu)件結(jié)構(gòu)以及微機(jī)械的彈簧結(jié)構(gòu)。、微機(jī)電裝置及系統(tǒng)由現(xiàn)有技術(shù)已知。微機(jī)電系統(tǒng)的縮寫為mems(micro-electro-mec...
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