[相關(guān)申請的交叉引用]本申請要求2023年7月12日提交的韓國專利申請?zhí)柕?0-2023-0090374號的優(yōu)先權(quán)，上述專利文獻(xiàn)的內(nèi)容作為參考全部包含在本發(fā)明中。實現(xiàn)例涉及半導(dǎo)體工藝用拋光組合物以及利用其的基板的拋光方法。
背景技術(shù)：
1、隨著半導(dǎo)體器件更加精細(xì)化、高密度化，使用更精細(xì)的圖案形成技術(shù)，由此半導(dǎo)體器件的表面結(jié)構(gòu)變得更加復(fù)雜，層間膜的高度差也變得更大。在制造半導(dǎo)體器件的過程中，作為用于去除形成在基板上的特定膜上的高度差的平坦化技術(shù)，利用化學(xué)機(jī)械拋光（chemical?mechanical?polishing，以下稱為“cmp”）工藝。
2、對于cmp工藝而言，以向拋光墊提供漿料，且基板加壓、旋轉(zhuǎn)的方式，表面被拋光。根據(jù)工序步驟，所要平坦化的對象變得不同，此時適用的漿料物性也有所差異。
3、形成金屬布線后的拋光需要將凹陷（dishing）等最小化的同時保持充分的拋光率及拋光速率。
4、前述背景技術(shù)是發(fā)明人在提出本發(fā)明之前已掌握或在本發(fā)明提出過程中獲知的技術(shù)信息，不一定是在本申請?zhí)峤恢耙严蛞话愎姽_的公知技術(shù)。
5、現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
6、專利文獻(xiàn)
7、（專利文獻(xiàn)1）韓國公開專利第10-2019-0105770號
8、（專利文獻(xiàn)2）韓國公開專利第10-2019-0060226號
技術(shù)實現(xiàn)思路
1、發(fā)明要解決的問題
2、實現(xiàn)例的目的在于，提供當(dāng)適用于cmp工藝時，可在保持一定水平以上的拋光速率的同時，將拋光基板表面拋光得更平滑的半導(dǎo)體工藝用拋光組合物等。
3、用于解決問題的手段
4、根據(jù)本說明書的一實施例的半導(dǎo)體工藝用拋光組合物包含拋光粒子及作為陽離子性聚合物的第一拋光調(diào)節(jié)劑。
5、上述第一拋光調(diào)節(jié)劑包含來源于陽離子化合物的陽離子殘基及丙烯酰胺系殘基。
6、上述丙烯酰胺系殘基包含由以下化學(xué)式1-1表示的第一丙烯酰胺系殘基及與上述第一丙烯酰胺系殘基區(qū)分且由以下化學(xué)式1-2表示的第二丙烯酰胺系殘基。
7、[化學(xué)式1-1]
8、
9、在上述化學(xué)式1-1中，上述r1及上述r2各自獨(dú)立地為氫、碳原子數(shù)為1至3的烷基中的一種。
10、[化學(xué)式1-2]
11、
12、在上述化學(xué)式1-2中，上述r3為氫、碳原子數(shù)為1至3的烷基中的一種，上述r4為碳原子數(shù)為1至10的烷基或碳原子數(shù)為2至10的烷氧基烷基。
13、上述丙烯酰胺系殘基還可包含由以下化學(xué)式2表示的乙烯基酯系殘基。
14、[化學(xué)式2]
15、
16、在上述化學(xué)式2中，上述r5為碳原子數(shù)為1至10的羥烷基。
17、上述陽離子殘基可以為來源于季銨類化合物的殘基。
18、上述第一拋光調(diào)節(jié)劑相對于100重量份的上述陽離子殘基，可包含3重量份至160重量份的上述丙烯酰胺系殘基。
19、上述丙烯酰胺系殘基相對于100重量份的上述第一丙烯酰胺系殘基，可包含50重量份至260重量份的上述第二丙烯酰胺系殘基。
20、上述半導(dǎo)體工藝用拋光組合物還可包含作為兩性離子化合物的第二拋光調(diào)節(jié)劑。
21、上述第二拋光調(diào)節(jié)劑可包含甜菜堿類化合物、氨基酸類化合物、磺胺酸類化合物、吡啶羧酸類化合物以及它們各自的衍生物中的至少一種。
22、上述半導(dǎo)體工藝用拋光組合物相對于100重量份的上述第二拋光調(diào)節(jié)劑，可包含10至90重量份的上述第一拋光調(diào)節(jié)劑。
23、上述第一拋光調(diào)節(jié)劑可調(diào)節(jié)上述半導(dǎo)體工藝用拋光組合物對氧化硅膜的拋光率。
24、上述第二拋光調(diào)節(jié)劑可調(diào)節(jié)上述半導(dǎo)體工藝用拋光組合物對氮化硅膜的拋光率。
25、上述半導(dǎo)體工藝用拋光組合物的ph可以為5.5至9。
26、上述拋光粒子可包含膠體二氧化鈰粒子。
27、根據(jù)本說明書的一實施例的極板的制造方法，包括將上述半導(dǎo)體工藝用拋光組合物適用為漿料來拋光基板的過程。
28、發(fā)明的效果
29、實現(xiàn)例的半導(dǎo)體工藝用拋光組合物當(dāng)適用于cmp工藝時，可提供在保持一定水平以上的拋光速率的同時，具有更平滑表面的拋光基板。
1.一種半導(dǎo)體工藝用拋光組合物，其特征在于，
2.一種半導(dǎo)體工藝用拋光組合物，其特征在于，
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體工藝用拋光組合物，其特征在于，
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體工藝用拋光組合物，其特征在于，
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體工藝用拋光組合物，其特征在于，
6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體工藝用拋光組合物，其特征在于，
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體工藝用拋光組合物，其特征在于，
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體工藝用拋光組合物，其特征在于，
9.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體工藝用拋光組合物，其特征在于，
10.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體工藝用拋光組合物，其特征在于，
11.一種基板的制造方法，其特征在于，