本發(fā)明涉及一種光電路及光電路的制造方法。

背景技術(shù)：

1、在基板上集成半導(dǎo)體光元件和光波導(dǎo)而成的光電路在光通信和光傳感器領(lǐng)域的需求很高。激光光源和光接收元件等半導(dǎo)體光元件通常由化合物半導(dǎo)體形成。另一方面，光波導(dǎo)通過硅光子技術(shù)形成。需要高效率地使分別適于半導(dǎo)體光元件和光波導(dǎo)的材料彼此耦合。

2、已經(jīng)提出了一種結(jié)構(gòu)，其中在公共包層上接合包括有源光波導(dǎo)在內(nèi)的層疊結(jié)構(gòu)和包括無源光波導(dǎo)在內(nèi)的層疊結(jié)構(gòu)（例如，參照專利文獻(xiàn)1）。當(dāng)在公共包層上耦合由不同種類的材料形成的光波導(dǎo)區(qū)域時(shí)，需要選擇能成為形成芯部的各個(gè)不同材料的公共包層的低折射率材料。

3、專利文獻(xiàn)1：日本特開2016-164945號(hào)公報(bào)

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、<本發(fā)明要解決的問題>

2、目前，難以使用不同種類的低折射率材料來高效率地光耦合由不同材料形成的光波導(dǎo)。本發(fā)明的一個(gè)方面提供了一種高效率地耦合不同材料的光波導(dǎo)的光電路及其制造方法。

3、<用于解決問題的手段>

4、一個(gè)實(shí)施方式中的光電路，包括：

5、基板；

6、第一光波導(dǎo)，配置在所述基板上；以及

7、第二光波導(dǎo)，配置在所述基板上，并與所述第一光波導(dǎo)光耦合，

8、所述第一光波導(dǎo)具有第一包層、第二包層和第一芯部，所述第一芯部配置在所述第一包層與所述第二包層之間，

9、所述第二光波導(dǎo)具有第三包層、第四包層和第二芯部，所述第二芯部配置在所述第三包層和所述第四包層之間，

10、所述第一包層配置在比所述第二包層靠近所述基板處，

11、所述第三包層配置在比所述第四包層靠近所述基板處，

12、所述第一包層的材料與所述第三包層的材料不同。

13、另一個(gè)實(shí)施方式中的光電路的制造方法，包括下述工序：

14、制備第一層疊體，所述第一層疊體依次具有第一基板、第一包層、第一芯部、第二包層和第一保護(hù)層；

15、制備第二層疊體，所述第二層疊體依次具有第二基板、包含與所述第一包層不同的材料的第三包層、第二芯部和第二保護(hù)層；

16、以使所述第一芯部與所述第二芯部相對(duì)置的方式，將所述第一層疊體與所述第二層疊體對(duì)接，并且將所述第一保護(hù)層和所述第二保護(hù)層固定在偽基板上；

17、將所述第一基板和所述第二基板接合到第三基板上；

18、在將所述第一基板和所述第二基板接合到所述第三基板上之后，除去所述偽基板；

19、對(duì)所述第一層疊體進(jìn)行加工，以獲得第一光波導(dǎo)，所述第一光波導(dǎo)包括所述第一包層、所述第一芯部和所述第二包層；以及

20、對(duì)所述第二層疊體進(jìn)行加工，以獲得第二光波導(dǎo)，所述第二光波導(dǎo)與所述第一光波導(dǎo)光耦合，且至少包括所述第三包層和所述第二芯部。

21、<發(fā)明的效果>

22、能實(shí)現(xiàn)高效率地耦合不同種類的材料的光波導(dǎo)的光電路及其制造方法。

技術(shù)特征：

1.一種光電路，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光電路，其中，

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的光電路，其中，

4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的光電路，其中，

5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的光電路，其中，

6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的光電路，其中，

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的光電路，其中，

8.根據(jù)權(quán)利要求1至7中任一項(xiàng)所述的光電路，其中，

9.根據(jù)權(quán)利要求1至8中任一項(xiàng)所述的光電路，其中，

10.根據(jù)權(quán)利要求1至8中任一項(xiàng)所述的光電路，其中，

11.根據(jù)權(quán)利要求1至8中任一項(xiàng)所述的光電路，其中，

12.一種光電路的制造方法，包括下述工序：

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的光電路的制造方法，其中，

14.根據(jù)權(quán)利要求12或13所述的光電路的制造方法，其中，

15.根據(jù)權(quán)利要求12至14中任一項(xiàng)所述的光電路的制造方法，還包括下述工序：

16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的光電路的制造方法，其中，

17.根據(jù)權(quán)利要求12至16中任一項(xiàng)所述的光電路的制造方法，其中，

18.根據(jù)權(quán)利要求12至17中任一項(xiàng)所述的光電路的制造方法，其中，

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供一種高效率地耦合不同種類的材料的光波導(dǎo)的光電路及其制造方法。光電路包括基板、配置在所述基板上的第一光波導(dǎo)、配置在所述基板上并與所述第一光波導(dǎo)光耦合的第二光波導(dǎo)，所述第一光波導(dǎo)具有第一包層、第二包層和第一芯部，所述第一芯部配置在所述第一包層與所述第二包層之間，所述第二光波導(dǎo)具有第三包層、第四包層和第二芯部，所述第二芯部配置在所述第三包層和所述第四包層之間。所述第一包層配置在比所述第二包層靠近所述基板處，所述第三包層配置在比所述第四包層靠近所述基板處，所述第一包層的材料與所述第三包層的材料不同。

技術(shù)研發(fā)人員：畠山康一郎,佐野雅彥,岡田將典
受保護(hù)的技術(shù)使用者：日亞化學(xué)工業(yè)株式會(huì)社
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/6/26